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양극;상기 양극 상에 위치하는 제1 리튬염 고체 분말층;상기 제1 리튬염 고체 분말층 상에 위치하는 고체전해질 층;상기 고체전해질 층 상에 위치하는 제2 리튬염 고체 분말층; 및상기 제2 리튬염 고체 분말층 상에 위치하는 음극;을 포함하고,상기 제1 리튬염 고체 분말층 및 제2 리튬염 고체 분말층은 80℃ 이상에서 용융되는 리튬염 고체 분말을 포함하는, 리튬 이차 전지
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제1항에 있어서,상기 실온에서 80℃ 이상에서 용융되는 리튬염 고체 분말은,Lithium(fluorosulfonyl)(trifluoromethylsulfonyl)amide, Lithium Bis(fluorosulfonyl)imide, LithiumBis(trifluoromethanesulfonyl)imide, Lithium(fluorosulfonyl)(pentafluoroethanesulfonyl)imide, Li(CF3SO2)(C2F-SO2)N, LiPF6, LiAsF6, LiBF4, LiBF6, LiClO4, LiAlCl4, 및 LiSbF6로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는, 리튬 이차전지
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제1항에 있어서,상기 고체전해질 층은 화학식 1로 표시되는 리튬 알루미늄 티타늄 인산염(LATP) 또는 화학식 2로 표시되는 리튬 란타늄 지르코늄 산화물(LLZO)을 포함하는, 리튬 이차 전지
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4 |
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제1항에 있어서,상기 양극은 양극 집전체 일 면에 FeS2, MnO2, Mo3O8, CFx,및 V6O13 로 이루어진 군 중에서 1종 이상을 포함하는 양극부가 위치하는 것인, 리튬 이차 전지
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5 |
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제4항에 있어서, 상기 양극 집전체는 Al 금속판, Ni 금속판, 및 스테인리스 금속판으로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상인, 리튬 이차 전지
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6 |
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제1항에 있어서,상기 음극은 음극 집전체 일 면에 Li, Li-Al, Li-In, 및 Li-Ag로 이루어진 군 중에서 1종 이상을 포함하는 음극부가 위치하는 것인, 리튬 이차 전지
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7
제6항에 있어서,상기 음극 집전체는 Cu 금속판, Ni 금속판 및 스테인리스 금속판을 포함하는 군 중에서 선택된 1종 이상인, 리튬 이차 전지
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8
제1항에 있어서, 상기 리튬 이차전지는 양극캡 및 음극캡을 더 포함하고, 상기 양극캡 및 음극캡 내부에 양극, 제1 리튬염 고체 분말층, 고체전해질 층, 제2 리튬염 고체 분말층 및 음극이 장착되어 있고,상기 양극캡과 음극캡 사이에 절연 실링부를 더 포함하는, 리튬 이차전지
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제8항에 있어서,상기 절연 실링부는 Polypropylene(PP), Silicon, Viton, Polytetrafluoroethylene (PTFE), Perfluoroalkoxy alkanes (PFA), 및 Fluorocarbon으로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는, 리튬 이차전지
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제1항에 있어서,상기 고체전해질 층의 두께는 다음의 식 1을 만족하는, 리튬 이차전지
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제1항에 있어서,상기 고체전해질 층 두께 100㎛ 당 제1 리튬염 고체 분말층 및 제2 리튬염 고체 분말층의 합량은 0
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양극을 준비하는 단계;고체전해질을 준비하는 단계; 음극을 준비하는 단계;리튬염 고체 분말을 준비하는 단계; 및양극, 리튬염 고체 분말, 고체전해질, 리튬염 고체 분말, 및 음극 순으로 적층하여 조립하는 단계;를 포함하고,상기 리튬염 고체 분말은 80℃ 이상에서 용융되는 리튬염 고체 분말을 포함하는, 리튬 이차 전지의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 고체전해질을 준비하는 단계;에서상기 고체전해질은 화학식 1로 표시되는 리튬 알루미늄 티타늄 인산염(LATP) 또는 화학식 2로 표시되는 리튬 란타늄 지르코늄 산화물(LLZO)을 포함하는, 리튬 이차 전지의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 고체전해질을 준비하는 단계;에서고체전해질은 하기 식 1의 두께를 만족하는 층상으로 구비되는 것인, 리튬 이차전지의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 양극, 리튬염 고체 분말, 고체전해질, 리튬염 고체 분말, 및 음극 순으로 적층하여 조립하는 단계;에서,리튬염 고체 분말 총량은 고체전해질 두께 100㎛ 당 0
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