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저항 브릿지를 형성하는 복수의 자기 저항을 구비하는 자기장 감지부; 상기 복수의 자기 저항의 저항값을 모니터링 하는 자기 저항 모니터링부 및 상기 저항값의 모니터링 결과에 기초하여 상기 저항 브릿지에 구비된 복수의 전류 단자 중 적어도 하나의 단자와 연결된 박막형 가변저항의 저항 값을 조절하는 오프셋 조절부를 포함하는 자기센서
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제1항에 있어서,상기 박막형 가변저항은, 상기 적어도 하나의 단자로부터 제1 방향으로 형성된 제1 박막 저항체와, 상기 제1 박막 저항체 상에 제1 간격으로 형성된 복수의 제1 저항체 전극을 구비하는 제1 가변저항 및 상기 적어도 하나의 단자로부터 제2 방향으로 형성된 제2 박막 저항체와, 상기 제2 박막 저항체 상에 상기 제1 간격보다 좁은 제2 간격으로 형성된 복수의 제2 저항체 전극을 구비하는 제2 가변저항을 포함하는 자기센서
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제2항에 있어서,상기 오프셋 조절부는,상기 저항값의 모니터링 결과에 기초하여 상기 복수의 제1 저항체 전극 중 어느 하나의 전극과, 상기 복수의 제2 저항체 전극 중 어느 하나의 전극을 상기 적어도 하나의 단자에 대응되는 배선에 연결하는자기센서
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제2항에 있어서,상기 박막형 가변저항은, 상기 복수의 제1 저항체 전극 및 상기 복수의 제2 저항체 전극 각각이 1μm 내지 1,000μm의 간격으로 형성되는 자기센서
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제1항에 있어서,상기 박막형 가변저항은, 상기 적어도 하나의 단자로부터 제1 방향으로 형성된 제1 배선에 연결되고 제1 두께로 형성된 제1 박막 저항체와, 상기 제1 박막 저항체 상에 기설정된 간격으로 형성된 복수의 제1 저항체 전극을 구비하는 제1 가변저항 및 상기 적어도 하나의 단자로부터 제2 방향으로 형성된 제2 배선에 연결되고 상기 제1 두께보다 두꺼운 제2 두께로 형성된 제2 박막 저항체와, 상기 제2 박막 저항체 상에 상기 기설정된 간격으로 형성된 복수의 제2 저항체 전극을 구비하는 제2 가변저항을 포함하는 자기센서
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제5항에 있어서,상기 오프셋 조절부는,상기 저항값의 모니터링 결과에 기초하여 상기 복수의 제1 저항체 전극 중 어느 하나의 전극과, 상기 복수의 제2 저항체 전극 중 어느 하나의 전극을 서로 연결하는자기센서
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제1항에 있어서,상기 복수의 자기 저항은, 휘스톤 브릿지(wheatstone bridge)를 구성하고, 상기 복수의 전류 단자와 복수의 전압 단자 사이에 각각에 구비되는 제1 내지 제4 자기 저항을 포함하는 자기센서
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제7항에 있어서,상기 오프셋 조절부는, 상기 저항값의 모니터링 결과에 기초하여, 상기 제1 자기 저항의 저항값에 상기 제3 자기 저항의 저항값을 반영한 결과가 상기 제2 자기 저항의 저항값에 상기 제4 자기 저항의 저항값을 반영한 결과와 일치 되도록 상기 박막형 가변저항의 저항값을 조절하는 자기센서
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제7항에 있어서,상기 자기장 감지부는, 상기 복수의 전압 단자를 통해 출력되는 전압을 모니터링하고, 상기 전압에 대한 모니터링의 결과에 기초하여 자기장의 변화를 감지하는 자기센서
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복수의 자기 저항을 구비하는 저항 브릿지를 형성하는 단계;상기 저항 브릿지에 구비된 복수의 전류 단자 중 적어도 하나의 단자와 연결되는 배선 상에 박막형 가변저항의 제1 박막 저항체와 제2 박막 저항체를 형성하는 단계 및 상기 제1 박막 저항체 상에 복수의 제1 저항체 전극을 형성하고, 상기 제2 박막 저항체 상에 복수의 제2 저항체 전극을 형성하는 단계를 포함하는 자기센서의 제조방법
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