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실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막을 선택적으로 식각하기 위한 식각 조성물로,상기 식각 조성물 총 중량 기준, 유기포스폰산기, 카르복실산기 또는 이들의 조합을 포함하는 유기산계 킬레이트제를 5 내지 50 중량%로 포함하는 가압용 식각 조성물
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제 1항에 있어서,상기 유기산계 킬레이트제는,시트르산, 타타르산, 에틸렌디아민테트라아세트산, 디에틸렌트리아민펜타아세트산, N-(히드록시에틸)에틸렌디아민트리아세트산, 니트릴로트리아세트산, 에틸렌디아민디석신산 및 이들의 염에서 선택되는 하나 또는 둘이상인, 식각 조성물
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제 1항에 있어서,상기 유기산계 킬레이트제는,에틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰산), 아미노트리스(메틸렌포스폰산), 디에틸렌트리아민-펜타(메틸렌포스폰산), 에티드론산 및 이들의 염에서 선택되는 하나 또는 둘이상인, 식각 조성물
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제 1항에 있어서,상기 유기산계 킬레이트제는,포스포노부탄-3-카르복실산, N-(포스포노메틸)이미노디아세트산, 2-카르복시에틸포스폰산, 2-하이드록시포스포노아세트산 및 이들의 염에서 선택되는 하나 또는 둘이상인, 식각 조성물
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제 1항에 있어서,상기 식각 조성물은,2 내지 220 기압에서 사용되는 것인, 식각 조성물
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제 1항에 있어서,하기 (A) 내지 (C)를 만족하는, 식각 조성물:(A)상기 유기산계 킬레이트제 10 내지 50중량% 및 잔량의 물을 포함하고,(B)상기 실리콘 질화막의 식각속도는 35Å/분 이상이고,(C)상기 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막의 식각 선택비는 40이상이다
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제 6항에 있어서,하기 (D)를 만족하는 식각 조성물:(D)상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 단위층으로 하는 수직 적층구조에서, 상기 실리콘 산화막의 내부 두께(Ti) 대비 외부 두께(To)가 하기 식1을 만족한다
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제 1항에 있어서,수산화물, 불소계 화합물 또는 이들의 조합을 더 포함하는 것인, 식각 조성물
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제 8항에 있어서,염산, 질산, 황산, 아세트산 및 붕산에서 선택되는 무기산; 및하기 화학식1로 표시되는 실리콘계 화합물;을 더 포함하는, 식각 조성물:[화학식1]상기 화학식1에서,R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 히드록시, C1~C20 알킬, C1~C20 아미노알킬, C1~C20 알콕시, C1~C20 아세틸옥시 또는 C1~C20 할로알킬아세틸옥시이다
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제 9항에 있어서,하기 (A') 내지 (D')를 만족하는, 식각 조성물:(A')상기 유기산계 킬레이트제 10 내지 50중량% 및 잔량의 물을 포함하고,(B')상기 실리콘 질화막의 식각속도는 40Å/분 이상이고,(C')상기 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막의 식각 선택비는 400이상이고,(D')상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 단위층으로 하는 수직 적층구조에서, 상기 실리콘 산화막의 내부 두께(T'i) 대비 외부 두께(T'o)가 하기 식2를 만족한다
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제 1항에 있어서,상기 식각 조성물은,비인산계인, 식각 조성물
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제 1항 내지 제 11항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 식각 조성물을 이용하여, 가압조건 하에서 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막을 선택적으로 식각하는 단계;를 포함하는 식각방법
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제 12항에 있어서,상기 식각 조성물의 식각대상은,상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막이 모두 표면에 노출된 웨이퍼; 또는상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 단위층으로 하는 적층구조의 웨이퍼인, 식각방법
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제 12항에 있어서,상기 가압조건은,2 내지 220 기압에서 수행되는 것인, 식각방법
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제 12항에 있어서,상기 식각방법은,100 ℃ 이상의 고온 식각을 위한 것인, 식각방법
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제 12항에 따른 식각방법을 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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