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나이오베이트계 비납 양이온 치환 화합물의 설계방법

  • 기술번호 : KST2022011196
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 계산재료과학적 방법을 통한 비납 나이오베이트계 양이온 치환 화합물의 설계 방법에 관한 것으로써, 계산재료과학적 방법을 통해 비납 나이오베이트계 양이온 치환 화합물을 설계하는 방법으로 설계하여, 매우 다양한 조성과 원자구조를 가지는 물질들을 설계 및 탐색할 수 있게 되며, 제일원리 밀도범함수법을 이용하여 전자구조 시뮬레이션을 통하여 비납계 페로브스카이트의 특정물성을 정량적으로 분석하며, 물리/화학 정보 추출 및 특정물성과 관련 파라미터를 제공하여 더욱 체계적이고도 효율적으로 나이오베이트계(Nb) 비납 양이온 치환 화합물을 도출할 수 있는 장점이 있다.
Int. CL G16C 20/10 (2019.01.01) G16C 20/70 (2019.01.01) G16C 20/30 (2019.01.01) H01L 41/187 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020210178595 (2021.12.14)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0085034 (2022.06.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020200174102   |   2020.12.14
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.12.14)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손알로이시우스 서울특별시 서대문구
2 황우현 경기도 용인시 수지구
3 오승현 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한)아이시스 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로**길**, **층, **층(코아렌빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2021-1447224-78
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번호 청구항
1 1
열역학적으로 안정한 구조를 갖는 나이오베이트계 양이온 초기 치환 화합물을 설계하는 단계;상기 나이오베이트계 양이온 초기 치환 화합물의 특정물성을 제어할 수 있는 경계조건을 설정하는 단계;상기 경계조건을 기준으로, 특정물성의 제어 가능성이 높은 치환 양이온을 선별하는 단계;상기 특성물성과 관련있는 핵심인자(feature)를 선별하는 단계; 및상기 핵심인자를 기준으로 나이오베이트계 양이온 치환 화합물을 설계하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나이오베이트계(Nb) 비납 양이온 치환 화합물 설계방법
2 2
제1항에 있어서,상기 나이오베이트계 양이온 초기 치환 화합물을 설계하는 단계는나이오베이트계 초기 치환화합물에 치환된 치환 양이온의 함량에 따른 화합물의 구조를 설정하는 단계;상기 설정된 구조, 치환 양이온의 함량, 및 치환 양이온의 종류에 따라 제1 원리 계산(Ab initio quantum chemistry methods)을 수행하는 단계; 및상기 제1 원리 계산에 따라 열역학적으로 안정한 구조를 갖는지 여부를 판단하는 단계;를 포함하는 것인 나이오베이트계(Nb) 비납 양이온 치환 화합물 설계방법
3 3
제2항에 있어서,상기 구조를 설정하는 단계는 특수 준밀집 구조(special quasi-random structure; SQS) 방법을 통해 설정하는 것인 나이오베이트계(Nb) 비납 양이온 치환 화합물 설계방법
4 4
제2항에 있어서,상기 치환 양이온의 종류는 리튬(Li), 나트륨(Na), 루비듐(Rb), 및 세슘(Cs)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것인 나이오베이트계(Nb) 비납 양이온 치환 화합물 설계방법
5 5
제2항에 있어서,상기 제1 원리 계산(Ab initio quantum chemistry methods)을 수행하여, 혼합의 헬름홀츠 자유 에너지(Helmholtz free energy of mixing; ΔFmix)를 계산하는 것인 나이오베이트계(Nb) 비납 양이온 치환 화합물 설계방법
6 6
제5항에 있어서,상기 혼합의 헬름홀츠 자유 에너지(ΔFmix)가 음수일 때 열역학적으로 안정한 구조인 것을 확인하는 것인 나이오베이트계(Nb) 비납 양이온 치환 화합물 설계방법
7 7
제1항에 있어서,상기 특정물성을 제어할 수 있는 경계조건을 설정하는 단계는특정물성과 관련된 물성인자를 정량적으로 분석하는 단계; 및상기 분석된 내용을 통해 특정물성을 제어하는 제어특성이 상이하게 되는 경계조건을 설정하는 단계;를 포함하는 것인 나이오베이트계(Nb) 비납 양이온 치환 화합물 설계방법
8 8
제7항에 있어서,상기 특성물성은 정전기적 물성인 것인 나이오베이트계(Nb) 비납 양이온 치환 화합물 설계방법
9 9
제7항에 있어서,상기 특정물성과 관련된 물성인자를 정량적으로 분석하는 단계는자발분극을 밀도범함수 이론(Density functional theory, DFT)에 기반한 베리 위상 계산을 통해 정량적으로 분석하는 것인 나이오베이트계(Nb) 비납 양이온 치환 화합물 설계방법
10 10
제7항에 있어서,상기 경계조건은 골드슈미트 공차계수(Goldschmidt tolerance factor)가 1초과 또는 1 미만으로 나뉘는 것인 나이오베이트계(Nb) 비납 양이온 치환 화합물 설계방법
11 11
제10항에 있어서,상기 특정물성의 제어 가능성이 높은 경계조건은 골드슈미트 공차계수(Goldschmidt tolerance factor)가 1 미만인 것인 나이오베이트계(Nb) 비납 양이온 치환 화합물 설계방법
12 12
제1항에 있어서,상기 특성물성과 관련있는 핵심인자(feature)를 선별하는 단계는특성물성에 대한 여러가지 인자들을 추출하는 단계;상기 추출된 인자들로부터 특성물성에 영향을 미치는 상관관계를 정량화하는 단계; 및상기 정량화된 내용으로부터 상관관계가 0
13 13
제12항에 있어서,상기 여러가지 인자들은치환 양이온의 복합가중평균이온반지름, 전기음성도, 이온반지름, 원자분극, 원자부피, 및 원자이온화에너지로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것인 나이오베이트계(Nb) 비납 양이온 치환 화합물 설계방법
14 14
제12항에 있어서,상기 정량화는 피어슨 상관계수 방법(Pearson correlation coefficient), 및 스피어만 상관계수 방법(Spearman correlation coefficient)으로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 방법으로 정량화 하는 것인 나이오베이트계(Nb) 비납 양이온 치환 화합물 설계방법
15 15
제12항에 있어서,상기 핵심인자를 기준으로 나이오베이트계 양이온 치환 화합물을 설계하는 단계에서,상기 핵심인자가 복수인 경우,상관관계가 더 높은 핵심인자에 해당하는 치환 양이온의 ?량을, 치환 양이온 전체 100몰% 기준, 50몰%을 초과하여 포함하는 것인 나이오베이트계(Nb) 비납 양이온 치환 화합물 설계방법
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패밀리정보가 없습니다
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1 과학기술정보통신부 연세대학교 원천기술개발사업 X9R 초과 MLCC용 원천소재 기술개발