| 1 |
1
제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 저항 변화층을 포함하며, 상기 저항 변화층은 LaNiO3을 포함하고, 상기 저항 변화층은 상기 제1 전극의 면적에 따라 저항값이 변하는 것을 특징으로 하고,상기 제1 전극의 면적은 1
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 저항 변화층은 셋 전압(set voltage) 또는 리셋 전압(reset voltage)의 크기에 따라 저항값이 변하는 것을 특징으로 하는 멀티레벨 저항변화 메모리 소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 제2 전극은 산소 반응성이 있는 금속 또는 금속 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티레벨 저항변화 메모리 소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 제2 전극은 산소 반응성이 있는 금속 또는 금속 합금을 포함하고 상기 저항 변화층과 접촉하는 하층; 및 상기 하층의 금속 또는 금속 합금과는 상이한 배선용 금속 또는 금속 합금을 포함하는 상층을 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티레벨 저항변화 메모리 소자
|
| 6 |
6
제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 산소 반응성이 있는 금속 또는 금속 합금은 TiN, TaN, Ti, 또는 Ta 인 것을 특징으로 멀티레벨 저항변화 메모리 소자
|
| 7 |
7
제6항에 있어서, 상기 제1 전극은 Al, W, Cu, Pt, Ir, Au, 또는 Ru를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티레벨 저항변화 메모리 소자
|
| 8 |
8
기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 LaNiO3 을 포함하는 저항 변화층을 형성하는 단계;상기 저항 변화층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 전극의 면적은 1
|
| 9 |
9
제8항에 있어서, 상기 저항 변화층은 10 내지 30%의 산소 분압 조건에서 DC/RF 동시 인가 스퍼터링에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 멀티레벨 저항변화 메모리 소자의 제조 방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서, 상기 DC/RF 동시인가 스퍼터링은 50 내지 200 W 범위의 DC와 50 내지 200 W 범위의 RF 를 이용하는 것을 특징으로 하는 멀티레벨 저항변화 메모리 소자의 제조 방법
|
| 11 |
11
제8항에 있어서, 상기 저항 변화층을 리프트-오프(lift-off) 방식에 의해 패터닝하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티레벨 저항변화 메모리 소자의 제조 방법
|
| 12 |
12
제1항에 기재된 멀티레벨 저항변화 메모리 소자를 포함하는 메모리 장치
|
| 13 |
13
제12항에 있어서, 크로스 포인트 어레이 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
|
