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금속을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 형성되고, 실리사이드들을 가지는 에미션 층; 및 상기 에미션 층 내부까지 형성되고, 상기 에미션 층의 표면으로부터 돌출된 CNT를 포함하는 전자 방출용 에미터
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제1항에 있어서, 상기 기판의 금속은 Fe, Ni 또는 Co를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출용 에미터
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제2항에 있어서, 상기 에미션 층은 Ni 입자, Si 입자 및 Al2O3 입자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출용 에미터
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제3항에 있어서, 상기 실리사이드들은 상기 Si이 상기 기판의 표면의 금속과 반응하여 형성된 제1 실리사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출용 에미터
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제4항에 있어서, 상기 제1 실리사이드는 FeNiSi 또는 Fe2NiSi를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출용 에미터
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제4항에 있어서, 상기 제1 실리사이드는 기판 상에 기둥 또는 혹 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출용 에미터
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제1항에 있어서, 상기 에미션 층은 Ni 입자, Si 입자 및 Al2O3 입자를 포함하는 페이스트의 열처리에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출용 에미터
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제7항에 있어서, 상기 Ni 입자 및 Si 입자의 환산 부피비는 1 : 4
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제7항에 있어서, 상기 실리사이드는 상기 Ni 입자와 상기 Si 입자가 반응하여 생성된 Ni 실리사이드를 가지는 제2 실리사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출용 에미터
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제9항에 있어서, 상기 제2 실리사이드는 Ni2Si를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출용 에미터
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제9항에 있어서, 상기 제2 실리사이드는 상기 에미션 층 내부의 응집력을 부여하는 것을 특징으로 하는 전자 방출용 에미터
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금속을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 형성된 에미션 층; 및 상기 에미션 층 내부까지 형성되고, 상기 에미션 층의 표면으로부터 돌출된 CNT를 포함하고,상기 에미션 층은 상기 에미션 층의 조성물이 상기 에미션 층의 다른 조성물과 화학적으로 결합되거나, 상기 기판의 조성물과 화학적으로 결합된 구조물을 가지는 것을 특징으로 하는 전자 방출용 에미터
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제12항에 있어서, 상기 에미션 층의 상기 구조물은,상기 에미션 층의 조성물이 상기 기판의 조성물과 화학적으로 반응하여 형성된 제1 실리사이드; 및상기 에미션 층의 조성물이 상기 에미션 층의 다른 조성물과 화학적으로 반응하여 형성된 제2 실리사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출용 에미터
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제13항에 있어서, 상기 제1 실리사이드는 상기 기판의 표면으로부터 기둥 또는 혹 형상으로 형성되고, 상기 제2 실리사이드는 상기 제1 실리사이드의 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출용 에미터
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CNT, 필러 및 바인더를 포함하는 페이스트를 제조하는 단계;금속을 포함하는 기판 상에 상기 페이스트를 도포하는 단계;상기 페이스트에 대한 열처리를 통해 상기 페이스트 내에 실리사이드들을 형성하여 에미션 층을 형성하는 단계; 및상기 에미션 층에 대해 CNT 활성화 공정을 수행하여 상기 에미션 층의 내에 존재하는 상기 CNT를 상기 에미션 층 표면으로부터 돌출시키는 단계를 포함하는 전자 방출용 에미터의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 페이스트를 제조하는 단계는,상기 필러 및 알콜을 혼합하고 습식 볼 밀링을 수행하는 단계;상기 필러 및 상기 알콜의 혼합용액에 CNT를 첨가하여 분산 용액을 형성하는 단계;상기 분산 용액에 진공 여과를 실시하여 상기 알콜을 증발시키고 텍사놀 또는 터피네올을 첨가하여 용매를 교환하는 단계; 및상기 용매가 교환된 용액에 바인더를 첨가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출용 에미터의 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 바인더는 에틸 셀룰로스인 것을 특징으로 하는 전자 방출용 에미터의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 페이스트를 제조하는 단계는,텍사놀 또는 터피네올에 상기 필러를 혼합하고 지르코니아 볼을 넣고 제1 믹싱을 수행하는 단계;상기 제1 믹싱의 혼합용액에 CNT를 첨가하고 제2 믹싱을 수행하는 단계; 및상기 CNT의 혼합용액에 바인더를 첨가하고 제3 믹싱을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출용 에미터의 제조방법
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제18항에 있어서, 상기 바인더는 에틸 셀룰로스인 것을 특징으로 하는 전자 방출용 에미터의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 페이스트를 도포하는 단계는,상기 페이스트를 스크린 프린팅을 이용하여 기판 상에 도포하는 단계;상기 기판 상에 도포된 상기 페이스트를 건조하는 단계; 및상기 건조된 페이스트를 소성하여 유기물을 제거하는 단계를 포함하는 전자 방출용 에미터의 제조방법
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제20항에 있어서, 상기 건조된 페이스트의 소성은 380 ℃ 내지 430 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전자 방출용 에미터의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 페이스트에 대한 열처리는 진공 분위기에서 750 ℃ 내지 950 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전자 방출용 에미터의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 필러는 Ni 입자, Si 입자 및 Al2O3 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출용 에미터의 제조방법
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제23항에 있어서, 상기 기판은 Fe, Co 또는 Ni를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출용 에미터의 제조방법
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제24항에 있어서, 상기 실리사이드들은 상기 Si 입자의 Si가 상기 기판의 Fe, Co 또는 Ni와 결합하거나 Fe, Co와 Ni 중 2종 이상과 복합적으로 결합하여 형성된 제1 실리사이드 및 상기 Si 입자의 Si가 상기 필러의 Ni 입자의 Ni와 결합하여 형성된 제2 실리사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출용 에미터의 제조방법
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제25항에 있어서, 상기 제1 실리사이드는 상기 기판의 표면으로부터 기둥 또는 혹 형상으로 형성되고, 상기 제2 실리사이드는 상기 제1 실리사이드의 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출용 에미터의 제조방법
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