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(a) 제1 파장을 갖는 제1 광을 사용하여 적층각도를 알고 있는 기지의 이종접합체의 이종접합 이중층의 이차조화파 (second-harmonic generation, SHG) 위상차(Φ1)를 구하는 단계; (b) 상기 제1 광을 사용하여 상기 이차조화파 위상차(Φ1)에서 상기 기지의 이종접합체의 이종접합 이중층의 적층각도(θS)에 따른 이차조화파 폴라플롯 세기(intensity)의 제1 최소/최대 비율 그래프를 구하는 단계;(c) 상기 제1 광을 사용하여 상기 이차조화파 위상차(Φ1)에서 적층각도를 모르는 미지의 이종접합체의 이종접합 이중층의 이차조화파 폴라플롯 세기(intensity)의 제1 최소/최대 비율을 각각 구하는 단계;(d) 상기 단계(b)의 제1 최소/최대 비율 그래프에서 상기 단계(c)의 제1 최소/최대 비율에서의 단수 또는 복수의 제1 적층각도를 구하는 단계;(e) 상기 제 1광 대신에 제2 파장을 갖는 제 2광을 사용하는 것을 제외하고는 단계 (a) 내지 (d)의 단계와 동일한 단계를 수행하여 단수 또는 복수의 제2 적층각도를 구하는 단계; 및(f) 상기 단계(d)의 제1 적층각도 중에서 상기 단계(e)의 제2 적층각도와 동일한 값의 적층각도를 상기 미지의 이종접합체의 적층각도로 선정하는 단계;를 포함하고,상기 기지의 이종접합체 및 상기 미지의 이종접합체가 각각 독립적으로 제1 전이금속 화합물을 포함하는 제1 전이금속 화합물 단일층과, 제2 전이금속 화합물을 포함하는 제2 전이금속 화합물 단일층과, 상기 제1 전이금속 화합물 단일층의 일부분 및 상기 일부분 상에 적층된 상기 제2 전이금속 화합물 단일층의 일부분을 포함하는 이종접합 이중층을 포함하는 것인 이종접합체의 적층각도 측정방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 광 및 제2 광은 각각 독립적으로 상기 광의 방향과 이종접합체의 암체어(armchair) 방향이 이루는 각도(θ)를 변화시키며 조사되는 것을 특징으로 하는 이종접합체의 적층각도 측정방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 광 및 제2 광이 각각 독립적으로 편광인 것을 특징으로 하는 이종접합체의 적층각도 측정방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 광 및 제2 광은 각각 독립적으로 레이저 편광인 것을 특징으로 하는 이종접합체의 적층각도 측정방법
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제1항에 있어서, 상기 단계(a)가(a-1) 적층각도를 알고 있는 상기 기지의 이종접합체의 제1 전이금속 화합물 단일층 및 제2 전이금속 화합물 단일층으로 상기 제1 광을 각각 조사하여 상기 제1 전이금속 화합물 단일층의 이차조화파 폴라플롯(SHG polar plot) 및 상기 제2 전이금속 화합물 단일층의 이차조화파 폴라플롯을 각각 측정함에 의해 상기 제1 전이금속 화합물의 이차조화파 전기장 진폭(A'1) 및 상기 제2 전이금속 화합물의 이차조화파 전기장 진폭(A'2)을 각각 구하는 단계; 및(a-2) 상기 이차조화파 전기장 진폭(A'1) 및 상기 이차조화파 전기장 진폭(A'2)을 사용하고, 상기 기지의 이종접합체의 상기 이종접합 이중층으로 상기 제1 광을 조사하여 이차조화파 폴라플롯을 측정함에 의해 상기 이종접합 이중층의 이차조화파 위상차(Φ1)를 측정하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합체의 적층각도 측정방법
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제5항에 있어서, 상기 단계(a-1)의 제1 전이금속 화합물 단일층 및 제2 전이금속 화합물 단일층의 이차조화파 폴라플롯이 각각 아래 식 1에 의해 측정되는 것을 특징으로 하는 이종접합체의 적층각도 측정방법:[식 1]상기 식 1에서A'는 전이금속 화합물의 이차조화파 폴라플롯의 이차조화파 전기장 진폭이고,θ는 광의 방향과 전이금속 화합물 단일층의 암체어(armchair) 방향이 이루는 각도이고,θc는 각도 오프셋(offset)이다
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제1항에 있어서, 상기 단계(b)의 상기 기지의 이종접합체의 이종접합 이중층의 적층각도(θS)에 따른 이차조화파 폴라플롯 세기(intensity)의 제1 최소/최대 비율 그래프를 아래 식 2를 사용해서 구하는 것을 특징으로 하는 이종접합체의 적층각도 측정방법:[식 2]상기 식 2에서,A는 제1 전이금속 화합물의 이차조화파 폴라플롯의 이차조화파 전기장 진폭이고,B는 제2 전이금속 화합물의 이차조화파 폴라플롯의 이차조화파 전기장 진폭이고,θ는 광의 방향과 제1 전이금속 화합물 단일층의 암체어(armchair) 방향이 이루는 각도이고,θS는 적층각도이다
