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전 무기기반 표면 리간드 치환에 기반하여 형성된 광활성인 나노입자에 있어서,비카드뮴계 코어와 쉘;상기 비카드뮴계 코어와 쉘의 표면에 리간드로서 결합되는 음이온 리간드; 및상기 음이온 리간드와 결합되는 감광성 양이온 리간드를 포함하고,상기 음이온 리간드는 SnS44, Sn2S64-, SnTe44, AsS33-, NH4S2-, MoS42- 및 WS42- 중 적어도 하나의 음이온 리간드를 포함하는 것을 특징으로 하는나노입자
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제1항에 있어서,상기 나노입자는 470㎚ 내지 570㎚의 파장 범위에서 34㎚ 이하의 반치폭을 나타내고, 상기 470㎚ 내지 570㎚의 파장 범위 중 525㎚에서 최대 발광 피크를 나타내는 것을 특징으로 하는나노입자
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제1항에 있어서,상기 나노입자는 570㎚ 내지 670㎚의 파장 범위에서 34㎚ 이하의 반치폭을 나타내고, 상기 570㎚ 내지 670㎚의 파장 범위 중 625㎚에서 최대 발광 피크를 나타내는 것을 특징으로 하는나노입자
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제1항에 있어서,상기 나노입자는 녹색 화소인 경우, 약 500㎚의 파장에서 최대 흡광도를 나타내는 것을 특징으로 하는나노입자
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제1항에 있어서,상기 나노입자는 적색 화소인 경우, 약 600㎚의 파장에서 최대 흡광도를 나타내는 것을 특징으로 하는나노입자
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제1항에 있어서,상기 나노입자는 녹색 화소인 경우, -75mV 내지 -35mV의 포텐셜 에너지에서 최대 발광 세기를 갖는 것을 특징으로 하는나노입자
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제1항에 있어서,상기 나노입자는 적색 화소인 경우, -50mV 내지 -30mV의 포텐셜 에너지에서 최대 발광 세기를 갖는 것을 특징으로 하는나노입자
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제1항에 있어서,상기 비카드뮴계 코어는 InP 및 InZnP 중 어느 하나로 형성되고,상기 비카드뮴계 쉘은 ZnSe 및 ZnS 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는나노입자
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제1항에 있어서,상기 음이온 리간드는 상기 감광성 양이온 리간드와 이온 쌍(ion-pair)를 이루는 것을 특징으로 하는 나노입자
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제1항에 있어서,상기 비카드뮴계 쉘은 단층 구조 및 다층 구조 중 어느 하나의 구조로, 상기 비카드뮴계 코어의 표면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 나노입자
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제1항에 있어서,상기 감광성 양이온 리간드는 광산 발생제(Photoacid Generator, PAG) 및 양이온성 물질(cationic, Cat) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노입자
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제11항에 있어서,상기 감광성 양이온 리간드는 상기 광산 발생제(Photoacid Generator, PAG)인 경우, ADC(ammonium dithiocarbamate), MTT(5-mercapto-1-methyltetrazole) 및 TDD(1,3,4-thiadiazole-2,5-dithiol) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는나노입자
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제11항에 있어서,상기 감광성 양이온 리간드는 상기 양이온성 물질(cationic, Cat)인 경우, HNT(N-hydroxynaphthalimide triflate), DNQ(1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl chloride) 및 PTA(2-phenyl-2-(5-((tosyloxy)imino)thiophen-2-ylidene)-acetonitrile) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는나노입자
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전 무기기반 표면 리간드 치환에 기반하여 형성된 광활성인 나노입자의 제조 방법에 있어서,비카드뮴계 코어와 쉘을 형성하는 단계;상기 비카드뮴계 코어와 쉘의 표면에 리간드로서 결합되는 음이온 리간드를 결합하는 단계; 및감광성 양이온 리간드를 상기 음이온 리간드와 결합하는 단계를 포함하고,상기 음이온 리간드는 SnS44, Sn2S64-, SnTe44, AsS33-, NH4S2-, MoS42- 및 WS42- 중 적어도 하나의 음이온 리간드를 포함하는 것을 특징으로 하는나노입자의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 나노입자는 470㎚ 내지 570㎚의 파장 범위에서 34㎚ 이하의 반치폭을 나타내고, 상기 470㎚ 내지 570㎚의 파장 범위 중 525㎚에서 최대 발광 피크를 나타내고, 570㎚ 내지 670㎚의 파장 범위에서 34㎚ 이하의 반치폭을 나타내며, 상기 570㎚ 내지 670㎚의 파장 범위 중 625㎚에서 최대 발광 피크를 나타내는 것을 특징으로 하는나노입자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 비카드뮴계 코어와 쉘을 형성하는 단계는,상기 비카드뮴계 코어를 InP 및 InZnP 중 어느 하나로 형성하는 단계; 및상기 비카드뮴계 쉘을 ZnSe 및 ZnS 중 어느 하나로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는나노입자의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 감광성 양이온 리간드를 상기 음이온 리간드와 결합하는 단계는,상기 음이온 리간드와 상기 감광성 양이온 리간드를 이온 쌍(ion-pair)으로 결합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자의 제조 방법
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전 무기기반 표면 리간드 치환에 기반하여 형성된 광활성인 나노입자의 필름을 형성하기 위한 패터닝 방법에 있어서,비카드뮴계 코어와 쉘, 상기 비카드뮴계 코어와 쉘의 표면에 리간드로서 결합되는 음이온 리간드 및 상기 음이온 리간드와 결합되는 감광성 양이온 리간드를 포함하고, 상기 음이온 리간드는 SnS44, Sn2S64-, SnTe44, AsS33-, NH4S2-, MoS42- 및 WS42- 중 적어도 하나의 음이온 리간드를 포함하는 복수의 광활성인 나노입자를 기판 상에 정렬하는 단계;상기 기판 상에 정렬된 복수의 광활성인 나노입자의 적어도 하나의 부분에 방사선을 조사하는 단계;상기 방사선과 상기 감광성 양이온 리간드 사이의 상호작용이 상기 기판 상에 정렬된 복수의 광활성인 나노입자의 화학적 변형을 야기하되, 상기 기판 상에 정렬된 복수의 광활성인 나노입자 중 상기 적어도 하나의 부분을 제외한 나머지 부분이 방사선에 의해 조사되지 않도록 하는 단계;상기 나머지 부분을 용해시키되, 상기 적어도 하나의 부분은 용해시키지 않는 용매를 상기 기판 상에 정렬된 복수의 광활성인 나노입자에 접촉시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는패터닝 방법
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제18항에 있어서,상기 기판 상에 정렬된 복수의 광활성인 나노입자의 적어도 하나의 부분에 방사선을 조사하는 단계는,상기 방사선이 상기 음이온 리간드와 결합되는 감광성 양이온 리간드를 분해시키고 산을 발생시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는패터닝 방법
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제18항에 있어서,상기 방사선은 자외선 및 전자 빔 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는패터닝 방법
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