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금속 산화물 나노튜브; 상기 금속 산화물 나노튜브 상에 형성된 금속 나노입자;를 포함하며, 상기 금속 나노입자가 형성된 금속 산화물 나노튜브는 550 nm 내지 650 nm의 파장을 흡수한 것인, 골형성 촉진 조성물
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제 1 항에 있어서, 상기 골형성 촉진 조성물 100 중량부에 있어서, 상기 금속 나노입자가 10 중량부 내지 30 중량부로 포함되는 것인, 골형성 촉진 조성물
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노튜브의 직경은 30 nm 내지 100 nm인 것인, 골형성 촉진 조성물
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노튜브는 티타늄, 텅스텐, 아연, 니오븀, 지르코늄 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 금속을 포함하는 것인, 골형성 촉진 조성물
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 나노입자는 금, 백금, 팔라듐, 은 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 귀금속을 포함하는 것인, 골형성 촉진 조성물
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제 1 항에 있어서, 상기 조성물은 ALP(alkaline phosphatase) 활성을 증가시키는 것인, 골형성 촉진 조성물
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금속 시트를 산화 및 열처리하여 금속 산화물 나노튜브를 성장시키는 단계; 상기 금속 산화물 나노튜브 상에 금속 나노입자를 형성하는 단계; 및상기 금속 나노입자가 형성된 금속 산화물 나노튜브 상에 가시광선을 조사하는 단계;를 포함하는, 골형성 촉진 조성물의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 금속 나노입자를 형성하는 단계는 이온 플라즈마 스퍼터링에 의해 수행되는 것인, 골형성 촉진 조성물의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 가시광선은 550 nm 내지 650 nm의 파장인 것인, 골형성 촉진 조성물의 제조 방법
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금속 산화물 나노튜브; 상기 금속 산화물 나노튜브 상에 형성된 금속 나노입자;를 포함하며, 상기 금속 나노입자가 형성된 금속 산화물 나노튜브는 550 nm 내지 650 nm의 파장을 흡수한 것인, 임플란트
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