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산화갈륨 반도체층;상기 산화갈륨 반도체층 상에 배치된 애노드 전극; 및상기 산화갈륨 반도체층 상에 배치되되, 상기 애노드 전극과 대향되도록 배치된 캐소드 전극을 포함하고,상기 애노드 전극 또는 상기 캐소드 전극은 전도성 산화물층인 것인 자외선 검출 소자
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제1항에 있어서,상기 애노드 전극은 상기 산화갈륨 반도체층과 쇼트키 접합되고, 상기 캐소드 전극은 상기 산화갈륨 반도체층과 오믹 접합되는 것인 자외선 검출 소자
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제1항에 있어서,상기 산화갈륨 반도체층은 n형의 도전성을 갖는 베타-산화갈륨(β-Ga2O3) 반도체층인 것인 자외선 검출 소자
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제3항에 있어서, 상기 산화갈륨 반도체층은,상기 베타-산화갈륨 반도체층인 제1 산화갈륨층; 및상기 제1 산화갈륨층 상에 상기 제1 산화갈륨층에 비해 저농도로 도핑된 제2 산화갈륨층을 포함하는 자외선 검출 소자
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제4항에 있어서,상기 제2 산화갈륨층은 상기 제1 산화갈륨층으로부터 에피택셜 성장된 층인 것인 자외선 검출 소자
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제4항에 있어서,상기 제1 산화갈륨층은 Sn으로 도핑된 베타-산화갈륨층이고, 상기 제2 산화갈륨층은 Si로 도핑된 베타-산화갈륨층인 것인 자외선 검출 소자
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제1항에 있어서,상기 캐소드 전극은 IZTO(Indium Zinc Tin Oxide) 전도성 산화물층이고, 상기 애노드 전극은 ITO(Indium Tin Oxide) 전도성 산화물층인 자외선 검출 소자
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8
제1항에 있어서,상기 애노드 전극은 상기 산화갈륨 반도체층보다 높은 일함수를 갖고, 상기 캐소드 전극은 상기 산화갈륨 반도체층보다 낮은 일함수를 갖는 것인 자외선 검출 소자
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산화갈륨 반도체층을 제공하는 단계;상기 산화갈륨 반도체층 상에 전도성 산화물층인 캐소드 전극을 형성하는 단계; 및상기 산화갈륨 반도체층 상에 상기 캐소드 전극과 대향되도록 전도성 산화물층인 애노드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 자외선 검출 소자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 캐소드 전극은 상기 산화갈륨 반도체층과 쇼트키 접합되고, 상기 애노드 전극은 상기 산화갈륨 반도체층과 오믹 접합되는 것인 자외선 검출 소자의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 산화갈륨 반도체층을 제공하는 단계는,Sn으로 도핑되고, 베타-산화갈륨(β-Ga2O3) 반도체층인 제1 산화갈륨층을 형성하는 단계; 및상기 제1 산화갈륨층 상에 Si로 도핑되고, 상기 제1 산화갈륨층에 비해 저농도로 도핑된 베타-산화갈륨(β-Ga2O3) 반도체층인 제2 산화갈륨층을 형성하는 단계를 더 포함하는 자외선 검출 소자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 캐소드 전극은 IZTO(Indium Zinc Tin Oxide) 전도성 산화물층이고, 상기 애노드 전극은 ITO(Indium Tin Oxide) 전도성 산화물층인 자외선 검출 소자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 캐소드 전극과 상기 애노드 전극이 형성된 상기 산화갈륨 반도체층을 열처리 하는 단계를 더 포함하고,상기 열처리 온도는 상온 초과 100℃ 미만의 온도를 갖는 것인 자외선 검출 소자의 제조방법
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