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기판 상에 질화물 박막층을 형성하는 질화물 박막층 형성단계; 및상기 질화물 박막층에 광전기화학(photoelectrochemical, PEC) 식각을 수행하여 나노 그레이팅 구조를 형성하는 광전기화학 식각단계;를 포함하는 질화물 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 질화물 박막층은 Ⅲ족 질화물 반도체 층으로 형성되는 질화물 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 광전기화학(photoelectrochemical, PEC) 식각은 습식식각 방법으로 수행되는 질화물 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 광전기화학(photoelectrochemical, PEC) 식각단계는 식각 동안 입사광의 각도를 변화시키는 단계를 더 포함하는 질화물 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서상기 광전기화학(photoelectrochemical, PEC) 식각단계는 상기 질화물 박막층에 1 ~ 30 mA/mm2의 전류 밀도를 인가하여 수행되는 질화물 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서상기 광전기화학(photoelectrochemical, PEC) 식각단계는 상기 질화물 박막층에 200 ~ 400 nm 파장 범위의 빛을 조사하는 것으로 수행되는 질화물 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서상기 광전기화학(photoelectrochemical, PEC) 식각단계는 10 내지 60분의 공정 시간 동안 수행되는 질화물 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서상기 광전기화학(photoelectrochemical, PEC) 식각단계는 상기 질화물 박막층 표면이 100 ~ 1000 nm의 주기를 갖는 식각 패턴으로 형성되도록 수행되는 질화물 반도체 소자 제조방법
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