1 |
1
리소그래피를 통한 무기물 패턴형성에서 패턴의 두께가 20 나노미터 이하로 형성될 수 있도록 하는 초미세 패턴을 이용한 블록공중합체 정렬 방법에 있어서,상기 블록중공합체를 용융시켜 기판 상에 코팅하는 단계;상기 블록공중합체가 코팅된 상기 기판을 폐쇄된 공간에서 에이징하는 단계;상기 기판을 대상으로 식각하는 단계; 및상기 식각이 된 상기 기판으로부터 식각된 부분을 제거하는 단계;를 포함하는, 초미세 패턴을 이용한 블록공중합체 정렬 방법
|
2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 식각이 된 식각부와 상기 식각이 안된 비식각부에 목적물질을 증착하는 단계를 더 포함하는, 초미세 패턴을 이용한 블록공중합체 정렬 방법
|
3 |
3
청구항 2에 있어서,상기 비식각부의 일부가 제거되고, 상기 목적물질이 잔류하는 패턴이 형성되는 단계를 더 포함하는, 초미세 패턴을 이용한 블록공중합체 정렬 방법
|
4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 블록중공합체의 코팅은 스핀코팅으로 수행되는, 초미세 패턴을 이용한 블록공중합체 정렬 방법
|
5 |
5
청구항 1에 있어서, 상기 폐쇄된 공간 내에는 상기 블록공중합체에 유동성을 부여하는 용매가 수용되는, 초미세 패턴을 이용한 블록공중합체 정렬 방법
|
6 |
6
청구항 1에 있어서,상기 식각은 이온식각, UV-오존 및 microwave 조사를 통한 식각으로 기 결정된 부분을 제거하는, 초미세 패턴을 이용한 블록공중합체 정렬 방법
|