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2차원 층상 구조로 적층된 위상 물질(Topological Material)을 포함하고, 스핀 홀 효과(spin Hall Effect)에 의해 스핀 전류(Spin current)를 발생시키는 전극층; 및상기 전극층과 접하며, 2차원 층상 구조로 적층된 강자성체 물질(Ferromagnetic Material)을 포함하고, 상기 스핀 전류에 의해 스핀오빗토크(Spin-orbit Torque)를 받아 자화 스위칭되는 자유 자화층(Free Magnetic Layer);을 포함하는 스핀오빗토크 구조
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제1항에 있어서,상기 위상 물질은 위상절연체(Topological Insulator, TI) 또는 위상준금속(Topological Semi-metal, TSM) 중 적어도 하나를 포함하는 스핀오빗토크 구조
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제2항에 있어서,상기 위상절연체는 BixSe1-xSbyTe1-y (BSTS), Bi2Te2Se (BTS), Bi2Se2Te (BST) 중 적어도 하나를 포함하는 스핀오빗토크 구조
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제2항에 있어서,상기 위상준금속은 WTe2, ZrTe5, EuMnBi2, CaIrO3 중 적어도 하나를 포함하는 스핀오빗토크 구조
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제2항에 있어서,상기 위상준금속은 SrAs3를 포함하는 스핀오빗토크 구조
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제1항에 있어서,상기 강자성체 물질은 수직 자기 이방성(Perpendicular Magnetic Anisotropy, PMA)를 가지는 스핀오빗토크 구조
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제1항에 있어서,상기 강자성체 물질은 130 K 내지 330 K 범위의 퀴리 온도를 가지는 스핀오빗토크 구조
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제1항에 있어서,상기 강자성체 물질은 FGT(Fe3GeTe2), CGT(CrGeTe), CST(CrSiTe) 중 적어도 하나를 포함하는 스핀오빗토크 구조
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제1항에 있어서,상기 스핀오빗토크 구조는,스핀 홀 각도()가 0
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제1항에 있어서,상기 스핀오빗토크 구조는소비 전력 밀도(power density)가 20 W/m3 이하인 스핀오빗토크 구조
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제1항에 있어서,상기 전극층 및 상기 자유 자화층 사이의 계면이 원자적으로 평평(atomically flat)한 스핀오빗토크 구조
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제1항에 있어서,상기 스핀오빗토크 구조는,상기 위상 물질 및 상기 강자성체 물질만을 포함하는 스핀오빗토크 구조
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제1항에 있어서,상기 자화 스위칭이 되는 임계 스위칭 전류 밀도(Critical switching charge current density)는 107 A/cm2 이하인 스핀오빗토크 구조
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제1항에 있어서,상기 위상 물질 및 상기 강자성체 물질 중 적어도 하나는 반데르발스 물질(van der Waals(vdW) Material)인 스핀오빗토크 구조
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자기 메모리 소자(Magnetoresistive RAM, MRAM)에 있어서,제1항 내지 제14항 중 한 항에 따른 스핀오빗토크 구조;상기 스핀오빗토크 구조의 상기 자유 자화층 하부에 배치된 터널 배리어; 및상기 터널 배리어 하부에 배치된 고정 자화층;을 포함하고,상기 자유 자화층의 자화 스위칭에 따라 상기 자기 메모리 소자의 자기저항이 변화되는 자기 메모리 소자
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제15항에 있어서,상기 터널 배리어는 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 산화마그네슘(MgO), 마그네슘-아연(MgZn) 및 마그네슘-붕소(MgB)의 산화물 및 티타늄(Ti) 및 바나듐(V)의 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 자기 메모리 소자
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제15항에 있어서,상기 고정 자화층은 Fe, Co, Ni 또는 이들의 합금 및 NiFe, CoFe, NiFeB, CoFeB, NiFeSiB 또는 CoFeSiB을 포함하는 자기 메모리 소자
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제15항에 따른 자기 메모리 소자를 포함하는 전자 장치
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