| 1 |
1
표면탄성파 장치용 기판으로,상기 기판은 2차원 결정질 육방정 질화붕소층을 포함하며, 상기 표면탄성파 장치의 표면탄성파는 상기 2차원 결정질 육방정 질화붕소 층을 통하여 전달되는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치용 기판
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 2차원 결정질 육방정 질화붕소층은 인프레인-플레인(In-plane) 방향의 19000m/s에 이르는 위상속도가 가능한 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서, 상기 2차원 결정질 육방정 질화붕소층에서 붕소의 동위원소의 함량에 따라 상기 2차원 결정질 육방정 질화붕소층에서 표면탄성파의 감쇠 수준이 결정되는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치
|
| 4 |
4
표면탄성파 장치로서,기판;상기 기판 상에 적층 되어 표면탄성파를 유도하는 입력 트랜스듀서; 및상기 기판 상에 적층 되어 상기 기판에서 유도된 상기 표면탄성파를 검출하기 위한 출력 트랜스듀서를 포함하며, 상기 기판은 2차원 결정질 육방정 질화붕소를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치
|
| 5 |
5
제 4항에 있어서,상기 기판은 지지기판; 및 상기 지지기판 상의 2차원 결정질 육방정 질화붕소층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치
|
| 6 |
6
제 4항에 있어서,상기 입력 트랜스듀서 및 출력 트랜스듀서는 인터디지털 타입 트랜스듀서인 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치
|
| 7 |
7
제 6항에 있어서,상기 입력 트랜스듀서는 전위차를 인가하여 상기 2차원 결정질 육방정 질화붕소층에 규칙적인 수축과 팽창을 야기하여 표면탄성파를 유도하며, 상기 출력 트랜스듀서는 상기 표면탄성파에 의하여 야기되는 상기 2차원 결정질 육방정 질화붕소층의 전위차를 읽는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치
|
| 8 |
8
제 4항에 있어서,상기 입력 트랜스듀서 또는 출력 트랜스듀서는 Al, Au, Pt, Ni, Cr, Cd, Ti, W, Pd, Ag, Cu, Ru, Rh, Ta, Mo, Nb, 도핑 NiSi, TaSiN, ErSi1
|
| 9 |
9
제 4항에 있어서, 상기 지지기판은 상부에 적층 된 2차원 결정질 육방정 질화붕소층의 절연성에 영향을 주지 않으며, 상기 적층 된 2차원 결정질 육방정 질화붕소층을 전부 또는 일부를 상기 지지기판의 상부 또는 하부로 노출시키는 형태인 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치
|
| 10 |
10
제 4항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 표면탄성파 장치는 중심 주파수가 26
|
| 11 |
11
제 6항에 있어서, 상기 인터디지털 입력 트랜스듀서 및 출력 트랜스듀서는 쌍으로 복수 개 구성되며, 한 상의 입력 및 출력 트랜스듀서 각각의 치수는 상이할 수 있는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치
|
| 12 |
12
제 4항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 따른 표면탄성파 장치를 포함하는 고주파 필터
|
| 13 |
13
제 4항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 따른 표면탄성파 장치를 포함하는 반도체 칩간 통신장치
|
| 14 |
14
제 4항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 따른 표면탄성파 장치를 포함하는 양자 및 스핀 정보처리 장치
|
| 15 |
15
제 13항에 있어서, 상기 양자 및 스핀 정보처리 장치는, 상기 표면탄성파 장치로부터의 발생하는 적어도 2개의 표면탄성파에 의한 정상파를 형성하며, 상기 양자 및 스핀 정보처리 장치는, 상기 정상파로부터 형성되는 인접 반도체 혹은 준금속의 국부적인 전위 장벽에 의하여 구속된 전하의 고유 에너지 상태와 스핀을 이용하여 정보를 저장하고 읽는 것을 특징으로 하는 양자 및 스핀 정보처리 장치
|
