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저온 플라즈마 및 초음파 기반의 식품의 살균 방법에 있어서,(a) 식품을 살균 챔버 내부에 도입하는 단계;(b) 식품이 도입된 살균 챔버 내부로 초음파을 발생시켜 살균하는 단계; 및(c) 베리어 유전체 방전(Dielectric Barrier Discharge, DBD)을 통해 식품이 도입된 살균 챔버 내부로 저온 플라즈마(cold plasma)를 발생시켜 살균하는 단계; 를 포함하며,상기 (b) 단계의 초음파는 500 내지 900 W의 전력조건에서 발생하며,상기 (c) 단계의 저온 플라즈마는 10 내지 20 kV의 전압 조건에서 발생하는,저온 플라즈마 및 초음파 기반의 식품의 살균 방법
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제 1항에 있어서,상기 (b) 및 (c) 단계는 1분 내지 50분의 시간 범위 내에서 동시에 식품에 처리되는 것인, 저온 플라즈마 및 초음파 기반의 식품의 살균 방법
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제 1항에 있어서,상기 (b) 단계의 초음파 살균을 1분 내지 20분 진행한 후, 상기 (c) 단계의 저온 플라즈마 살균을 1분 내지 30분의 시간 범위로 순차적으로 처리하는, 저온 플라즈마 및 초음파 기반의 식품의 살균 방법
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제 1항에 있어서,상기 (b) 단계의 초음파 살균을 1분 내지 20분 진행한 후, 상기 (b) 단계의 초음파 살균과 상기 (c) 단계의 저온 플라즈마 살균을 1분 내지 30분의 시간 범위 내에서 동시에 처리하는, 저온 플라즈마 및 초음파 기반의 식품의 살균 방법
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제 1항에 있어서,상기 방법은 (d) 살균 챔버 외부의 온도를 조절하는 냉각부에 의해 살균 챔버 내부의 온도를 유지하는 단계를 더 포함하는, 저온 플라즈마 및 초음파 기반의 식품의 살균 방법
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제 1항에 있어서,상기 (a) 단계에서 식품은 액상에 포함된 형태로 살균 챔버 내부로 도입되거나, 또는상기 (a) 단계에서 살균 챔버 내부에 액상이 채워진 상태에서 식품이 도입되는 것인, 저온 플라즈마 및 초음파 기반의 식품의 살균 방법
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제 6항에 있어서,상기 (b) 단계 처리시 살균 챔버의 액상을 와류시키거나 버블을 발생시키는 공정을 추가로 포함하는, 저온 플라즈마 및 초음파 기반의 식품의 살균 방법
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제 1항에 있어서,상기 (c) 단계의 저온 플라즈마는 플라즈마 발생 기체가 포함된 플라즈마 발생부로부터 살균챔버 내부로 도입되는, 저온 플라즈마 및 초음파 기반의 식품의 살균 방법
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제 1항에 있어서,상기 (b) 단계의 초음파는 살균 챔버 내부로 도입된 초음파 진동자에 발생하며,상기 초음파는 주파수 10 내지 30 KHz 및 전력 300 내지 1000 W 의 조건에서 발생하는,저온 플라즈마 및 초음파 기반의 식품의 살균 방법
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제 1항에 있어서,상기 식품은 분체화 되지 않은 식품인, 저온 플라즈마 및 초음파 기반의 식품의 살균 방법
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