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기판;상기 기판 상에 형성된 제1 비활성 전극;상기 제1 비활성 전극 상에 형성되고, 금속 필라멘트의 형성과 소멸에 따른 상태 변화를 가지는 저항변화층; 및상기 저항변화층 상에 형성된 제2 비활성 전극을 포함하고,상기 저항변화층은 금속 이온이 도핑된 산화물 박막인 것인 CBRAM 기반의 선택 소자
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제1항에 있어서,상기 도핑된 금속 이온은 상기 제1 비활성 전극 상에 증착된 이온화 가능한 금속층이 열확산을 통해 상기 산화물 박막으로 확산된 금속 이온인 것인 CBRAM 기반의 선택 소자
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제2항에 있어서,상기 금속층은 Ag 또는 Cu를 포함하는 CBRAM 기반의 선택 소자
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제2항에 있어서,상기 금속층은 0
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제1항에 있어서,상기 산화물 박막은 HfO2, TiO2, Al2O3, SiO2, WO3 또는 Ta2O5를 포함하는 CBRAM 기반의 선택 소자
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제1항에 있어서,상기 산화물 박막은 2nm 내지 8nm의 두께를 갖는 것인 CBRAM 기반의 선택 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 비활성 전극은 Pt, Au, W, Ru 또는 TiN을 포함하는 CBRAM 기반의 선택 소자
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제1항에 있어서,상기 제2 비활성 전극은 Pt, Au, W, Ru 또는 TiN을 포함하는 CBRAM 기반의 선택 소자
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기판 상에 제1 비활성 전극을 형성하는 단계;상기 제1 비활성 전극 상에 금속 이온이 도핑된 산화물 박막을 포함하는 저항변화층을 형성하는 단계;상기 저항변화층 상에 제2 비활성 전극을 형성하는 단계를 포함하는 CBRAM 기반의 선택 소자 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 저항변화층을 형성하는 단계는,상기 제1 비활성 전극 상에 이온화 가능한 금속층을 형성하는 단계; 및상기 이온화 가능한 금속층 상에 ALD(Atomic layer deposition) 공정을 이용하여 산화물 박막을 형성하는 단계를 포함하는 CBRAM 기반의 선택 소자 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 이온화 가능한 금속층을 형성하는 단계에서,상기 금속층은 상기 제1 비활성 전극 상에서 불연속 필름(discontinuous film) 형태로 형성되는 것인 CBRAM 기반의 선택 소자 제조방법
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12
제10항에 있어서, 상기 이온화 가능한 금속층을 형성하는 단계에서,상기 금속층은 0
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제10항에 있어서,상기 금속층은 Ag 또는 Cu를 포함하는 CBRAM 기반의 선택 소자 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 산화물 박막을 형성하는 단계에서,상기 ALD 공정은 상기 금속층의 금속 이온이 상기 산화물 박막으로 열확산 되도록 200℃ 내지 300℃의 증착 온도를 갖는 것인 CBRAM 기반의 선택 소자 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 산화물 박막을 형성하는 단계에서,상기 산화물 박막은 2nm 내지 8nm의 두께를 갖도록 증착되는 것인 CBRAM 기반의 선택 소자 제조방법
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