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리튬 이차전지용 음극소재 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2022010876
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 Si계 음극 활물질과; 상기 Si계 음극 활물질의 표면에 ATS (Amino Trimethoxy Silane) SAM 전구체와 FEC(Fluoro Ethylene Carbonate) SAM 전구체가 순차적으로 결합하여 형성된 이중 자기조립단층(double Self assembly monolayer)으로 형성되는 피막층을 포함하는 리튬 이차전지용 음극소재 및 제조방법이 소개된다.
Int. CL H01M 4/36 (2006.01.01) H01M 4/48 (2010.01.01) H01M 4/38 (2006.01.01) H01M 4/62 (2006.01.01) H01M 10/052 (2010.01.01) C01B 33/113 (2006.01.01) B05D 1/18 (2006.01.01) B05D 3/02 (2006.01.01) C23C 14/12 (2006.01.01) C23C 14/22 (2006.01.01) C23C 14/58 (2006.01.01) H01M 4/02 (2006.01.01)
CPC H01M 4/366(2013.01) H01M 4/483(2013.01) H01M 4/386(2013.01) H01M 4/62(2013.01) H01M 4/628(2013.01) H01M 10/052(2013.01) C01B 33/113(2013.01) B05D 1/185(2013.01) B05D 3/0272(2013.01) C23C 14/12(2013.01) C23C 14/223(2013.01) C23C 14/5806(2013.01) H01M 2004/027(2013.01)
출원번호/일자 1020200148477 (2020.11.09)
출원인 현대자동차주식회사, 기아 주식회사, 인천대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0063781 (2022.05.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 현대자동차주식회사 대한민국 서울특별시 서초구
2 기아 주식회사 대한민국 서울특별시 서초구
3 인천대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 연수구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오승민 인천광역시 연수구
2 김익규 경기도 광명시 오리로 ***,
3 여열매 경기도 화성시
4 이윤성 경기도 수원시 권선구
5 이지은 경기도 화성시
6 김사흠 경기도 수원시 팔달구
7 김동준 경기도 성남시 분당구
8 김남형 경상북도 김천시 시청로
9 문준영 인천광역시 연수구
10 박영돈 서울특별시 강동구
11 이수현 인천광역시 미추홀구
12 박준화 인천광역시 연수구
13 홍미화 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 신세기 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로 ***길 **

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2020-1194222-85
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2021.04.01 수리 (Accepted) 4-1-2021-5100876-85
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번호 청구항
1 1
Si계 음극 활물질과;상기 Si계 음극 활물질의 표면에 ATS (Amino Trimethoxy Silane) SAM 전구체와 FEC(Fluoro Ethylene Carbonate) SAM 전구체가 순차적으로 결합하여 형성된 이중 자기조립단층(double Self assembly monolayer)으로 형성되는 피막층을 포함하는 리튬 이차전지용 음극소재
2 2
청구항 1에 있어서,상기 ATS SAM 전구체는 하기의 [화학식 1]로 표현되는 화합물인 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지용 음극소재
3 3
청구항 1에 있어서,상기 Si계 음극 활물질은 Si, SiO 및 Si 합금 중 어느 하나 또는 그 이상인 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지용 음극소재
4 4
청구항 1에 있어서,상기 음극소재의 표면에서의 접촉각(contact angle)은 61
5 5
Si계 음극 활물질, ATS (Amino Trimethoxy Silane) SAM 전구체와 FEC(Fluoro Ethylene Carbonate) SAM 전구체를 준비하는 준비단계; 및준비된 Si계 음극 활물질의 표면에 ATS SAM 전구체와 FEC SAM 전구체를 순차적으로 결합시켜 이중 자기조립단층(double Self assembly monolayer)으로 피막층을 형성하는 피막형성단계;를 포함하는 리튬 이차전지용 음극소재의 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서,상기 준비단계에서,상기 Si계 음극 활물질은 Si, SiO 및 Si 합금 중 어느 하나 또는 그 이상이고,ATS SAM 전구체는 [화학식 1] 로 표현되는 화합물인 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지용 음극소재의 제조방법
7 7
청구항 5에 있어서,상기 피막형성단계는 dip coating방식으로 ATS SAM 전구체와 FEC SAM 전구체를 결합시키는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지용 음극소재의 제조방법
8 8
청구항 7에 있어서,상기 피막형성단계는,톨루엔(Toluene)에 Si계 음극 활물질을 혼합하고 교반하는 제 1 교반과정과;상기 제 1 교반과정에서 교반된 교반물에 ATS SAM 전구체를 혼합하고 교반하는 제 2 교반과정과;상기 제 2 교반과정에서 교반된 교반물에서 과량의 톨루엔을 여과시키는 제 1 여과과정과;과량의 톨루엔이 여과된 교반물을 진공 오븐에서 어닐링하여 Si계 음극 활물질의 표면에 ATS SAM 전구체 성분의 피막을 형성하는 제 1 열처리과정과;표면에 ATS SAM 전구체 성분이 표면에 결합되어 피막이 형성된 Si계 음극 활물과 톨루엔(Toluene)을 혼합하고 교반하는 제 3 교반과정과;상기 제 3 교반과정에서 교반된 교반물에 FEC SAM 전구체를 혼합하고 교반하는 제 4 교반과정과;상기 제 4 교반과정에서 교반된 교반물에서 과량의 톨루엔을 여과시키는 제 2 여과과정과;과량의 톨루엔이 여과된 교반물을 진공 오븐에서 어닐링하여 ATS SAM 전구체 성분이 표면에 결합되어 피막이 형성된 Si계 음극 활물질의 표면에 FEC SAM 전구체 성분이 결합되어 피막을 형성하는 제 2 열처리과정을 포함하는 리튬 이차전지용 음극소재의 제조방법
9 9
청구항 5에 있어서,상기 피막형성단계는 Vapor deposition방식으로 ATS SAM 전구체와 FEC SAM 전구체를 결합시키는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지용 음극소재의 제조방법
10 10
청구항 9에 있어서,상기 피막형성단계는,진공 조건에서 Si계 음극 활물질의 표면에 ATS SAM 전구체 성분을 증착시키는 제 1 증착과정과;표면에 ATS SAM 전구체 성분이 증착된 Si계 음극 활물질을 진공 오븐에서 어닐링하여 Si계 음극 활물질의 표면에 ATS SAM 전구체 성분의 피막을 형성하는 제 1 열처리과정과;진공 조건에서 표면에 ATS SAM 전구체 성분이 표면에 결합되어 피막이 형성된 Si계 음극 활물질의 표면에 FEC SAM 전구체 성분을 증착시키는 제 2 증착과정과;표면에 FEC SAM 전구체 성분이 순차적으로 증착된 Si계 음극 활물질을 진공 오븐에서 어닐링하여 Si계 음극 활물질의 표면에 ATS SAM 전구체 성분과 FEC SAM 전구체 성분이 순차적으로 증착된 피막을 형성하는 제 2 열처리과정을 포함하는 리튬 이차전지용 음극소재의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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1 US20220149380 US 미국 FAMILY

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