| 1 |
1
캐리어 기판 상에 칼코겐 원소 함유막을 형성하는 것;실리콘 웨이퍼 상에 상기 칼코겐 원소 함유막을 배치시키는 것, 상기 실리콘 웨이퍼의 표면과 상기 칼코겐 원소 함유막의 표면은 서로 접촉하고; 상기 실리콘 웨이퍼 및 상기 칼코겐 원소 함유막에 적어도 한번 이상의 열처리를 하는 것; 및상기 캐리어 기판을 제거하는 것을 포함하고,상기 실리콘 웨이퍼는 (111)의 결정면(Crystal plane)을 가지는 칼코게나이드 박막의 형성 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 캐리어 기판은 전도성 기판을 포함하는 칼코게나이드 박막의 형성 방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 칼코겐 원소 함유막을 형성하기 전에,상기 캐리어 기판 상에 배리어 막을 형성하는 것을 더 포함하는 칼코게나이드 박막의 형성 방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 배리어 막은 SiO2, GeO2, GeO, GaO 및 GaO3로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 칼코게나이드 박막의 형성 방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 칼코겐 원소 함유막을 형성하는 것은:상기 캐리어 기판 상에 전이금속 전구체, 칼코게나이드 전구체 및 이온성 용매를 포함하는 혼합 용액을 코팅하는 것; 및상기 캐리어 기판 및 상기 혼합 용액에 마이크로파를 조사하는 것을 포함하는 칼코게나이드 박막의 형성 방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 칼코겐 원소 함유막을 형성하는 것은:칼코게나이드 전구체를 고분자 용액에 용해시켜 혼합 용액을 형성하는 것;상기 혼합 용액을 상기 캐리어 기판 상에 코팅하는 것; 및상기 캐리어 기판 및 상기 혼합 용액에 마이크로파를 조사하는 것을 포함하는 칼코게나이드 박막의 형성 방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 칼코게나이드 전구체는 TeCl4 를 포함하고,상기 고분자 용액은 Poly(ethylene vinylalcohol) (PEVA)를 포함하는 칼코게나이드 박막의 형성 방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 칼코겐 원소 함유막을 형성하는 것은:칼코겐 입자를 실리콘 오일에 분산시켜 혼합 용액을 형성하는 것; 및상기 혼합 용액을 상기 캐리어 기판 상에 코팅하는 것을 포함하는 칼코게나이드 박막의 형성 방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 열처리는 제1 열처리 공정 및 상기 제1 열처리 공정 후의 제2 열처리 공정을 포함하고,상기 제1 열처리 공정은 제1 온도에서 제1 시간동안 진행하는 것; 및상기 제2 열처리 공정은 제2 온도에서 제2 시간동안 진행하는 것을 포함하고,상기 제1 온도는 상기 제2 온도보다 낮고,상기 제1 시간은 상기 제2 시간보다 긴 칼코게나이드 박막의 형성 방법
|
| 10 |
10
제8항에 있어서,상기 혼합 용액을 상기 캐리어 기판 상에 코팅하는 것은 스핀 코팅 방법을 포함하는 칼코게나이드 박막의 형성 방법
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 칼코겐 원소 함유막은 몰리브데늄 텔루라이드(MoTe2), 텔루룸 입자가 함유된 비정질 탄소, 및 텔루룸 입자가 분산된 실리콘 오일 중 어느 하나를 포함하는 칼코게나이드 박막의 형성 방법
|
| 12 |
12
배리어 층이 형성된 캐리어 기판을 준비하는 것;상기 배리어 층 상에 칼코겐 원소 함유막을 형성하는 것;반도체 기판 상에 절연 패턴을 형성하는 것, 상기 절연 패턴은 상기 반도체 기판의 상면의 일부를 노출시키고;상기 절연 패턴 상에 상기 칼코겐 원소 함유막을 배치시키는 것, 상기 칼코겐 원소 함유막은 상기 노출된 반도체 기판의 상면과 접촉하고; 및상기 반도체 기판 및 상기 칼코겐 원소 함유막에 적어도 한번 이상의 열처리를 하는 것을 포함하는 칼코게나이드 박막의 형성 방법
