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물리기상전달(PVT)법을 사용하여 AlN 단결정을 성장시키는 방법으로서,AlN 단결정 성장시 사용되는 질화알루미늄(AlN) 원료 분말의 공극률이 70부피% 내지 75부피%인, AlN 단결정 성장방법
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제1항에 있어서,상기 물리기상전달법을 사용하여 AlN 단결정을 성장시키는 방법은단결정 성장 반응기 내부의 하부에 질화알루미늄(AlN) 원료 분말을 장입하는 단계;종자정을 단결정 성장 반응기 내부의 상부에 장착시키는 단계;단결정 성장 반응기를 대기압에서 성장온도까지 승온시키는 단계; 및 단결정 성장 반응기 내부를 성장 압력까지 감압하고 유지시켜 단결정을 성장시키는 단계;를 포함하는, AlN 단결정 성장방법
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제1항에 있어서,상기 질화알루미늄 원료 분말은 평균 입경이 50 내지 100㎛인 입자의 부피분율이 75% 이하인, AlN 단결정 성장방법
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제2항에 있어서,상기 종자정 표면에 수평한 가로 방향의 온도 구배가 1
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제2항에 있어서,상기 종자정은 질화알루미늄, 탄화규소, 및 사파이어로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는, AlN 단결정 성장방법
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제2항에 있어서,상기 단결정 성장 반응기를 대기압에서 성장온도까지 승온시키는 단계; 전에단결정 성장 반응기 내부 불순물 제거단계; 및불활성 가스를 이용한 퍼징단계;를 포함하는, AlN 단결정 성장방법
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제6항에 있어서,상기 단결정 성장 반응기 내부 불순물 제거단계;는진공압력하에서 1000℃미만으로 2시간 내지 3시간 동안 가열하여 불순물을 제거하는 단계인, AlN 단결정 성장방법
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제2항에 있어서,상기 단결정 성장 반응기를 대기압에서 성장온도까지 승온시키는 단계;에서 성장온도는 1800℃ 내지 2200℃인, AlN 단결정 성장방법
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제2항에 있어서,상기 단결정 성장 반응기 내부를 성장 압력까지 감압하고 유지시켜 단결정을 성장시키는 단계;에서성장 압력은 300torr 내지 600torr인, AlN 단결정 성장방법
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질화알루미늄(AlN) 단결정의 XRD Rocking Curve의 FWHM(degree)가 0
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