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타겟 박테리오파지의 감지방법, 선별 방법, 배양방법 그리고 선별 및 동정 방법

  • 기술번호 : KST2022011245
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 타겟 박테리오파지의 감지 방법이 개시된다. 타겟 박테리오파지의 감지 방법은 도전성 나노아일랜드들이 형성된 기판 표면에 타겟 박테리오파지와 선택적으로 반응하는 숙주 박테리아 또는 이의 외막을 고정시키는 단계; 상기 숙주 박테리아 또는 이의 외막이 고정된 기판 표면을 검출 시료로 처리하는 단계; 및 표면 플라즈몬 공명(SPR) 방식으로 상기 검출 시료에 상기 타겟 박테리오파지가 존재하는지 여부를 감지하는 단계를 구비한다.
Int. CL C12Q 1/70 (2006.01.01) G01N 33/68 (2006.01.01) G01N 21/552 (2014.01.01)
CPC C12Q 1/70(2013.01) G01N 33/6851(2013.01) G01N 21/554(2013.01)
출원번호/일자 1020210001312 (2021.01.06)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0099274 (2022.07.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.01.06)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 변재철 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2021-0014088-97
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2021.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2021-0024631-69
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.08.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
도전성 나노아일랜드들이 형성된 기판 표면에 타겟 박테리오파지와 선택적으로 반응하는 숙주 박테리아 또는 이의 외막을 고정시키는 제1 단계; 상기 숙주 박테리아 또는 이의 외막이 고정된 기판 표면을 검출 시료로 처리하는 제2 단계; 및 표면 플라즈몬 공명(SPR) 방식으로 상기 검출 시료에 상기 타겟 박테리오파지가 존재하는지 여부를 감지하는 제3 단계를 포함하는, 타겟 박테리오파지의 감지 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 도전성 나노아일랜드들은 금속, 준금속, 합금 또는 도전성 금속 산화물로 형성된 것을 특징으로 하는, 타겟 박테리오파지의 감지 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 숙주 박테리아는 링커(linker) 화합물을 통해 상기 기판의 표면에 고정되는 것을 특징으로 하는, 타겟 박테리오파지의 감지 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 숙주 박테리아의 외막은 그람음성균(gram-negative bacteria)의 세포외막(outer membrane)을 포함하고,상기 제1 단계에서 상기 세포외막은 소수성 처리된 상기 기판의 표면에 코팅층을 형성하는 것을 특징으로 하는, 타겟 박테리오파지의 감지 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 제3 단계에서, 상기 검출시료가 처리된 기판에 광을 조사하여 상기 도전성 나노아일랜드의 표면에 야기되는 표면 플라즈몬파의 공명 파장 또는 공명 각도의 변화를 측정함으로써 상기 검출 시료에 상기 타겟 박테리오파지가 존재하는지 여부를 판별하는 것을 특징으로 하는, 타겟 박테리오파지의 감지 방법
6 6
기판 표면에 타겟 박테리오파지와 선택적으로 반응하는 숙주 박테리아 또는 이의 외막을 고정시키는 제1 단계; 및상기 숙주 박테리아 또는 이의 외막이 고정된 기판 표면을 상기 타겟 박테리오파지를 함유하는 검출 시료로 처리하는 제2 단계; 및상기 검출 시료 중 미반응 물질을 제거하는 제3 단계를 포함하고,상기 제2 단계에서 상기 검출 시료에 포함된 타겟 박테리오파지는 상기 숙주 박테리아 또는 이의 외막과 반응하여, 상기 제3 단계에서 제거되지 않고 잔존하는 것을 특징으로 하는, 타겟 박테리오파지의 선별 방법
7 7
기판 표면에 타겟 박테리오파지와 선택적으로 반응하는 숙주 박테리아 또는 이의 외막을 고정시키는 제1 단계;상기 숙주 박테리아 또는 이의 외막이 고정된 기판 표면을 상기 타겟 박테리오파지를 함유하는 검출 시료로 처리하는 제2 단계;상기 검출 시료 중 미반응 물질을 제거하는 제3 단계; 및상기 숙주 박테리아 또는 이의 외막에 상기 타겟 박테리오파지가 반응된 기판을 상기 숙주 박테리아의 배양액에 투입하여 상기 타겟 박테리오파지를 배양하는 제4 단계를 포함하는, 타겟 박테리오파지의 배양 방법
8 8
제6항 또는 제7항에 있어서,상기 숙주 박테리아의 외막은 그람음성균(gram-negative bacteria)의 세포외막(outer membrane)을 포함하고,상기 제1 단계에서 상기 세포외막은 소수성 처리된 상기 기판의 표면에 코팅층을 형성하는 것을 특징으로 하는, 타겟 박테리오파지의 선별 또는 배양 방법
9 9
기판 표면에 타겟 박테리오파지와 선택적으로 반응하는 숙주 박테리아 또는 이의 외막을 고정시키는 제1 단계; 상기 숙주 박테리아 또는 이의 외막이 고정된 기판 표면을 상기 타겟 박테리오파지를 함유하는 검출 시료로 처리하는 제2 단계; 및 레이저 탈착 및 이온화 질량분석법(Laser Desorption/Ionization Mass Spectrometry, LDI-MS)을 통해 상기 숙주 박테리아 또는 이의 외막에 결합된 타겟 박테리오파지를 동정하는 제3 단계를 포함하는, 타겟 박테리오파지의 선별 및 동정 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 제3 단계는 무기 매트릭스를 이용한 레이저 탈착 및 이온화 질량분석법(LDI-MS)을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는, 타겟 박테리오파지의 선별 및 동정 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 무기 매트릭스는 반도체 나노선 및 상기 반도체 나노선 표면에 결합된 다공성 금속 나노입자를 포함하는 것을 특징으로 하는, 타겟 박테리오파지의 선별 및 동정 방법
12 12
제10항에 있어서,상기 반도체 나노선은 이산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO), 이산화지르코늄(ZrO2) 또는 삼산화텅스텐(WO3)으로 형성되고,상기 다공성 금속 나노입자는 금(Au)으로 형성된 것을 특징으로 하는, 타겟 박테리오파지의 선별 및 동정 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.