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과산화수소가 포함된 슬러리를 수용하는 탱크(100); 상기 슬러리의 용존 산소량(DO)을 측정하는 DO 측정부(200); 상기 슬러리에 자외선을 조사하여 히드록시 라디칼을 생성하는 제1 UV 조사부(300); 상기 슬러리에 나노버블을 공급하여 용존 산소량을 제어하는 나노버블 공급부(400); 상기 탱크(100)와 연통되어 상기 슬러리를 전해노즐부(600)로 이송하는 펌프부(500); 상기 펌프부(500)에서 이송된 슬러리를 전기분해하여 이온화시키고, SiC 및 GaN 기판 연마부(800)으로 슬러리를 토출하는 전해노즐부(600); 상기 전해노즐부(600)에 전원을 인가하는 전원공급부(650); 상기 SiC 및 GaN 기판 연마부(800)의 상부 일측에 구비되어, 상기 전해노즐부(600)에서 토출된 슬러리에 자외선을 조사하는 제2 UV 조사부(700); 상부에 연마 패드가 부착되고, 회전 가능한 플레이튼부(810);와, 상기 플레이튼부(810) 상에서 연마할 SiC 및 GaN 기판을 개재하여 접하는 폴리싱 헤드부(820);를 구비하는 SiC 및 GaN 기판 연마부(800);를 포함하며, 상기 슬러리는 다이아몬드(diamond), 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3) 및 세리아(CeO2) 중에서 선택되는 하나 이상의 연마 입자를 더 포함하고, 상기 전기분해 시 상기 슬러리에 인가되는 전류 세기는 5 내지 10 A 인 것을 특징으로 하는, 반도체 공정의 화학기계적 연마(CMP)를 위한 연마 입자의 분산성 향상을 통한 SiC 및 GaN 기판 가공 시스템
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제1항에 있어서, 상기 슬러리는 차아염소산나트륨(NaOCl)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 공정의 화학기계적 연마(CMP)를 위한 연마 입자의 분산성 향상을 통한 SiC 및 GaN 기판 가공 시스템
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제1항에 있어서, 상기 슬러리는 황산(H2SO4) 및 염산(HCl) 중 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 공정의 화학기계적 연마(CMP)를 위한 연마 입자의 분산성 향상을 통한 SiC 및 GaN 기판 가공 시스템
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제1항에 있어서, 상기 탱크(100) 내부에 설치되고, 상기 슬러리와 반응하여 히드록시 라디칼을 생성하는 전이금속으로 이루어진 전이금속부(150)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는, 반도체 공정의 화학기계적 연마(CMP)를 위한 연마 입자의 분산성 향상을 통한 SiC 및 GaN 기판 가공 시스템
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