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InX계 시드를 포함한 혼합물에 Zn(In)X계 클러스터를 연속 주입하여 형성되는 InX계 코어;상기 혼합물에 셀레늄 화합물 및 아연 전구체를 넣어 상기 InX계 코어 상에 코팅되는 제1 쉘;상기 혼합물에 셀레늄과 황의 화합물 및 아연 전구체를 넣어 상기 제1 쉘 상에 코팅되는 제2 쉘; 및상기 혼합물에 황 화합물 및 아연 전구체를 넣어 상기 제2 쉘 상에 코팅되는 제3 쉘을 포함하는 것을 특징으로 하는다층구조 나노입자
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제1항에 있어서,상기 InX계 코어는 코어 내에 In, Zn, Ga 및 P을 포함하고 코어 표면에 Zn층이 형성되고, 상기 제1 쉘은 ZnSe으로 형성되고, 상기 제2 쉘은 ZnSeS로 형성되며, 상기 제3 쉘은 ZnS로 형성되고,상기 X는 인(P), 비소(As) 또는 안티몬(Sb)을 포함하는 것을 특징으로 하는다층구조 나노입자
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제1항에 있어서,상기 제1 쉘 및 상기 제2 쉘은 단일층 구조 및 멀티층 구조 중 어느 하나의 층 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 다층구조 나노입자
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제1항에 있어서,용매에 아연 전구체 및 음이온을 띄는 염화물을 혼합한 혼합물을 이용하여 상기 제3 쉘의 표면을 패시베이션하도록 형성되는 패시베이션층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는다층구조 나노입자
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5
제4항에 있어서,상기 용매는 옥타놀(1-octanol), 부탄올(1-butanol) 및 데카놀(decanol) 중 어느 하나의 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는다층구조 나노입자
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제5항에 있어서,상기 다층구조 나노입자는 상기 부탄올(1-butanol)이 이용될 경우, 발광반치폭이 36㎚ 이하이고, 최대 광발광 피크의 파장이 531㎚이며, 양자수율은 79%이고, 상기 옥타놀(1-octanol)이 이용될 경우, 발광반치폭이 34㎚ 이하이고, 최대 광발광 피크의 파장이 530㎚이며, 양자수율은 80%이고, 상기 데카놀(decanol)이 이용될 경우, 발광반치폭이 35
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제5항에 있어서,상기 패시베이션층은 상기 염화물이 상기 제3 쉘을 구성하는 아연 표면에 부착되고, 상기 옥타놀(1-octanol), 부탄올(1-butanol) 및 데카놀(decanol) 중 어느 하나의 용매가 부착되어서 상기 제3 쉘의 표면 상에 리간드로 형성되는 것을 특징으로 하는다층구조 나노입자
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제5항에 있어서,상기 다층구조 나노입자는 워싱액에 의해 워싱되고, 상기 워싱의 횟수에 따라 크기가 선택되며, 상기 워싱액의 종류 및 상기 워싱의 횟수에 따라 서로 다른 양자수율과 밸리댑스(valley depth, VD)를 가지는 것을 특징으로 하는다층구조 나노입자
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제8항에 있어서,상기 다층구조 나노입자는 상기 선택된 크기에 따라 최대 광발광 피크의 파장, 발광반치폭 및 양자 수율 중 적어도 하나가 결정되는 것을 특징으로 하는다층구조 나노입자
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제8항에 있어서,상기 워싱액은 에탄올(Etanol), 메탄올(Metanol), 아세톤(Aceton), 이소프로필안티피린(isopropyl, IPA) 및 아세트산 메틸(methyl acetate) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층구조 나노입자
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제1항에 있어서,상기 InX계 코어는 상기 제1 쉘이 코팅되기 이전에 플루오린화수소(hydrofluoric, HF)와 NH4HF2 수용액, KF 수용액, HBF4 수용액 및 NaF 수용액 중 어느 하나의 수용액을 이용하여 표면 에칭(etching)됨에 따라 표면에 InF 리간드가 형성되는 것을 특징으로 하는다층구조 나노입자
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InX계 시드를 포함한 혼합물에 Zn(In)X계 클러스터를 연속 주입하여 InX계 코어를 형성하는 단계;상기 혼합물에 셀레늄 화합물 및 아연 전구체를 넣어 상기 InX계 코어 상에 제1 쉘을 코팅하는 단계;상기 혼합물에 셀레늄과 황의 화합물 및 아연 전구체를 넣어 상기 제1 쉘 상에 제2 쉘을 코팅하는 단계; 및상기 혼합물에 황 화합물 및 아연 전구체를 넣어 상기 제2 쉘 상에 제3 쉘을 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는다층구조 나노입자의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 InX계 코어는 코어 내에 In, Zn, Ga 및 P을 포함하고 코어 표면에 Zn층이 형성되고, 상기 제1 쉘은 ZnSe으로 형성되고, 상기 제2 쉘은 ZnSeS로 형성되며, 상기 제3 쉘은 ZnS로 형성되고,상기 X는 인(P), 비소(As) 또는 안티몬(Sb)을 포함하는 것을 특징으로 하는다층구조 나노입자의 제조 방법
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제12항에 있어서,용매에 아연 전구체 및 음이온을 띄는 염화물을 혼합한 혼합물을 이용하여 상기 제3 쉘의 표면을 패시베이션하도록 패시베이션층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는다층구조 나노입자의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 용매는 옥타놀(1-octanol), 부탄올(1-butanol) 및 데카놀(decanol) 중 어느 하나의 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는다층구조 나노입자의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 다층구조 나노입자는 상기 부탄올(1-butanol)이 이용될 경우, 발광반치폭이 36㎚ 이하이고, 최대 광발광 피크의 파장이 531㎚이며, 양자수율은 79%이고, 상기 옥타놀(1-octanol)이 이용될 경우, 발광반치폭이 34㎚ 이하이고, 최대 광발광 피크의 파장이 530㎚이며, 양자수율은 80%이고, 상기 데카놀(decanol)이 이용될 경우, 발광반치폭이 35
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제15항에 있어서,상기 패시베이션층을 형성하는 단계는,상기 염화물이 상기 제3 쉘을 구성하는 아연 표면에 부착되는 단계; 및상기 옥타놀(1-octanol), 부탄올(1-butanol) 및 데카놀(decanol) 중 어느 하나의 용매가 부착되어서 상기 제3 쉘의 표면 상에 리간드로 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는다층구조 나노입자의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 다층구조 나노입자를 워싱액에 의해 워싱하는 단계를 더 포함하고,상기 다층구조 나노입자를 워싱액에 의해 워싱하는 단계는상기 워싱의 횟수에 따라 상기 다층구조 나노입자의 크기를 선택하는 단계; 및상기 워싱액의 종류 및 상기 워싱의 횟수에 따라 서로 다른 양자수율과 밸리댑스(valley depth, VD)를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는다층구조 나노입자의 제조 방법
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제18항에 있어서,상기 워싱액은 에탄올(Etanol), 메탄올(Metanol), 아세톤(Aceton), 이소프로필안티피린(isopropyl, IPA) 및 아세트산 메틸(methyl acetate) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층구조 나노입자의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 InX계 코어의 표면을 상기 제1 쉘이 코팅되기 이전에 플루오린화수소(hydrofluoric, HF)와 NH4HF2 수용액, KF 수용액, HBF4 수용액 및 NaF 수용액 중 어느 하나의 수용액을 이용하여 표면 에칭(etching)됨에 따라 표면에 InF 리간드를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는다층구조 나노입자의 제조 방법
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