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탄화규소 단결정 성장 방법으로서,탄화규소 단결정 성장시 C/Si 몰비가 0
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제1항에 있어서, 상기 탄소 공급원은 탄소 입자 및 다공성 흑연으로 이루어진 군중에서 선택된 1종 이상인, 탄화규소 단결정 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 탄소 공급원은 도가니 내부에 장입된 SiC 분말 주위에 배치되는 것인, 탄화규소 단결정 성장 방법
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제3항에 있어서, 상기 탄소 공급원은 SiC 분말 상부, 하부, 및 측면 중 1 이상에 배치되는 것인, 탄화규소 단결정 성장 방법
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제1항에 있어서,상기 탄화규소 단결정 성장 방법은도가니 내부의 하부에 원료물질을 장입하는 단계;종자정이 부착된 종자정 홀더를 도가니 내부 상부에 장착하는 종자정 홀더 장착 단계;도가니를 가열하여 도가니에 포함된 질소와 불순물을 제거하는 단계;도가니 내부에 불활성 가스를 주입하여 남아있는 공기를 제거하는 퍼징 단계; 및가열수단을 이용하여 도가니를 단결정 성장온도까지 가열시켜 단결정을 성장시키는 단결정 성장단계;를 포함하는, 탄화규소 단결정 성장 방법
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제5항에 있어서상기 단결정 성장단계에서, 내부 분위기의 질소 도핑 농도는 0
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제5항에 있어서,상기 도가니를 가열하여 도가니에 포함된 질소와 불순물을 제거하는 단계;는 1000℃ 미만의 온도와 진공압력 하에서 도가니를 가열하는 단계인, 탄화규소 단결정 성장 방법
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8
제5항에 있어서,상기 도가니 내부에 불활성 가스를 주입하여 남아있는 공기를 제거하는 퍼징 단계;는 도가니 내부에 불활성 기체를 주입하여 실시되는 단계인, 탄화규소 단결정 성장 방법
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제5항에 있어서,상기 가열수단을 이용하여 도가니를 단결정 성장온도까지 가열시켜 단결정을 성장시키는 단결정 성장단계;는 가열수단을 이용하여 도가니를 2000 내지 3000℃까지 가열한 후, 압력을 0
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