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양자 나노리본; 및상기 양자 나노리본의 표면에 결합된 적어도 둘 이상의 리간드; 를 포함하고,상기 적어도 둘 이상의 리간드는 C10 내지 C21의 탄소 길이 차이를 갖는 것을 특징으로 하는 2차원 반도체 양자 나노리본
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제1항에 있어서, 상기 적어도 둘 이상의 리간드 간의 탄소 길이 차이에 따라 용매에 대한 분산도가 조절되는 것을 특징으로 하는 2차원 반도체 양자 나노리본
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제1항에 있어서, 상기 2차원 반도체 양자 나노리본은 단일층인 것을 특징으로 2차원 반도체 양자 나노리본
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제1항에 있어서, 상기 적어도 둘 이상의 리간드는 제1 리간드 및 제2 리간드를 포함하고,상기 제1 리간드는 C3-C10 리간드이며,상기 제2 리간드는 C14-C24 비선형 리간드인 것을 특징으로 하는 2차원 반도체 양자 나노리본
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제4항에 있어서,상기 제1 리간드는 아민, 카복실산, 인산 및 아인산 중 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 제2 리간드는 비선형 아민, 비선형 카복실산, 비선형 인산 및 비선형 아인산 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 2차원 반도체 양자 나노리본
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제1항에 있어서, 상기 적어도 둘 이상의 리간드는 제1 리간드, 제2 리간드 및 제3 리간드를 포함하고,상기 제1 리간드는 C3-C10 리간드이며,상기 제2 리간드는 C14-C24 비선형 리간드이고,상기 제3 리간드는 C3-C24 비선형 리간드인 것을 특징으로 하는 2차원 반도체 양자 나노리본
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제6항에 있어서,상기 제1 리간드는 아민, 카복실산, 인산 및 아인산 중 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 제2 리간드 및 상기 제3 리간드는 비선형 아민, 비선형 카복실산, 비선형 인산, 비선형 아인산 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 2차원 반도체 양자 나노리본
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제1항에 있어서, 상기 양자 나노리본의 길이는 500nm 내지 1000㎛인 것을 특징으로 하는 2차원 반도체 양자 나노리본
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제1항에 있어서, 상기 양자 나노리본의 두께는 1nm 내지 5nm인 것을 특징으로 하는 2차원 반도체 양자 나노리본
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2족 원소 전구체 및 적어도 둘 이상의 리간드를 혼합하여 2족 원소 착화합물을 제조하는 단계;4족 원소 및 상기 적어도 둘 이상의 리간드를 혼합하여 4족 원소 전구체를 제조하는 단계;상기 2족 원소 착화합물 및 상기 4족 원소 전구체를 혼합하여 가열하는 단계; 및상기 가열된 성장 온도에서 양자 나노리본을 성장시키는 단계를 포함하고, 상기 적어도 둘 이상의 리간드는 C10 내지 C21의 탄소 길이 차이를 갖는 것을 특징으로 하는 2차원 반도체 양자 나노리본의 합성 방법
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제10항에 있어서, 상기 적어도 둘 이상의 리간드 간의 탄소 길이 차이에 따라 용매에 대한 분산도가 조절되는 것을 특징으로 하는 2차원 반도체 양자 나노리본의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 2차원 반도체 양자 나노리본은 단일층인 것을 특징으로 2차원 반도체 양자 나노리본의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 가열된 성장 온도는 30 ℃ 내지 180 ℃인 것을 특징으로 하는 2차원 반도체 양자 나노리본의 합성 방법
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제10항에 있어서, 상기 4족 원소 전구제는 셀렌우레아(selenourea), 알킬암모늄 셀레노카바메이트(alkylammonium selenocarbamate), 비스(트리메틸실릴)설파이드(bis(trimethylsilyl)sulfide), 비스(트리메틸실릴셀레나이드(bis(trimethylsilyl)selenide), 비스(트리메틸실릴)텔루라이드(bis(trimethylsilyl)telluride), 트리알킬 포스핀 셀레나이드(trialkyl phosphine selenide), 트리알킬 포스핀 설파이드(trialkyl phosphine sulfide) 및 트리알킬 포스핀 텔루라이드(trialkyl phosphine telluride) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 2차원 반도체 양자 나노리본의 합성 방법
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