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제7항에 있어서, 상기 단계 (b)가(b-1) 상기 제1 광을 사용하여 상기 이차조화파 위상차(Φ1)에서 적층각도가 서로 다른 복수의 상기 기지의 이종접합체의 이종접합 이중층의 상기 이차조화파 폴라플롯 세기(intensity)의 제1 최소/최대 비율을 각각 측정하는 단계; 및(b-2) 상기 단계(b-1)의 복수의 제1 최소/최대 비율을 적층각도에 따라 도시하여 적층각도(θS)에 따른 이차조화파 폴라플롯 세기(intensity)의 제1 최소/최대 비율 그래프를 구하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합체의 적층각도 측정방법
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제8항에 있어서,상기 단계(b-1)의 상기 제1 최소/최대 비율은 상기 적층각도에서 상기 식 2를 사용해서 구하는 것을 특징으로 하는 이종접합체의 적층각도 측정방법
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제1항에 있어서,상기 적층 각도가 상기 제1 전이금속 화합물층의 암체어 방향(armchair direction)과 상기 제2 전이금속 화합물층의 암체어 방향이 이루는 각도인 것을 특징으로 하는 이종접합체의 적층 각도 측정방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 (c)의 상기 미지의 이종접합체의 이종접합 이중층의 적층각도(θS)에 따른 이차조화파 폴라플롯 세기(intensity)의 제1 최소/최대 비율이 하기 식 2를 사용해서 측정되는 것을 특징으로 하는 이종접합체의 적층각도 측정방법:[식 2]상기 식 2에서,A는 제1 전이금속 화합물의 이차조화파 폴라플롯의 이차조화파 전기장 진폭이고,B는 제2 전이금속 화합물의 이차조화파 폴라플롯의 이차조화파 전기장 진폭이고,θ는 광의 방향과 제1 전이금속 화합물 단일층의 암체어(armchair) 방향이 이루는 각도이고,θS는 적층각도이다
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제1항에 있어서,상기 제1 파장이 상기 제2 파장과 서로 다른 파장값을 갖는 것을 특징으로 하는 이종접합체의 적층각도 측정방법
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제1항에 있어서,상기 제1 전이금속 화합물 및 상기 제2 전이금속 화합물이 각각 이차원 전이금속 화합물인 것을 특징으로 하는 이종접합체의 적층 각도 측정방법
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제13항에 있어서,상기 이차원 전이금속 화합물이 MoS2, WS2, MoSe2 및 WSe2로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합체의 적층 각도 측정방법
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제1항에 있어서,상기 제1 전이금속 화합물 및 상기 제2 전이금속 화합물이 각각 전이금속 칼코겐 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합체의 적층 각도 측정방법
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제15항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐 화합물이 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크로뮴(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 나이오븀(Nb), 몰리브데늄(Mo), 테크네튬(Tc), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 카드뮴(Cd), 란타넘(La), 하프늄(Hf), 탄탈럼(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 금(Au) 및 수은(Hg)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 전이금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합체의 적층 각도 측정방법
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제15항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐 화합물이 황(S), 텔루륨(Te) 및 셀레늄(Se)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 칼코겐을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합체의 적층 각도 측정방법
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18
제1항에 있어서,상기 제1 파장 및 상기 제2 파장이 각각 독립적으로 700 내지 1,400 nm인 것을 특징으로 하는 이종접합체의 적층 각도 측정방법
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제1항에 따른 이종접합체의 적층각도 측정방법을 사용한 이종접합체 적층각도 분석장치
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