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다중층 선택 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022011507
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 낮은 누설 전류를 나타내는 다중층 선택 소자를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 다중층 선택 소자는, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 하부 전극층; 상기 하부 전극층 상에 위치하고, 전도성 필라멘트의 형성과 파괴에 의하여 스위칭 동작을 수행하고, 상기 전도성 필라멘트를 형성하는 금속의 도핑 농도의 구배를 가지는 다중층으로 이루어진 스위칭층; 및 상기 스위칭층 상에 위치하는 상부 전극층;을 포함한다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01) H01L 27/24 (2006.01.01)
CPC H01L 45/1253(2013.01) H01L 27/2463(2013.01) H01L 45/146(2013.01) H01L 45/1633(2013.01)
출원번호/일자 1020200151131 (2020.11.12)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0064728 (2022.05.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.12)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이장식 경상북도 포항시 남구
2 김광현 서울특별시 노원구
3 박영준 경기도 화성

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2020-1213166-17
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2020.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2020-1218334-42
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2021.07.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2021.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0225355-91
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-1016708-13
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2022.02.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-0197297-58
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2022.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2022-0197296-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 위치하는 하부 전극층;상기 하부 전극층 상에 위치하고, 전도성 필라멘트의 형성과 파괴에 의하여 스위칭 동작을 수행하고, 상기 전도성 필라멘트를 형성하는 금속의 도핑 농도의 구배를 가지는 다중층으로 이루어진 스위칭층; 및상기 스위칭층 상에 위치하는 상부 전극층;을 포함하는,다중층 선택 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 스위칭층은,상기 하부 전극층 상에 위치하고, 상기 전도성 필라멘트를 형성하는 금속이 도핑된 제1 금속 도핑층;상기 제1 금속 도핑층 상에 위치하고, 그 내부에서 상기 금속에 의하여 상기 전도성 필라멘트가 형성되거나 또는 파괴되는 전도성 필라멘트 형성층; 및상기 전도성 필라멘트 형성층 상에 위치하고, 상기 전도성 필라멘트를 형성하는 금속이 도핑된 제2 금속 도핑층;을 포함하는,다중층 선택 소자
3 3
제 2 항에 있어서,상기 제1 금속 도핑층 및 상기 제2 금속 도핑층에 도핑된 상기 금속은 상기 전도성 필라멘트 형성층으로 이동하여 상기 전도성 필라멘트를 형성하는,다중층 선택 소자
4 4
제 2 항에 있어서,상기 전도성 필라멘트 형성층에 형성되는 상기 전도성 필라멘트는 상기 상부 전극층과 상기 하부 전극층을 전기적으로 연결하는,다중층 선택 소자
5 5
제 2 항에 있어서,상기 전도성 필라멘트 형성층에 형성되는 상기 전도성 필라멘트는 전기적 신호가 인가되면 형성되는 특성을 가지는,다중층 선택 소자
6 6
제 2 항에 있어서,상기 전도성 필라멘트 형성층에 형성되는 상기 전도성 필라멘트는 전기적 신호가 인가되면 형성되고, 상기 전기적 신호가 제거되면 파괴되는 휘발성 특성을 가지는,다중층 선택 소자
7 7
제 2 항에 있어서,상기 제1 금속 도핑층 및 상기 제2 금속 도핑층은 제1 금속 도핑 농도를 가지고,상기 전도성 필라멘트 형성층은 상기 제1 금속 도핑 농도에 비하여 낮은 제2 금속 도핑 농도를 가지는,다중층 선택 소자
8 8
제 2 항에 있어서,상기 제1 금속 도핑층 및 상기 제2 금속 도핑층은 제1 금속 도핑 농도를 가지고,상기 전도성 필라멘트 형성층은 금속이 미도핑된,다중층 선택 소자
9 9
