| 1 |
1
제1 탄성체 및 상기 제1 탄성체에 분산된 제1 전도체를 포함하는 제1 신축성 전극;상기 제1 신축성 전극 상에 형성되고, 제3 탄성체 및 상기 제3 탄성체에 분산된 이온 전도체를 포함하는 신축성 활성층; 및상기 신축성 활성층 상에 형성되고, 제2 탄성체 및 상기 제2 탄성체에 분산된 제2 전도체를 포함하는 제2 신축성 전극;을 포함하는 신축성 센서
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 신축성 활성층이 상기 제1 신축성 전극 및 제2 신축성 전극과 각각 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 신축성 센서
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 이온 전도체의 전부 또는 일부가 상기 신축성 활성층과 상기 제1 신축성 전극 사이의 계면에서 상기 제1 전도체의 전부 또는 일부와 접하고,상기 이온 전도체의 전부 또는 일부가 상기 신축성 활성층과 상기 제2 신축성 전극 사이의 계면에서 상기 제2 전도체의 전부 또는 일부와 접하는 것을 특징으로 하는 신축성 센서
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 신축성 센서가상기 제1 신축성 전극 상에 상기 신축성 활성층과 마주하는 방향의 반대방향으로 위치하는 제1 신축성 기판; 및 상기 제2 신축성 전극 상에 상기 신축성 활성층과 마주하는 방향의 반대방향으로 위치하는 제2 신축성 기판;을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 신축성 센서
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 제1 전도체 및 제2 전도체가 서로 같거나 다르고 각각 독립적으로 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 주석(Sn) 및 전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 신축성 센서
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 제1 전도체 및 제2 전도체의 형상이 각각 나노와이어 형상을 포함하는 것을 특징으로 하는 신축성 센서
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 제1 탄성체 및 제2 탄성체가 각각 열가소성 탄성체인 것을 특징으로 하는 신축성 센서
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 제3 탄성체가 열경화성 탄성체인 것을 특징으로 하는 신축성 센서
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 신축성 활성층이 상기 제3 탄성체 100중량부에 대하여 상기 이온 전도체 0
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 이온 전도체가 이온성 액체를 포함하는 것을 특징으로 하는 신축성 센서
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 이온성 액체가 지방족계 이온성 액체, 이미다졸륨계 이온성 액체 및 피리디늄계 이온성 액체로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 신축성 센서
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 제1 신축성 전극이 직선 형태의 서로 평행한 복수개의 제1 전극을 포함하고,상기 제2 신축성 전극이 직선 형태의 서로 평행한 복수개의 제2 전극을 포함하고,상기 제1 전극은 상기 제2 전극과 서로 수직하게 위치하고,복수개의 상기 제1 전극과 복수개의 상기 제2 전극이 픽셀(pixel) 형태를 이루고,상기 신축성 센서가 전자피부에 사용하기 위한 것을 특징으로 하는 신축성 센서
|
| 13 |
13
