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피리딘계 리간드가 치환된 무기 반도체 양자점에 있어서,상기 피리딘계 리간드는 하기 화학식 1 내지 4로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 무기 반도체 양자점
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제1항에 있어서,상기 양자점은 Cu(In,Ga,Zn)S, Cu(In,Ga)Se, Cu(Zn, Sn)(S,Se), Pb(S,Se) 및Cd(S,Se)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 무기 반도체 양자점
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글래스 기판;상기 글래스 기판 상의 전극층;상기 전극층 상의 산란층;상기 산란층의 금속산화물 입자에 흡착되어 있는 양자점;상기 글래스 기판, 전극층 및 산란층을 포함하는 광전극과 대향하여 배치되는 상대전극; 및상기 광전극과 상대전극 사이에 채워진 전해질을 포함하고,상기 양자점은 신규한 피리딘계 리간드가 치환된 무기 반도체 양자점으로써,상기 피리딘계 리간드는 하기 화학식 1 내지 4로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지
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제3항에 있어서,상기 양자점은 Cu(In,Ga,Zn)S, Cu(In,Ga)Se, Cu(Zn, Sn)(S,Se), Pb(S,Se) 및Cd(S,Se)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 양자점 태양전지
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글래스 기판에 금속산화물 페이스트를 코팅하고 소성하여 전극층을 형성하는 단계;상기 전극층 상에 다른 금속산화물 페이스트를 코팅하고 소성하여 산란층을 형성하는 단계;양자점을 혼합하여 분산한 용액에 상기 전극층 및 산란층을 포함하는 전극을 침지하여 상기 양자점을 상기 산란층의 금속산화물 입자에 흡착시키는 단계; 및상기 양자점이 흡착된 전극과 상대전극을 결합하여 조립하고 전해질을 도입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 양자점은 신규한 피리딘계 리간드가 치환된 무기 반도체 양자점으로써,상기 피리딘계 리간드는 하기 화학식 1 내지 4로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 양자점은 Cu(In,Ga,Zn)S, Cu(In,Ga)Se, Cu(Zn, Sn)(S,Se), Pb(S,Se) 및Cd(S,Se)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 양자점 태양전지의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 양자점을 혼합하여 분산한 용액은,상기 화학식 1 내지 4로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 피리딘계 리간드를 양자점 농도의 0
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