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하기 식 1 및 식 2를 만족하며, 막의 표면 기준 평균 직경이 200 내지 500nm인 그레인(grain)이 막의 두께 방향으로 막을 관통하는 컬럼 구조(columnar structure)를 가지며, 1x1014 내지 5x1015의 트랩 밀도(trap density, cm-3)를 갖는 유사 단결정체인 유-무기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막
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제 1항에 있어서,두께가 300 내지 1000nm인 유-무기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막
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제 1항 또는 제 5항에 있어서,상기 유-무기 하이브리드 페로브스카이트 화합물은 1가의 양이온으로 유기 양이온, 무기 양이온 또는 이들의 혼합 이온, 2가의 금속 양이온 및 1가의 음이온을 함유하는 유-무기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막
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제 7항에 있어서,상기 1가의 양이온은 유기 암모늄계 이온, 아미디니움계 이온 및 1가의 무기 양이온에서 하나 또는 둘 이상 선택되며, 상기 2가의 금속 양이온은 Pb2+, Sn2+, Ge2+, Cu2+, Co2+, Ni2+, Ti2+, Zr2+, Hf2+, Rf2+, Fe2, Mn2, Cr2, Eu2 및 Yb2 군에서 하나 또는 둘 이상 선택되며, 상기 1가의 음이온은 I-, Br-, F-, Cl-, SCN-, CN-, NCO- 및 BF4- 군에서 하나 또는 둘 이상 선택되는 유-무기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막
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제 1항 또는 제 5항에 있어서,50cm2 이상의 면적을 갖는 유-무기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막
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제 1항 또는 제 5항에 따른 유-무기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막을 포함하는 소자
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제 10항에 있어서,상기 소자는 광발전 소자, 전자 소자, 발광 소자, 메모리 소자 또는 센서인 소자
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