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일면이 유전체 재질인 정전척 플레이트;상기 정전척 플레이트 일면에 배치되는 홈; 및상기 홈에 배치되는 한 쌍의 센서 칩;을 포함하는 정전척
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일면이 유전체 재질인 정전척 플레이트;상기 정전척 플레이트 일면에 배치되는 엠보싱; 및상기 엠보싱이 배치되지 않은 정전척 플레이트 일면에 배치되는 한 쌍의 센서 칩;을 포함하는 정전척
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 정전척 플레이트 일면에 기판이 배치되는 정전척
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제3항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판 또는 전도성 기판인 정전척
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제2항에 있어서,상기 엠보싱의 두께는 10~500㎛인 정전척
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일면이 유전체 재질인 정전척 플레이트;상기 정전척 플레이트 일면에 배치되는 홈; 및상기 홈에 배치되는 한 쌍의 센서 칩;을 포함하고,상기 한 쌍의 센서 칩을 덮어 보호하는 세라믹 코팅막을 포함하는 정전척
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일면이 유전체 재질인 정전척 플레이트;상기 정전척 플레이트 일면에 배치되는 엠보싱; 및상기 엠보싱이 배치되지 않은 정전척 플레이트 일면에 배치되는 한 쌍의 센서 칩;을 포함하고, 상기 한 쌍의 센서 칩을 덮어 보호하는 세라믹 코팅막을 포함하는 정전척
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(a) 일면이 유전체 재질인 정전척 플레이트의 상기 일면에 홈을 형성하는 단계;(b) 상기 홈에 한 쌍의 센서 칩을 배치하는 단계; (c) 상기 정전척 플레이트 일면에 기판을 배치한 후, 상기 한 쌍의 센서 칩에 교류전압을 공급하여 발생하는 교류전류를 측정하여 정전용량(capacitance)을 측정하는 단계; 및(d) 상기 측정된 정전용량으로부터 한 쌍의 센서 칩과 기판 사이의 거리를 측정하여 척킹력(chucking force)을 실시간 측정하는 단계;를 포함하고,척킹력에 의한 기판의 휨 정도 또는/및 밀착 정도에 따라, 상기 한 쌍의 센서 칩과 기판 사이의 거리가 변화하고 상기 변화된 거리에 의해 상기 정전용량이 변화하는 정전용량 및 척킹력 측정 방법
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(a) 일면이 유전체 재질인 정전척 플레이트의 상기 일면에 엠보싱을 형성하는 단계;(b) 상기 엠보싱이 배치되지 않은 정전척 플레이트 일면에 한 쌍의 센서 칩을 배치하는 단계; (c) 상기 정전척 플레이트 일면에 기판을 배치한 후, 상기 한 쌍의 센서 칩에 교류전압을 공급하여 발생하는 교류전류를 측정하여 정전용량(capacitance)을 측정하는 단계; 및(d) 상기 측정된 정전용량으로부터 한 쌍의 센서 칩과 기판 사이의 거리를 측정하여 척킹력(chucking force)을 실시간 측정하는 단계;를 포함하고,척킹력에 의한 기판의 휨 정도 또는/및 밀착 정도에 따라, 상기 한 쌍의 센서 칩과 기판 사이의 거리가 변화하고 상기 변화된 거리에 의해 상기 정전용량이 변화하는 정전용량 및 척킹력 측정 방법
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제8항 또는 제9항에 있어서,상기 한 쌍의 센서 칩은 2D 프린팅, 3D 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이 코팅, 스퍼터링 증착 또는 진공 증착하여 제조되는 정전용량 측정 방법
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제8항에 있어서,상기 홈에 배치되는 한 쌍의 센서 칩에 코팅용 세라믹 조성물을 분사 코팅하여, 상기 한 쌍의 센서 칩을 덮어 보호하는 세라믹 코팅막을 형성하는 정전용량 및 척킹력 측정 방법
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제9항에 있어서,상기 엠보싱이 배치되지 않은 정전척 플레이트 일면에 배치되는 한 쌍의 센서 칩에 코팅용 세라믹 조성물을 분사 코팅하여, 상기 한 쌍의 센서 칩을 덮어 보호하는 세라믹 코팅막을 형성하는 정전용량 및 척킹력 측정 방법
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13
제11항 또는 제12항에 있어서,상기 분사 코팅은 APS(Atmospheric Plasma Spray), PVD(Physical Vapor Deposition), 서스펜션 플라즈마 용사 코팅(Suspension plasma spray), 고속화염 코팅(High Velocity Oxygen Fuel Spraying, HVOF), 진공 플라즈마 코팅(Vacuum Plasma Spraying, VPS), 저온분사 코팅(cold spray) 또는 저압건식분사 코팅(aerosol deposition, AD)으로 수행되는 정전용량 및 척킹력 측정 방법
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