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아연전구체, 도펀트전구체 및 그래핀 산화물을 분산액에 혼합하여 혼합액을 준비하는 단계;상기 혼합액을 증착할 기판을 준비하는 단계;상기 혼합액을 상기 기판에 전기분사법으로 분사하는 단계; 및상기 혼합액이 분사된 상기 기판을 어닐링하는 단계를 포함하는, 도핑된 산화아연-환원된 그래핀 산화물 나노 복합체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 아연 전구체는 아연 아세테이트 이수화물인 것을 특징으로 하는, 도핑된 산화아연-환원된 그래핀 산화물 나노 복합체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 분산액은 에틸렌 글리콜인 것을 특징으로 하는, 도핑된 산화아연-환원된 그래핀 산화물 나노 복합체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 도펀트전구체의 도펀트는 알루미늄, 갈륨 및 인듐 중에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 도핑된 산화아연-환원된 그래핀 산화물 나노 복합체 박막의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 도펀트전구체는 알루미늄 클로라이드육수화물인 것을 특징으로 하는, 도핑된 산화아연-환원된 그래핀 산화물 나노 복합체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 혼합액을 준비하는 단계는, 그래핀 산화물의 비율이 1wt% 이상 5wt% 이하로 혼합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 도핑된 산화아연-환원된 그래핀 산화물 나노 복합체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 SiO2 코팅된 Si기판인 것을 특징으로 하는, 도핑된 산화아연-환원된 그래핀 산화물 나노 복합체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판을 준비하는 단계는, 상기 기판을 3분 이상 7분 이하의 시간 동안 산소 플리즈마로 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 도핑된 산화아연-환원된 그래핀 산화물 나노 복합체 박막의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 산소 플라즈마로 상기 기판을 처리하는 단계는, 상기 산소 플라즈마를 150W 이상 250W 이하의 세기로 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 도핑된 산화아연-환원된 그래핀 산화물 나노 복합체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 혼합액을 상기 기판에 전기분사법으로 분사하는 단계는, 상기 혼합액을 상기 기판에 분사하기 전에 상기 기판이 130℃ 이상 170℃ 이하로 가열하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 도핑된 산화아연-환원된 그래핀 산화물 나노 복합체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 혼합액을 상기 기판에 상기 전기분사법으로 분사하는 단계는, 상기 혼합액을 0 초과 3μL/분 이하의 속도로 분무하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 도핑된 산화아연-환원된 그래핀 산화물 나노 복합체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 혼합액을 상기 기판에 상기 전기분사법으로 분사하는 단계는, 8kV 이상 10kV 이하의 전압을 인가하여 분무하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 도핑된 산화아연-환원된 그래핀 산화물 나노 복합체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 혼합액을 상기 기판에 상기 전기분사법으로 분사하는 단계는, 0 초과 0
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제1항에 있어서, 상기 어닐링은 600℃ 이상 1000℃ 이하에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 도핑된 산화아연-환원된 그래핀 산화물 나노 복합체 박막의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 어닐링은 20분 이상 동안 수행되는 것을 특징으로 하는, 도핑된 산화아연-환원된 그래핀 산화물 나노 복합체 박막의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 어닐링의 온도는 90℃/분 이상 110℃/분 이하의 속도로 가열되는 것을 특징으로 하는, 도핑된 산화아연-환원된 그래핀 산화물 나노 복합체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 어닐링은 환원분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 도핑된 산화아연-환원된 그래핀 산화물 나노 복합체 박막의 제조방법
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제17항에 있어서, 상기 환원분위기는 아르곤 분위기인 것을 특징으로 하는, 도핑된 산화아연-환원된 그래핀 산화물 나노 복합체 박막의 제조방법
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