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SiC 기판 상에 오믹 접촉을 형성하는 반도체 제조 방법에 있어서,상기 SiC 기판 상에 그래핀 레이어(Graphene layer)를 형성하는 단계; 및상기 형성된 그래핀 레이어 상에 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,반도체 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 SiC 기판은 중농도로 도핑되는 것을 특징으로 하는,반도체 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 그래핀 레이어를 형성하는 단계는,구리 포일(Cu foil) 상면에 그래핀 레이어를 형성하는 단계;상기 형성된 그래핀 레이어 상면에 PMMA(methyl methacrylate)를 코팅하는 단계;상기 구리 포일을 제거하는 단계;상기 PMMA가 코팅된 그래핀 레이어를 상기 SiC 기판 상에 옮기는 단계; 및상기 코팅된 PMMA를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,반도체 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 PMMA를 코팅하는 단계는, 스핀 코팅 방식을 이용하여 상기 PMMA를 코팅하는 것을 특징으로 하는,반도체 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 PMMA 코팅은 2차례 이상 반복되는 것을 특징으로 하는,반도체 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속은, Ti 또는 Ni인 것을 특징으로 하는,반도체 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 증착되는 금속의 두께는 100nm 이하인 것을 특징으로 하는,반도체 제조 방법
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제 1 항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법에 따라 제조된 반도체
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