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양자점이 내장된 산화물 반도체 기반의 광 검출기

  • 기술번호 : KST2022010077
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자점이 내장된 산화물 반도체 기반의 광 검출기에 관한 것으로, 본 발명에서는 산화물 반도체 기반의 채널층 및 양자점 기반의 광반응층을 접합시킴으로써, 광 검출기의 광 민감도 및 반응성을 향상시킬 수 있고, 넓은 파장대역의 광을 검출할 수 있다. 동시에, 본 발명의 광 검출기는 양자점층이 산화물 반도체 기반의 채널층 사이에 내장된 구조로 형성되어, 양자점층 도입에 의한 이동도 저하, on/off 비율 저하 및 안정성 저하 문제를 해결할 수 있고, 각 층의 두께 조절을 통해 이러한 효과를 극대화할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면 전기적 특성, 광 검출 성능 및 안정성이 모두 우수한 광 검출기를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 31/113 (2006.01.01) H01L 31/0352 (2006.01.01)
CPC H01L 31/1136(2013.01) H01L 31/035218(2013.01)
출원번호/일자 1020210075426 (2021.06.10)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2420429-0000 (2022.07.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20220713) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.06.10)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정재경 서울특별시 성동구
2 허홍위 서울특별시 성동구
3 한희성 서울특별시 성동구
4 장준혁 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 해움특허법인 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, *층(반포동, 세영제이타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2021-0670943-28
2 [우선심사신청]심사청구서·우선심사신청서
2021.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2021-0719440-57
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2021.06.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 우선심사결정보류/연기통지서
Notice for Deferment/Postponement of Decision of Accelerated Examination
2021.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0591540-03
5 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2021.08.02 수리 (Accepted) 9-1-2021-0011269-93
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0769841-15
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2021.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2021-1388530-16
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-1388529-70
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2022.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0075594-22
10 [법정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
2022.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2022-0220083-25
11 법정기간연장승인서
2022.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2022-0037830-70
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2022.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2022-0329794-46
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2022.03.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2022-0329793-01
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2022.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0289571-91
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 위치하는 절연층;상기 절연층 상에 위치하며, 제1 산화물 반도체를 포함하는 하부 채널층;상기 하부 채널층 상에 위치하며, 양자점을 포함하는 광반응층;상기 광반응층 상에 위치하며, 제2 산화물 반도체를 포함하는 상부 채널층; 및 상기 상부 채널층 상에 위치하며, 상부 채널층의 양 단부에 이격되어 배치되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 광 검출기로서,상기 광반응층의 두께가 20 내지 30nm이고, 상기 상부 채널층의 두께가 2 내지 10nm이며, 상기 광반응층 및 상부 채널층의 두께 비율이 3:1 내지 8:1이고,상기 제1 및 제2 산화물 반도체가 In-Ga-Sn-O (IGTO)이며,130 내지 170℃로 열처리 된, 광 검출기
2 2
제 1 항에 있어서,상기 하부 채널층의 두께가 5 내지 50nm인, 광 검출기
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제1 산화물 반도체 및 제2 산화물 반도체가 각각 독립적으로 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 아연(Zn), 알루미늄(Al) 및 마그네슘(Mg)으로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상의 금속 원소를 함유하는 금속 산화물인, 광 검출기
4 4
제 1 항에 있어서,상기 양자점이 IV-VI족 반도체 화합물, II-VI족 반도체 화합물, III-V족 반도체 화합물 및 IV족 반도체 화합물로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는, 광 검출기
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한양대학교산학협력단 산업기술거점센터육성시범사업(R&D) 제조·공정·물류 산업지능화 산업기술거점센터