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레이저 에너지를 분석 대상물에 전달하여 상기 분석 대상물의 탈착(Desorption) 및 이온화(Ionization)를 유도하는 매트릭스에 있어서,반도체 나노선; 및 상기 반도체 나노선 표면에 결합된 다공성 금속 나노입자를 포함하는, 무기 복합 매트릭스
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제1항에 있어서, 상기 반도체 나노선은 이산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO), 이산화지르코늄(ZrO2) 및 삼산화텅스텐(WO3)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 반도체 재료로 형성된 것을 특징으로 하는, 무기 복합 매트릭스
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제1항에 있어서, 상기 다공성 금속 나노입자는 표면 또는 내부에 기공이 형성되고, 표면에 결합된 댕글링 결합을 구비하는 것을 특징으로 하는, 무기 복합 매트릭스
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제1항에 있어서, 상기 반도체 나노선과 상기 다공성 금속 나노입자의 계면에 쇼트키 전위 장벽이 형성된 것을 특징으로 하는, 무기 복합 매트릭스
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제1항에 있어서, 상기 다공성 금속 나노입자는 20 내지 200 nm의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는, 무기 복합 매트릭스
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제1항에 있어서, 상기 반도체 나노선과 상기 다공성 금속 나노입자의 무게비율은 1:0
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반도체 나노선을 제조하는 제1 단계; 상기 반도체 나노선 상에 제1 금속의 박막 및 제2 금속의 박막을 순차적으로 형성하는 제2 단계; 열처리를 통해 상기 반도체 나노선 표면에 상기 제1 금속과 상기 제2 금속의 합금 나노입자를 형성하는 제3 단계; 및 상기 합금 나노입자로부터 상기 제1 및 2 금속 중 하나를 화학적으로 용해시킴으로써 다공성 금속 나노입자를 형성하는 제4 단계를 포함하는, 무기 복합 매트릭스의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 제1 금속 및 제2 금속은 금(Au) 및 은(Ag)을 각각 포함하고,상기 제4 단계에서 상기 은(Ag)이 선택적으로 용해되는 것을 특징으로 하는, 무기 복합 매트릭스의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 금의 박막과 상기 은의 박막은 1:1
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제8항에 있어서, 상기 금의 박막은 3 내지 7nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는, 무기 복합 매트릭스의 제조방법
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무기 복합 매트릭스가 위치하는 기판에 스폿 영역에 분석 대상물을 포함하는 시료를 적하는 단계;상기 무기 복합 매트릭스에 레이저를 인가하여 상기 분석 대상물의 탈착 및 이온화를 유도하는 단계; 및상기 이온화된 분석 대상물을 질량분석하는 단계를 포함하고,상기 무기 복합 매트릭스는, 반도체 나노선; 및 상기 반도체 나노선 표면에 결합된 다공성 금속 나노입자를 포함하는 것을 특징으로 하는, 분석 대상물의 질량분석 방법
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