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i) InP, ii) 인듐(In), 인(P) 및 I족 내지 VII족 원소 중 하나로 이루어진 삼원소 화합물, 및 iii) I족 내지 VII족 전이금속 중 적어도 하나가 도핑된 InP 중 적어도 하나를 함유한 코어(core), 상기 코어를 덮고, 붕소(B), 알루미늄(Al) 및 갈륨(Ga) 중 적어도 하나의 인화물(phosphide)을 함유한, 내부 쉘(inner shell),상기 내부 쉘을 덮고, ZnSe 및 ZnSexS1-x 중 적어도 하나를 함유한 중간 쉘(middle shell) 및상기 중간 쉘을 덮고, II-VI족 화합물을 함유한 외부 쉘(outer shell)을 포함하고,상기 x는 0 003c# x 003c# 1을 만족하는, 반도체 나노 입자
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제1항에 있어서,청색 이외의 가시광을 방출하는, 반도체 나노 입자
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제1항에 있어서,최대 발광 파장이 500 nm 내지 650 nm인 광을 방출하는, 반도체 나노 입자
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제1항에 있어서,최대 발광 파장이 500 nm 내지 600 nm인 녹색광을 방출하는, 반도체 나노 입자
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제1항에 있어서,상기 코어는 InP, InGaP, InAlP, Cu가 도핑된 InP, Mn이 도핑된 InP, 및 Ag가 도핑된 InP; 중 적어도 하나를 함유한, 반도체 나노 입자
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제1항에 있어서,상기 내부 쉘은 BP, AlP 및 GaP 중 적어도 하나를 함유한, 반도체 나노 입자
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제1항에 있어서,상기 II-VI족 화합물은 Zn을 함유하고, 이원소 화합물 또는 삼원소 화합물인, 반도체 나노 입자
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8
제1항에 있어서,상기 II-VI족 화합물은 ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, ZnSeS, ZnSeTe 및 ZnSTe 중에서 선택된 1종 이상의 화합물인, 반도체 나노 입자
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제1항에 있어서,상기 II-VI족 화합물은 ZnS인, 반도체 나노 입자
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제1항에 있어서,상기 내부 쉘에 포함된 B, Al 또는 Ga의 총 몰수 대 상기 코어에 포함된 In의 몰수의 비는 0
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제1항에 있어서,상기 내부 쉘의 두께가 0
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제1항에 있어서,상기 반도체 나노 입자의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width at half maximum, FWHM)이 60 nm 이하인, 반도체 나노 입자
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13
제1항에 있어서,상기 중간 쉘은 상기 내부 쉘에 인접한 부분에 B, Al 및 Ga 중 적어도 하나의 금속이 도핑된 ZnSe 및 ZnSexS1-x 중 적어도 하나를 함유하는 도핑층을 더 포함하는 다중 쉘인, 반도체 나노 입자
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반도체 나노 입자를 포함한 색변환 부재로서, 상기 반도체 나노 입자는i) InP, ii) 인듐(In), 인(P) 및 I족 내지 VII족 원소 중 하나로 이루어진 삼원소 화합물, 및 iii) I족 내지 VII족 전이금속 중 적어도 하나가 도핑된 InP 중 적어도 하나를 함유한 코어(core),상기 코어를 덮고, 붕소(B), 알루미늄(Al) 및 갈륨(Ga) 중 적어도 하나의 인화물(phosphide)을 함유한, 내부 쉘(inner shell),상기 내부 쉘을 덮고, ZnSe 및 ZnSexS1-x 중 적어도 하나를 함유한 중간 쉘(middle shell) 및상기 중간 쉘을 덮고, II-VI족 화합물을 함유한 외부 쉘(outer shell)을 포함하고,상기 x는 0 003c# x 003c# 1을 만족하는, 색변환 부재
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제14항에 따른 색변환 부재 및 표시 장치를 포함한, 전자 장치
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제15항에 있어서,상기 색변환 부재의 적어도 일 영역이 상기 반도체 나노 입자를 포함하고, 상기 영역이 상기 표시 장치로부터 방출된 가시광을 흡수하는, 전자 장치
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제16항에 있어서,상기 영역은 청색 이외의 가시광을 방출하는, 전자 장치
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제14항에 있어서,상기 표시 장치는 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 또는 무기 발광 표시 장치를 포함한, 전자 장치
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제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 반도체 나노 입자를 제조하는 방법으로서,인듐을 포함하는 제1전구체와 아미노포스핀(aminophosphine)을 반응시켜 제1물질을 제조하는 단계;ZnSe 및 ZnSexS1-x 중 적어도 하나를 함유한 제2물질을 제조하는 단계;상기 제1물질, 상기 제2물질 및 붕소, 알루미늄 또는 갈륨(Ga)을 포함하는 제2전구체의 혼합물을 준비하는 단계; 및상기 혼합물에, II-VI족 화합물을 첨가하는 단계;를 포함하는, 반도체 나노 입자의 제조방법
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제19항에 있어서,i) 상기 제1물질에 상기 제2전구체를 첨가한 후, 상기 제2물질을 첨가하거나,ii) 상기 제1물질에 상기 제2물질을 첨가한 후, 상기 제2전구체를 첨가하거나, 또는iii) 상기 제1물질에 상기 제2물질 및 제2전구체를 동시에 첨가하는, 반도체 나노 입자의 제조방법
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