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제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 스위칭 층을 포함하며,상기 스위칭 층은 지르코늄(Zr)-도핑된 갈륨텔루라이드계 물질을 포함하고,상기 스위칭 층의 문턱 전압(Vth)이 지르코늄의 도핑 농도가 증가함에 따라 높아지는 것을 특징으로 하는 선택 소자
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제1항에 있어서, 상기 갈륨텔루라이드계 물질에 도핑되는 지르코늄의 도핑 농도는 0 at
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제1항에 있어서, 상기 문턱 전압(Vth)의 조절 윈도우가 1
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제1항에 있어서, 상기 스위칭 층의 두께는 2 내지 300 nm 이하인 것을 특징으로 하는 선택 소자
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제1항에 있어서, 상기 지르코늄-도핑된 갈륨텔루라이드계 물질은 Ga: Te 의 원자비가 1:1 내지 2:3
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제7항에 있어서, 상기 지르코늄-도핑된 갈륨텔루라이드계 물질은 지르코늄-도핑된 GaxTey (여기서, x = 2, y = 3 초과 3
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제1항에 있어서, 상기 지르코늄-도핑된 갈륨텔루라이드계 물질은 무정형(amorphous)인 것을 특징으로 하는 선택 소자
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제1항에 있어서, 저항 변화 메모리 소자에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 선택 소자
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제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 스위칭 층을 형성하는 단계; 및 상기 스위칭 층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 선택 소자의 제조 방법으로서, 여기서 상기 스위칭 층은 지르코늄-도핑된 갈륨텔루라이드계 물질을 포함하고, 상기 선택 소자의 문턱 전압(Vth)이 상기 지르코늄의 도핑 농도가 증가함에 따라 높아지는 것인 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 스위칭 층을 형성하는 단계는 갈륨텔루라이드계 물질에 지르코늄(Zr)을 스퍼터링함으로써 수행되고, 상기 지르코늄의 도핑 농도는 상기 스퍼터링 조건에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 스위칭 층을 형성하는 단계는 Ga2Te 에 지르코늄(Zr)과 텔루륨(Te)을 공동으로 스퍼터링(co-sputtering)하여 지르코늄-도핑된 GaxTey (여기서, x = 2, y = 3 초과 3
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지르코늄(Zr)-도핑된 갈륨텔루라이드계 물질을 포함하는 스위칭 층을 포함하고 상기 스위칭 층의 문턱 전압(Vth)이 지르코늄의 도핑 농도가 증가함에 따라 높아지는 선택 소자; 및상기 선택 소자에 전기적으로 연결된 저항 변화형 메모리 소자를 포함하는, 메모리 장치
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제14항에 있어서, 크로스 포인트 어레이 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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