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시멘트;페로니켈 제조 공정 중 발생된 슬래그를 냉각시킨 제1냉각 슬래그;페로니켈 제조 공정 중 발생된 슬래그를 냉각시켜 마련되며, 상기 제1냉각 슬래그에 비해 경도가 작고, 상기 제1냉각 슬래그에 비해 입경이 작은 제2냉각 슬래그; 및팽창재;를 포함하는 조성물
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청구항 1에 있어서,상기 제2냉각 슬래그의 입경은 상기 제1냉각 슬래그 입경의 0
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청구항 2에 있어서,상기 제2냉각 슬래그의 분말도가 2000cm2/g 이상, 5000cm2/g 미만인 조성물
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청구항 1에 있어서,상기 조성물 전체에 대해, 상기 제1냉각 슬래그가 65 중량% 내지 80 중량%, 상기 제2냉각 슬래그가 2 중량% 내지 7 중량%, 상기 시멘트가 15 중량% 내지 25 중량%, 상기 팽창재가 1 중량% 내지 5 중량%로 포함하는 조성물
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청구항 4에 있어서,상기 제1냉각 슬래그는, 입경이 0
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청구항 1에 있어서,상기 제1냉각 슬래그와 제2냉각 슬래그는, 각각에서 전체 결정상 중 가장 많이 포함된 결정상인 주 결정상이 서로 다른 조성물
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청구항 6에 있어서,상기 제1냉각 슬래그는 주 결정상이 2MgO·SiO2(forsterite) 결정상이고,상기 제2냉각 슬래그는 주 결정상이 MgO·SiO2(enstatite) 결정상인 조성물
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청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1냉각 슬래그에 비해 상기 제2냉각 슬래그의 분쇄성(HGI)이 높은 조성물
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청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,상기 팽창재는 CaO와 CaSO4를 포함하는 조성물
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페로니켈 제조 공정 중 발생된 슬래그를 제1냉각속도로 냉각시킨 제1냉각 슬래그를 준비하는 과정;페로니켈 제조 공정 중 발생된 슬래그를 상기 제1냉각속도에 비해 느린 제2냉각속도로 냉각시킨 제2냉각 슬래그를 준비하는 과정;분말도를 조절하도록, 상기 제2냉각 슬래그를 분쇄하는 과정; 및상기 제1냉각 슬래그, 분쇄된 제2냉각 슬래그, 시멘트, 팽창재를 혼합하는 과정;을 포함하는 조성물의 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 제2냉각 슬래그를 분쇄하는 과정은, 분말도가 2000cm2/g 이상, 5000cm2/g 미만이 되도록 상기 제2냉각 슬래그를 분쇄하는 조성물의 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 제1냉각 슬래그 및 제2냉각 슬래그를 준비하는 과정은,상기 페로니켈 제조 공정 중, 니켈광석을 용융 및 환원시켜 페로니켈을 포함하는 용융물을 제조하는 과정에서 발생된 슬래그를 회수하는 과정을 포함하고,상기 제1 및 제2냉각 슬래그는 상기 회수된 슬래그를 냉각시켜 준비하는 조성물의 제조 방법
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청구항 12에 있어서,상기 제1냉각 슬래그를 준비하는 과정은, 상기 회수된 슬래그를 10분 내지 20분 내에 55℃ 내지 65℃의 온도로 냉각시킨 후, 5 시간 내지 10 시간 내에 상온까지 냉각시키는 과정을 포함하는 조성물의 제조 방법
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청구항 13에 있어서,상기 제1냉각 슬래그를 준비하는 과정은,상기 회수된 슬래그로 물을 분사하여 10분 내지 20분 내에 55℃ 내지 65℃의 온도로 냉각시킨 후, 55℃ 내지 65℃로 냉각된 슬래그를 대기 중에서 공랭시켜 5 시간 내지 10 시간 내에 상온까지 냉각시키는 과정을 포함하는 조성물의 제조 방법
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청구항 12에 있어서,상기 제2냉각 슬래그를 준비하는 과정은,상기 회수된 슬래그를 36시간 내지 48시간 내에 상온까지 냉각시키는 과정을 포함하는 조성물의 제조 방법
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청구항 15에 있어서,상기 제2냉각 슬래그를 준비하는 과정은,상기 회수된 슬래그를 대기 중에서 공랭시켜 36시간 내지 48시간 내에 상온까지 냉각시키는 과정을 포함하는 조성물의 제조 방법
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청구항 10 내지 청구항 16 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1냉각 슬래그를 입경에 따라 분급하는 과정을 포함하고,상기 분급하는 과정은,입경이 0
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