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탄화 규소 나노튜브 복합체, 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022009955
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 탄화규소 나노튜브 복합체의 제조 방법이 제공된다. 상기 탄화규소 나노튜브 복합체의 제조 방법은, 탄소 나노튜브가 분산된 소스 용액을 준비하는 단계, 실리콘 산화물 전구체 용액을 준비하는 단계, 상기 실리콘 산화물 전구체 용액을 상기 소스 용액에 첨가하고 교반하여, 상기 탄소 나노튜브 상에 실리콘 산화물이 코팅되는 단계, 및 상기 실리콘 산화물이 코팅된 상기 탄소 나노튜브를 열처리하여, 상기 탄소 나노튜브의 표면 상에 탄화 규소층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL C04B 35/622 (2006.01.01) C04B 35/565 (2006.01.01) C04B 35/64 (2006.01.01) C01B 32/168 (2017.01.01) C01B 32/97 (2017.01.01)
CPC C04B 35/62222(2013.01) C04B 35/565(2013.01) C04B 35/64(2013.01) C01B 32/168(2013.01) C01B 32/97(2013.01) C01B 2202/06(2013.01)
출원번호/일자 1020200162089 (2020.11.27)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0074041 (2022.06.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.27)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김우식 전라북도 완주군
2 탁우성 경상남도 진주시 대밭골로 **, *
3 황진욱 경상남도 진주시
4 어수빈 경상남도 진주시 천수로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)
2 최내윤 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 월드메르디앙*차 **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2020-1281253-19
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2020.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2020-1288354-29
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.12.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소 나노튜브가 분산된 소스 용액을 준비하는 단계;실리콘 산화물 전구체 용액을 준비하는 단계;상기 실리콘 산화물 전구체 용액을 상기 소스 용액에 첨가하고 교반하여, 상기 탄소 나노튜브 상에 실리콘 산화물이 코팅되는 단계; 및상기 실리콘 산화물이 코팅된 상기 탄소 나노튜브를 열처리하여, 상기 탄소 나노튜브의 표면 상에 탄화 규소층을 형성하는 단계를 포함하는 탄화규소 나노튜브 복합체의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 탄소 나노튜브는, 다중벽(multi-wall) 탄소 나노튜브이고, 상기 다중벽 탄소 나노튜브의 최외곽 벽이, 상기 실리콘 산화물과 반응하여, 상기 탄화 규소층으로 생성되는 것을 포함하는 탄화규소 나노튜브 복합체의 제조 방법
3 3
제1 항에 있어서, 상기 실리콘 산화물이 코팅된 상기 탄소 나노튜브를 열처리하는 단계는, 제1 온도에서 제1 시간 동안 열처리하는 제1 열처리 단계; 및상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에서 상기 제1 시간 보다 긴 제2 시간 동안 열처리하는 제2 열처리 단계를 포함하는 탄화규소 나노튜브 복합체의 제조 방법
4 4
제3 항에 있어서, 상기 제1 열처리 단계에서, 상기 실리콘 산화물이 코팅된 상기 탄소 나노튜브에 포함된 유기물이 제거되고, 상기 제2 열처리 단계에서, 상기 탄소 나노튜브의 표면 상에 상기 탄화 규소층이 생성되는 것을 포함하는 탄화규소 나노튜브 복합체의 제조 방법
5 5
제3 항에 있어서, 상기 제1 열처리 단계 및 상기 제2 열처리 단계는, 비산소 가스 분위기에서 수행되는 것을 포함하는 탄화규소 나노튜브 복합체의 제조 방법
6 6
제1 항에 있어서, 상기 실리콘 산화물 전구체 용액을 준비하는 단계는, 실리콘 산화물 전구체 및 베이스 용매를 혼합하는 것을 포함하는 탄화규소 나노튜브 복합체의 제조 방법
7 7
제6 항에 있어서, 상기 탄소 나노튜브가 분산된 상기 소스 용액을 준비하는 단계는, 상기 탄소 나노튜브 및 소스 용매를 혼합하는 것을 포함하는 탄화규소 나노튜브 복합체의 제조 방법
8 8
제7 항에 있어서, 상기 소스 용매는, 에탄올 및 물을 포함하고, 상기 베이스 용매는 에탄올을 포함하는 탄화규소 나노튜브 복합체의 제조 방법
9 9
다중벽 탄소 나노튜브;상기 다중벽 탄소 나노튜브 상의 탄화 규소층을 포함하되, 상기 탄화 규소층은, 상기 다중벽 탄소 나노튜브의 최외곽벽이 실리콘 산화물과 반응된 것을 포함하는 탄화규소 나노튜브 복합체
10 10
제9 항에 있어서, 상기 탄화 규소층은 α-SiC를 포함하는 탄화규소 나노튜브 복합체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.