제 2 항에 있어서,상기 전도성 필라멘트 형성층은 제1 금속 도핑 농도를 가지고,상기 제1 금속 도핑층 및 상기 제2 금속 도핑층은 상기 제1 금속 도핑 농도에 비하여 낮은 제2 금속 도핑 농도를 가지는,다중층 선택 소자
10 10
제 2 항에 있어서,상기 제1 금속 도핑층, 상기 전도성 필라멘트 형성층, 및 상기 제2 금속 도핑층 중 적어도 어느 하나는, 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐-아연 산화물, 인듐-갈륨 산화물, 아연-주석 산화물, 알루미늄-아연 산화물, 갈륨-아연 산화물, 인듐-아연-주석 산화물, 인듐-갈륨-아연 산화물, 및 인듐-갈륨-주석 산화물, 하프늄 산화물, 하프늄-지르코늄 산화물, 지르코늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 티타늄 산화물, 텅스텐 산화물, 망간 산화물, 니켈 산화물, 및 마그네슘 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는,다중층 선택 소자
11 11
제 2 항에 있어서,상기 제1 금속 도핑층, 상기 제2 금속 도핑층, 또는 이들 모두는 은, 구리, 철, 금, 티타늄, 아연, 마그네슘 및 주석 중 적어도 어느 하나가 도핑된,다중층 선택 소자
12 12
제 2 항에 있어서,상기 제1 금속 도핑층 및 상기 제2 금속 도핑층은 은, 구리, 철, 금, 티타늄, 아연, 마그네슘 및 주석 중 적어도 어느 하나가 도핑된 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐-아연 산화물, 인듐-갈륨 산화물, 아연-주석 산화물, 알루미늄-아연 산화물, 갈륨-아연 산화물, 인듐-아연-주석 산화물, 인듐-갈륨-아연 산화물, 및 인듐-갈륨-주석 산화물, 하프늄 산화물, 하프늄-지르코늄 산화물, 지르코늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 티타늄 산화물, 텅스텐 산화물, 망간 산화물, 니켈 산화물, 마그네슘 산화물을 포함하고,상기 전도성 필라멘트 형성층은 금속이 미도핑된 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐-아연 산화물, 인듐-갈륨 산화물, 아연-주석 산화물, 알루미늄-아연 산화물, 갈륨-아연 산화물, 인듐-아연-주석 산화물, 인듐-갈륨-아연 산화물, 및 인듐-갈륨-주석 산화물, 하프늄 산화물, 하프늄-지르코늄 산화물, 지르코늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 티타늄 산화물, 텅스텐 산화물, 망간 산화물, 니켈 산화물, 마그네슘 산화물을 포함하는,다중층 선택 소자
13 13
제 1 항에 있어서,상기 기판과 상기 하부 전극층 사이에 개재되어, 상기 기판과 상기 하부 전극층을 서로 접착시키는 접착층을 더 포함하는,다중층 선택 소자
14 14
제 1 항에 있어서,상기 하부 전극, 상기 상부 전극, 또는 이들 모두는 백금, 알루미늄, 구리, 금, 은, 철, 팔라듐, 티타늄, 아연, 몰리브덴, 텅스텐, 니켈, 니오븀, 루비듐, 이리듐 및 이들의 합금 중 적어도 어느 하나를 포함하는,다중층 선택 소자
15 15
기판;상기 기판 상에 위치하는 하부 전극층;상기 하부 전극층 상에 위치하고, 상기 하부 전극층을 노출하도록 관통하는 비아홀을 구비한 절연층;상기 비아홀 내에서 상기 하부 전극층 상에 위치하고, 전도성 필라멘트의 형성과 파괴에 의하여 스위칭 동작을 수행하고, 상기 전도성 필라멘트를 형성하는 금속의 도핑 농도의 구배를 가지는 다중층으로 이루어진 스위칭층; 및상기 스위칭층 상에 위치하는 상부 전극층;을 포함하는,다중층 선택 소자
16 16
제 15 항에 있어서,상기 절연층은 상기 스위칭층의 측벽을 형성하여, 상기 스위치층을 개별화하는, 다중층 선택 소자
17 17
기판을 제공하는 단계;상기 기판 상에 하부 전극층을 형성하는 단계;상기 하부 전극층 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층의 일부 영역을 제거하여, 상기 하부 전극층을 노출하는 비아홀을 형성하는 단계;상기 비아홀 내에 금속의 도핑 농도의 구배를 가지는 다중층으로 이루어진 스위칭층을 형성하는 단계; 및상기 스위칭층 상에 상부 전극층을 형성하는 단계;를 포함하는,다중층 선택 소자의 제조방법
18 18
제 17 항에 있어서,상기 스위칭층을 형성하는 단계는,산화물 타겟과 금속 타겟을 함께 사용하는 동시 스퍼터링을 이용하여 금속의 도핑 농도의 구배를 가지도록 형성하는,다중층 선택 소자의 제조방법
19 19
제 17 항에 있어서,상기 스위칭층을 형성하는 단계는,제1 금속 도핑 농도를 가지는 제1 금속 도핑층을 형성하는 단계;상기 제1 금속 도핑층 상에 상기 제1 금속 도핑 농도에 비하여 낮은 제2 금속 도핑 농도를 가지거나 금속이 도핑되지 않은 전도성 필라멘트 형성층을 형성하는 단계; 및상기 전도성 필라멘트 형성층 상에 상기 제1 금속 도핑 농도를 가지는 제2 금속 도핑층을 형성하는 단계;를 포함하는,다중층 선택 소자의 제조방법
20 20
제 17 항에 있어서,상기 상부 전극층을 형성하는 단계를 수행한 후에,상기 다중층 선택 소자를 100℃ 내지 550℃ 범위의 온도에서 어닐링하는 단계를 더 포함하는, 다중층 선택 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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