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제1 및 제2전극; 및상기 제1 및 제2전극 사이에 위치하는 고분자 이온젤과 상기 고분자 이온젤에 인입되는 강유전체를 함유하는 센싱부;를 포함하는, 촉각센서
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제1항에 있어서,상기 고분자 이온젤은 고분자 및 이온성 액체를 포함하며,상기 고분자는 PVDF계 공중합체 또는 상기 이온성 액체에 용해성을 가지는 블록을 포함하는 블록공중합체를 포함하고,상기 이온성 액체는 [EMIM][TFSI](Ethyl- methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide)을 함유하는, 촉각센서
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제1항에 있어서,상기 이온성 액체에 용해성을 가지는 블록을 포함하는 블록공중합체는 폴리아크릴레이트계 블록을 포함하는 것인, 촉각센서
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제2항에 있어서, 상기 고분자 이온젤은상기 고분자 : 상기 이온성 액체의 중량비가 1 : 0
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제1항에 있어서,상기 강유전체는 p(VDF-TrFE)(Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene))을 함유하는, 촉각센서
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제1항에 있어서,상기 강유전체는 섬유상의 다공막 구조를 가지는, 촉각센서
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제6항에 있어서,상기 섬유상의 다공막 구조의 기공률은 50 내지 90%인, 촉각센서
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제1항에 있어서,상기 강유전체의 두께(Td)는, 상기 센싱부의 전체 두께(Ttotal)를 기준으로, 0
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제1항에 있어서,상기 전극은 유연고분자막 및 상기 유연고분자막의 적어도 일 면에 위치하는 전도성 나노와이어 네트워크를 포함하는, 촉각센서
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제1항에 있어서,상기 유연고분자막은 실록산계 중합체를 포함하는, 촉각센서
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제1항에 있어서,상기 센싱부는 상기 강유전체가 상기 센싱부의 중심부에 위치하는, 촉각센서
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제1항에 있어서, 상기 센싱부는 단위면적 당 전기용량이 8nF/cm2 내지 12μF/cm2인, 촉각센서
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제1항에 있어서, 상기 센싱부는 온도 및 압력에서 선택된 어느 하나 이상의 외부자극에 의해 전기용량이 변화하는, 촉각센서
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