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고체전해질의 원료 분말이 수용된 캡슐을 열처리하는 열처리부; 및상기 캡슐과 연결되어 상기 캡슐에서 발생되는 가스를 흡입하여 배출하는 챔버부;를 포함하며,상기 캡슐은 상기 열처리 시 상기 열처리부를 따라 이동되는 회전식 고체전해질 열처리로
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제1항에 있어서,상기 캡슐은 상기 챔버부의 회전에 의해 회전되는 회전식 고체전해질 열처리로
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제1항에 있어서,상기 캡슐은 상기 열처리 시 발생되는 가스가 배출되는 배출관을 포함하며, 상기 챔버부는 상기 배출관이 삽입되어 고정되는 배출관 고정부를 포함하는 회전식 고체전해질 열처리로
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제1항에 있어서,상기 챔버부는 복수의 캡슐로부터 발생되는 가스를 모아 외부로 배출하는 배출부를 포함하는 회전식 고체전해질 열처리로
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제1항에 있어서,상기 챔버부는,상기 캡슐과 연결되어 상기 캡슐에서 발생되는 가스를 흡입하여 배출하는 제1 챔버부; 및상기 캡슐과 연결되어 상기 캡슐로 가스를 주입하는 제2 챔버부;를 포함하며,상기 캡슐은 상기 열처리 시 상기 제1 챔버부 및 제2 챔버부의 회전에 의해 회전되는 회전식 고체전해질 열처리로
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제5항에 있어서,상기 제1 챔버부 및 제2 챔버부는 동일한 회전축을 갖는 회전식 고체전해질 열처리로
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제5항에 있어서,상기 제1 챔버부는 상기 제2 챔버부 내에 수용되는 회전식 고체전해질 열처리로
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제5항에 있어서,상기 캡슐은 상기 열처리 시 발생되는 가스가 상기 제1 챔버부로 배출되는 배출관 및 상기 제2 챔버부의 가스가 상기 캡슐의 내부로 주입되는 주입관을 포함하며, 상기 제1 챔버부는 상기 배출관이 삽입되어 고정되는 배출관 고정부를 포함하고, 상기 제2 챔버부는 상기 주입관이 삽입되어 고정되는 주입관 고정부를 포함하는 회전식 고체전해질 열처리로
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제5항에 있어서,상기 제2 챔버부를 통해 상기 캡슐 내부로 주입되는 가스는 황화수소 가스인 회전식 고체전해질 열처리로
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10
제5항에 있어서,상기 제1 챔버부 및 제2 챔버부는 서로 대칭적으로 배치된 회전식 고체전해질 열처리로
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제10항에 있어서,상기 캡슐은 배출관이 형성된 커버부와, 흡입관이 형성된 수용부를 포함하며, 상기 열처리부는 상기 흡입관이 지나가도록 절개부를 포함하는 회전식 고체전해질 열처리로
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제11항에 있어서,상기 절개부는 상기 열처리부의 하벽에 형성되는 회전식 고체전해질 열처리로
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제1항 내지 제12항 중 하나의 항에 있어서,상기 열처리부는 승온구간, 유지구간, 냉각구간을 포함하며, 상기 승온구간, 유지구간, 냉각구간은 각각 상기 열처리부의 둘레 길이의 1/4, 2/4, 1/4 이하로 이루어지는 회전식 고체전해질 열처리로
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제1항에 있어서,상기 열처리부는 이동부를 포함하며, 상기 캡슐은 상기 이동부의 이동에 의해 이동되는 회전식 고체전해질 열처리로
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고체전해질의 원료 분말이 수용된 캡슐을 열처리하는 열처리부; 및상기 캡슐과 연결되어 상기 캡슐에서 발생되는 가스를 흡입하여 배출하는 챔버부;를 포함하고,상기 열처리부는 회전되며 상기 캡슐을 열처리하는 회전식 고체전해질 열처리로
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상기 열처리부는 이동부를 포함하며, 상기 열처리부는 상기 이동부의 이동에 의해 회전되는 회전식 고체전해질 열처리로
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고체전해질의 원료 분말을 캡슐에 담아 밀봉하는 캡슐 밀봉 단계;상기 밀봉된 캡슐을 열처리부에 장입하는 캡슐 장입 단계;상기 열처리부에 장입된 캡슐과 상기 열처리부의 상대 위치를 변경시키며 열처리하는 열처리 단계; 및상기 열처리 단계에서 상기 캡슐 내부에 발생되는 가스를 상기 캡슐 외부로 배출하는 가스 배출 단계;를 포함하는 회전식 고체전해질 열처리로를 이용한 고체전해질 제조방법
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제17항에 있어서,상기 캡슐 내부로 황화수소 가스를 주입하는 가스 주입 단계;를 포함하는 회전식 고체전해질 열처리로를 이용한 고체전해질 제조방법
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제17항에 있어서,상기 회전 이동 열처리 단계는 승온구간, 유지구간 및 냉각구간을 포함하며, 상기 유지구간의 온도는 350 내지 650℃로 이루어지는 회전식 고체전해질 열처리로를 이용한 고체전해질 제조방법
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제17항에 있어서,상기 고체전해질의 원료 분말은 황화리튬 분말, 황화인 분말 및 염화리튬 분말을 포함하는 회전식 고체전해질 열처리로를 이용한 고체전해질 제조방법
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