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극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점의 전사 인쇄 방법, 상기 방법으로 제조된 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점 박막 및 전자소자

  • 기술번호 : KST2022010724
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점의 전사 인쇄 방법, 상기 방법으로 제조된 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점 박막 및 전자소자를 개시한다. 본 발명은 제1 기판 상에 제1 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점을 포함하는 양자점 박막을 형성하는 단계; 상기 양자점 박막을 스탬프를 이용하여 픽업하는 단계; 및 상기 스탬프를 이용하여 상기 양자점 박막을 제2 기판에 전사하는 단계;를 포함하고, 상기 스탬프는 제2 극성을 갖는 자가조립 단분자막으로 표면처리된 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/04 (2010.01.01) C09K 11/02 (2006.01.01) C09K 11/08 (2006.01.01)
CPC H01L 33/005(2013.01) H01L 33/04(2013.01) C09K 11/025(2013.01) C09K 11/08(2013.01)
출원번호/일자 1020200166805 (2020.12.02)
출원인 재단법인대구경북과학기술원, 울산과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0077657 (2022.06.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.11.23)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현
2 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양지웅 대구광역시 달성군 현풍읍 테크노중앙
2 최문기 울산광역시 울주군
3 권종익 울산광역시 울주군
4 박수익 부산광역시 금정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2020-1305645-55
2 직권정정안내서
Notification of Ex officio Correction
2020.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0187146-18
3 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2021.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2021-1347435-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 기판 상에 제1 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점을 포함하는 양자점 박막을 형성하는 단계;상기 양자점 박막을 스탬프를 이용하여 픽업하는 단계; 및상기 스탬프를 이용하여 상기 양자점 박막을 제2 기판에 전사하는 단계;를 포함하고,상기 스탬프는 제2 극성을 갖는 자가조립 단분자막으로 표면처리된 것을 특징으로 하는 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점의 전사 인쇄 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 양자점 박막을 스탬프를 이용하여 픽업하는 단계는, 쿨롱 인력에 의해 상기 양자점 박막을 픽업하는 것을 특징으로 하는 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점의 전사 인쇄 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 극성을 갖는 리간드는 무기 리간드 및 두 기능기 리간드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점의 전사 인쇄 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 무기 리간드는 금속-칼코게나이드(metal-chalcogenide) 화합물, 금속-할라이드(metal-halide) 화합물, 금속-옥사이드(metal-oxide) 화합물, 칼코게나이드(chalcogenide), 할라이드(halide) 및 슈도할라이드(pseudohalide), 하이드록시 이온 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 두 기능기 리간드는 카르복시기, 아인산기, 하이드록시기, 사이올기, 아민기, 포스핀기 및 산화포스핀기 중 적어도 둘 이상의 작용기가 C1-C24 탄화수소에 결합된 리간드를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 자가조립 단분자막은 아민기(-NH3), 싸이올기(-SH), 테프론기(-CF3), 에폭시기, 선형 및 가지형 알킬기(-R) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 C2 내지 C18의 탄화수소의 백본(backbone)으로 이루어진 실란기를 포함하는 것을 특징으로 하는 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점의 전사 인쇄 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 스탬프는 양각 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점의 전사 인쇄 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 스탬프를 이용하여 상기 양자점 박막을 상기 제2 기판에 전사하는 단계를 진행한 다음,상기 스탬프를 상기 제2 기판으로부터 분리하여 양자점 패턴을 픽업하는 단계; 및상기 스탬프를 이용하여 상기 양자점 패턴을 제3 기판에 전사하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점의 전사 인쇄 방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 양자점 박막은 양자점 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점의 전사 인쇄 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 제2 기판은 음각 트랜치를 포함하는 것을 특징으로 하는 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점의 전사 인쇄 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 스탬프를 이용하여 상기 양자점 박막을 상기 제2 기판에 전사하는 단계를 진행한 다음,상기 스탬프를 상기 제2 기판으로부터 분리하여 양자점 패턴을 픽업하는 단계; 및상기 스탬프를 이용하여 상기 양자점 패턴을 제3 기판에 전사하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점의 전사 인쇄 방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 제2 기판은 표면에서 내부로 들어간 리세스 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점의 전사 인쇄 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 스탬프가 상기 제2 기판으로부터 분리될 때 상기 양자점 박막 중에서 상기 제2 기판과 접촉하는 부분은 상기 제2 기판에 남고, 상기 리세스 영역에 대응하는 부분은 상기 스탬프에 의해 픽업되는 것을 특징으로 하는 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점의 전사 인쇄 방법
14 14
제7항 또는 제10항에 있어서, 상기 양자점 패턴의 너비는 20nm 내지 100mm인 것을 특징으로 하는 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점의 전사 인쇄 방법
15 15
제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점의 전사 인쇄 방법으로 제조된 양자점 박막을 포함하고,상기 양자점 박막은 무기 리간드 및 두 기능기 리간드 중 적어도 어느 하나로 표면처리된 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점을 포함하는 양자점 박막
16 16
제15항에 있어서, 상기 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점을 포함하는 양자점 박막은 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점을 포함하는 양자점 박막
17 17
제15항 또는 제16에 따른 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점을 포함하는 양자점 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자
18 18
제17항에 있어서,상기 전자 소자는 발광소자, 포토디텍터, 트랜지스터, 태양전지 및 메모리소자 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 대구경북과학기술원 미래소재디스커버리지원(R&D) 고해상도 양자점 음각전사 공정과 미세화소 양자점 자발광 소자 기술 개발