| 1 |
1
제1 기판 상에 자가조립 단분자막(SAM)을 형성하는 단계;상기 자가조립 단분자막 상에 제1 스탬프를 사용하여 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막을 적어도 1회 이상 교차 적층 전사하여 양자점 다층 박막을 형성하는 단계; 및상기 양자점 다층 박막을 제2 스탬프를 사용하여 픽업하여 제2 기판 상에 전사하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막은 쿨롱 인력에 의해 적층되는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 상기 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막은 무기 리간드 및 두 기능기(bifunctional) 리간드 중 적어도 어느 하나로 표면 처리된 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서, 상기 무기 리간드는 금속-칼코게나이드(metal-chalcogenide) 화합물, 금속-할라이드(metal-halide) 화합물, 금속-옥사이드(metal-oxide) 화합물, 칼코게나이드(chalcogenide), 할라이드(halide) 및 슈도할라이드(pseudohalide), 하이드록시 이온 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법
|
| 5 |
5
제3항에 있어서, 상기 두 기능기 리간드는 카르복시기, 아인산기, 하이드록시기, 사이올기, 아민기, 포스핀기 및 산화포스핀기 중 적어도 둘 이상의 작용기가 C1-C24 탄화수소에 결합된 리간드를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 자가조립 단분자막은 상기 제1 기판과 상기 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 사이의 쿨롱 인력을 감소시키는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 자가조립 단분자막은 PFS(Perfluorodecyltrichlorosilane), OTS (Trichloro(octyl)silane), ODTS(Octadecyltrichlorosilane), OTMS(Octadecyltrimethoxysilane), HDT(1-Hexadecanethiol), FDTS((Heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl)trichlorosilane), FOTS(1H,1H,2H,2H-perfluorodecyltrichlorosilneperfluorodecyltrichlorosilane), PFBT (Pentafluorobenzenethiol), APTES(3-Aminopropyltriethoxysilane), hydroxy terminated PDMS(polydimethylsiloxane) 및 vinyl terminated PDMS 및 DDMS(Dichlorodimethylsilane) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 제1 스탬프는 표면에 양각 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 제2 기판이 음각 트랜치를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서, 상기 양자점 다층 박막을 제2 스탬프를 사용하여 픽업하여 제2 기판 상에 전사하는 단계를 진행한 다음,상기 제2 스탬프를 이용하여 상기 제2 기판으로부터 상기 양자점 다층 패턴을 픽업하는 단계; 및상기 제2 스탬프를 이용하여 상기 양자점 다층 패턴을 제3 기판에 전사하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법
|
| 11 |
11
제9항에 있어서, 상기 제2 기판은 표면에서 내부로 들어간 리세스 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법
|
| 12 |
12
제11항에 있어서, 상기 제2 스탬프가 상기 제2 기판으로부터 분리될 때 상기 양자점 다층 박막 중에서 상기 제2 기판과 접촉하는 부분은 상기 제2 기판에 남고, 상기 리세스 영역에 대응하는 부분은 상기 제2 스탬프에 의해 픽업되는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법
|
| 13 |
13
제1항에 있어서, 상기 양자점 다층 박막의 두께는 2 nm 내지 1000 μm 인 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법
|
| 14 |
14
제1항 내지 제13항 중 적어도 어느 하나의 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법으로 제조된 양자점 다층 박막은,제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막이 적어도 1회 이상 교차하여 적층된 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막
|
| 15 |
15
제14항에 있어서, 상기 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막은 쿨롱 인력에 의해 적층된 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막
|
| 16 |
16
제14항에 있어서, 상기 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 상기 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막은 무기 리간드 및 두 기능기(bifunctional) 리간드 중 적어도 어느 하나로 표면 처리된 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막
|
| 17 |
17
제14항에 있어서, 상기 양자점 다층 박막은, 양각 패턴 또는 음각 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막
|
| 18 |
18
제14항에 있어서, 상기 양자점 다층 박막의 두께는 2 nm 내지 1000 μm 인 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막
|
