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기판상에 GaN층을 형성하는 단계;상기 GaN층 상에 AlGaN 배리어층을 형성하는 단계;상기 AlGaN 배리어층 상에 소스(source)와 드레인(drain)을 배치하는 오믹층 형성 단계; 및상기 AlGaN 배리어층 상에 감지 물질층을 배치하는 감지 물질층 형성 단계를 포함하고,상기 감지 물질층 형성 단계는 제1 촉매층을 형성하는 단계 및상기 제1 촉매층 상에 제2 촉매층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 촉매층을 포함하는 수소 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 AlGaN 배리어층 상에 제1 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 수소 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 오믹층 형성 단계에서 소정 온도에서 급속 열처리를 더 포함하는 수소 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 감지 물질층 형성 단계 이후에 상기 오믹층 상에 금속 패드 전극을 배치하는 패드 형성 단계를 포함하는 수소 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 감지 물질층 형성 단계에서 상기 감지 물질층은,상기 소스와 드레인 사이의 영역에 배치하는 수소 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 촉매층은 Pd를 포함하는 수소 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 오믹층 및 감지 물질층이 배치된 영역 사이에 제2 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 소수 센서의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 절연막 형성 단계 후에 상기 제2 촉매층을 형성하고,상기 제2 촉매층은 ZnO 나노입자를 포함하는 수소 센서의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 제2 촉매층은 상기 ZnO 나노입자가 분산된 소정 용액을 스핀코팅법으로 형성하는 수소 센서의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 소정 용액은 적어도 2종 이상의 용매가 혼합된 공용매인 수소 센서의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 ZnO 나노입자의 평균 직경은 3 내지 10 nm 범위인 수소 센서의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 제2 촉매층을 형성한 후 소정의 열처리를 수행하는 수소 센서의 제조방법
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기판상에 적층된 GaN 버퍼층과 GaN 채널층;상기 GaN 채널층 상에 배치되는 AlGaN 배리어층;상기 AlGaN 배리어층 상에 배치되는 소스(source)와 드레인(drain)을 포함하는 오믹층; 및상기 AlGaN 배리어층 상에 배치되는 감지 물질층을 포함하고,상기 감지 물질층은 제1 촉매층과 제2 촉매층이 적층되는 것을 특징으로 하는 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 촉매층을 포함하는 수소 센서
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제13항에 있어서,상기 AlGaN 배리어층 상에 제1 절연막이 더 배치되는 수소 센서
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제13항에 있어서,상기 오믹층 상에 금속 패드 전극이 더 배치되는 수소 센서
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제13항에 있어서,상기 감지 물질층은 상기 소스와 드레인 사이의 영역에 배치되는 수소 센서
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제13항에 있어서,상기 제1 촉매층은 Pd를 포함하는 수소 센서
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제13항에 있어서,상기 제2 촉매층은 ZnO 나노입자를 포함하는 수소 센서
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제18항에 있어서,상기 ZnO 나노입자의 평균 직경은 3 내지 10 nm 범위인 수소 센서
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제18항에 있어서,상기 제2 촉매층의 두께는 10 내지 100 nm의 범위인 수소 센서
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제13항에 있어서,상기 오믹층 및 감지 물질층이 배치된 영역 사이에 제2 절연막이 배치되는 수소 센서
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