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실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막을 선택적으로 식각하기 위한 식각 조성물로, 상기 식각 조성물 총 중량 기준, 30 내지 95중량%의 인산, 0
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제 1항에 있어서,상기 유기산은,방향족 유기산인 식각 조성물
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제 2항에 있어서,상기 유기산은,벤조산을 포함하는 것인 식각 조성물
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제 1항에 있어서,상기 식각 조성물은,아미노산계 화합물, 불소계 화합물 또는 이들의 조합을 더 포함하는 것인 식각 조성물
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제 1항에 있어서,상기 식각 조성물은,킬레이팅제를 더 포함하는 것인 식각 조성물
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제 1항에 있어서,상기 식각 조성물은,유기 용매를 더 포함하는 것인 식각 조성물
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제 1항에 있어서,상기 식각 조성물은,규소계 화합물을 실질적으로 포함하지 않는 것인 식각 조성물
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제 1항에 있어서,상기 식각 조성물은,실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막 식각 선택비가 50 내지 1000인 식각 조성물
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제 1항에 있어서,상기 식각 조성물은,실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 단위층으로 하는 수직 적층구조에서, 상기 실리콘 산화막의 내부 두께(Ti) 대비 외부 두께(T-o)가 하기 식1을 만족하는 것인 식각 조성물:[식1]0
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제 1항 내지 제 9항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 식각 조성물을 이용하여, 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막을 선택적으로 식각하는 단계;를 포함하는 식각방법
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제 11항에 있어서,상기 식각 조성물의 식각대상은,상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막이 모두 표면에 노출된 웨이퍼; 또는상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 단위층으로 하는 적층구조의 웨이퍼인 식각방법
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제 11항에 있어서,상기 식각방법은,100 ℃ 이상의 고온 식각을 위한 것인, 식각방법
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제 1항 내지 제 9항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 식각 조성물을 이용하는 반도체 소자의 제조방법
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