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,상기 캐리어 기판은 전도성 기판을 포함하는 칼코게나이드 박막의 형성 방법
|
| 14 |
14
제12항에 있어서,상기 칼코겐 원소 함유막을 형성하는 것은:상기 캐리어 기판 상에 몰리브데늄 전구체, 텔루라이드 전구체 및 이온성 용매를 포함하는 혼합 용액을 상기 캐리어 기판 상에 코팅하는 것; 및상기 캐리어 기판 및 상기 혼합 용액에 마이크로파를 조사하는 것을 포함하는 칼코게나이드 박막의 형성 방법
|
| 15 |
15
제12항에 있어서,상기 칼코겐 원소 함유막을 형성하는 것은:칼코게나이드 전구체를 고분자 용액에 용해시켜 혼합 용액을 형성하는 것;상기 혼합 용액을 상기 캐리어 기판 상에 코팅하는 것; 및상기 캐리어 기판 및 상기 혼합 용액에 마이크로파를 조사하는 것을 포함하는 칼코게나이드 박막의 형성 방법
|
| 16 |
16
제12항에 있어서,상기 칼코겐 원소 함유막을 형성하는 것은:칼코겐 입자를 실리콘 오일에 분산시켜 혼합 용액을 형성하는 것; 및상기 혼합 용액을 상기 캐리어 기판 상에 코팅하는 것을 포함하는 칼코게나이드 박막의 형성 방법
|
| 17 |
17
제12항에 있어서,상기 열처리는 불활성 기체 분위기 하에 진행되는 칼코게나이드 박막의 형성 방법
|
| 18 |
18
제12항에 있어서,상기 칼코겐 원소 함유막은 몰리브데늄 텔루라이드(MoTe2), 텔루룸 입자가 함유된 비정질 탄소, 및 텔루룸 입자가 분산된 실리콘 오일 중 어느 하나를 포함하는 칼코게나이드 박막의 형성 방법
|
| 19 |
19
제1 전극;상기 제1 전극 상의 반도체 기판;상기 반도체 기판 상의 칼코게나이드 박막; 및상기 칼코게나이드 박막 상의 제2 전극을 포함하고,상기 반도체 기판 및 상기 칼코게나이드 박막은 에피텍셜(epitaxial)한 관계를 가지고,상기 반도체 기판은 제1 물질을 포함하고,상기 칼코게나이드 박막은 상기 제1 물질 및 칼코겐 물질을 포함하는 반도체 소자
|
| 20 |
20
제19항에 있어서,상기 반도체 기판은 실리콘(Si) 및 저마늄(Ge) 중 적어도 하나를 포함하고,상기 반도체 기판의 결정면은 (111)인 반도체 소자
|
| 21 |
21
제19항에 있어서,상기 칼코게나이드 박막은 단결정의 실리콘 텔루라이드(Si2Te3)를 포함하는 반도체 소자
|
| 22 |
22
제19항에 있어서,상기 반도체 기판 및 상기 칼코게나이드 박막은 서로 접촉하는 반도체 소자
|
| 23 |
23
제19항에 있어서,상기 칼코게나이드 박막은 (001)의 결정면을 가지는 반도체 소자
|
| 24 |
24
제1 전극;상기 제1 전극 상의 실리콘 기판;상기 실리콘 기판 상의 절연 패턴, 상기 절연 패턴은 복수개의 개구들을 포함하고;상기 절연 패턴의 개구들을 각각 채우는 실리콘 텔루라이드(Si2Te3) 박막 패턴들; 및상기 실리콘 텔루라이드 박막 패턴들 상에 각각 제공되는 제2 전극들을 포함하고,상기 실리콘 텔루라이드 박막 패턴들의 각각은 서로 동일한 결정 방향을 가지고,상기 실리콘 기판의 결정면은 (111)인 반도체 소자
|
| 25 |
25
제1 방향을 따라서 연장되는 제1 워드 라인 및 제2 워드 라인;상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라서 연장되는 제1 비트 라인 및 제2 비트 라인;상기 제1 워드 라인과 상기 제1 비트 라인 사이에 제공되는 제1 비휘발성 메모리 소자, 상기 제1 비휘발성 메모리 소자는 제1 칼코게나이드 박막 패턴을 포함하고; 및상기 제2 워드 라인과 상기 제2 비트 라인 사이에 제공되는 제2 비휘발성 메모리 소자, 상기 제2 비휘발성 메모리 소자는 제2 칼코게나이드 박막 패턴을 포함하고,상기 제1 칼코게나이드 박막 패턴 및 상기 제2 칼코게나이드 박막 패턴은 단결정(single-crystal)이면서, (001)의 결정면을 가지는 반도체 소자
|