(a) 제1 탄성체 및 상기 제1 탄성체에 분산된 제1 전도체를 포함하는 제1 신축성 전극을 제조하는 단계;(b) 상기 제1 신축성 전극 상에 제3 탄성체 및 상기 제3 탄성체에 분산된 이온 전도체를 포함하는 신축성 활성층을 형성하여 하층을 제조하는 단계;(c) 제2 탄성체 및 상기 제2 탄성체에 분산된 제2 전도체를 포함하는 제2 신축성 전극을 제조하는 단계;(d) 상기 제2 신축성 전극 상에 제3 탄성체 및 상기 제3 탄성체에 분산된 이온 전도체를 포함하는 신축성 활성층을 형성하여 상층을 제조하는 단계; 및(e) 상기 하층의 신축성 활성층과 상기 상층의 신축성 활성층을 서로 접하게 위치시키는 단계;를포함하는 신축성 센서의 제조방법
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 단계 (e) 후에,(f) 상기 단계 (e)의 서로 접한 신축성 활성층을 가교(cross-linking)시키는 단계;를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 신축성 센서의 제조방법
|
| 15 |
15
제13항에 있어서,단계 (a)가(a-1) 기재 상에 제1 전도체를 포함하는 제1 전도체 용액을 코팅하고 건조하여 상기 기재 상에 제1 전도체 코팅층을 형성하는 단계; 및(a-2) 상기 제1 전도체 코팅층 상에 제1 탄성체를 포함하는 제1 탄성체 용액을 코팅하고 건조하여, 상기 제1 탄성체에 분산된 제1 전도체를 포함하는 제1 신축성 전극을 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 신축성 센서의 제조방법
|
| 16 |
16
제13항에 있어서,단계 (c)가(c-1) 기재 상에 제2 전도체를 포함하는 제2 전도체 용액을 코팅하고 건조하여 상기 기재 상에 제2 전도체 코팅층을 형성하는 단계; 및(c-2) 상기 제2 전도체 코팅층 상에 제2 탄성체를 포함하는 제2 탄성체 용액을 코팅하고 건조하여, 상기 제2 탄성체에 분산된 제2 전도체를 포함하는 제2 신축성 전극을 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 신축성 센서의 제조방법
|
| 17 |
17
탄성체 및 상기 탄성체에 분산된 이온 전도체를 포함하는 신축성 활성층을 포함하는 신축성 센서를 이용한 온도 감지방법이고,(1) 임의의 2개의 주파수 ω1 및 ω2(ω1 003c# ω2)에서 각각 임피던스 Z1 및 Z2를 측정하는 단계;(2) 상기 임피던스 Z1로부터 실수부 임피던스(Zre)인 저항(R)을 구하는 단계;(3) 상기 임피던스 Z2로부터 허수부 임피던스(Zim)를 구하고, 상기 허수부 임피던스(Zim)를 식 1에 대입하여 정전용량(C)을 구하는 단계;(4) 상기 저항(R)과 상기 정전용량(C)을 식 2에 대입하여 완화시간(τ)을 구하는 단계; 및(5) 상기 완화시간(τ)을 사용하여 온도를 구하는 단계;를포함하는 신축성 센서를 이용한 온도 감지방법:[식 1][식 2]τ=RC상기 식 1 및 2에서, Zim은 허수부 임피던스이고, ω는 주파수이고, i는 1 또는 2이고, C는 정전용량이고, τ는 완화시간이고, R은 저항이다
|
| 18 |
18
제17항에 있어서,상기 실수부 임피던스는 0
|
| 19 |
19
제17항에 있어서,상기 허수부 임피던스는 0
|
| 20 |
20
탄성체 및 상기 탄성체에 분산된 이온 전도체를 포함하는 신축성 활성층을 포함하는 신축성 센서를 이용한 스트레인 감지방법이고,(1') 임의의 2개의 주파수 ω1 및 ω2(ω1 003c# ω2)에서 각각 임피던스 Z1 및 Z2를 측정하는 단계;(2') 상기 임피던스 Z1으로부터 실수부 임피던스(Zre)인 저항(R)을 구하는 단계;(3') 상기 임피던스 Z2로부터 허수부 임피던스(Zim)를 구하고, 상기 허수부 임피던스(Zim)를 식 1에 대입하여 정전용량(C)을 구하는 단계;(4') 상기 저항(R)과 상기 정전용량(C)을 식 2에 대입하여 완화시간(τ)을 구하는 단계;(5') 상기 완화시간(τ)을 사용하여 스트레인하지 않은 상태(non-strained state)일 때의 정전용량(C0)를 구하는 단계; 및(6') 상기 정전용량(C)과 상기 스트레인하지 않은 상태일 때 정전용량(C0)를 사용하여 스트레인을 구하는 단계;를포함하는 신축성 센서를 이용한 스트레인 감지방법:[식 1][식 2]τ=RC상기 식 1 및 2에서, Zim은 허수부 임피던스이고, ω는 주파수이고, i는 1 또는 2이고, C는 정전용량이고, τ는 완화시간이고, R은 저항이다
|
