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1
기재 상부에 식각저항성이 서로 다른 복수개의 표면제어층을 형성하는 단계;노광 공정에 의해 상기 표면제어층 각각에 상기 식각저항성에 따라 크기가 서로 다른 제어패턴을 형성하되, 상측 제어패턴에 비해 하측 제어패턴은 확장컷(Extension-cut)을 형성하여 상기 기재에 표면 제어 영역을 확보하는 단계;상기 제어패턴이 형성된 복수개의 표면제어층을 마스크로 하여 상기 표면 제어 영역에 양자점을 포함하는 구조체를 형성하는 단계;상기 표면제어층을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법
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2
제 1항에 있어서, 상기 표면제어층을 모두 제거하여 상기 기재 상에 양자점을 포함하는 구조체를 형성하거나,상기 표면제어층을 순차적으로 제거하면서, 잔존 표면제어층을 마스크로 하여 상기 기재의 일부에 양자점을 포함하는 서로 다른 구조체가 중첩된 복합 양자점 구조체를 형성하는 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법
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3
제 2항에 있어서, 상기 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체 형성방법은,기재 상부에 제1표면제어층을 형성하는 제1단계;상기 제1표면제어층 상부에 상기 제1표면제어층에 대해 상대적으로 높은 식각저항성을 갖는 제2표면제어층을 형성하는 제2단계;노광 공정에 의해 상기 제2표면제어층에 제1제어패턴을 형성하는 제3단계;상기 제2표면제어층의 제1제어패턴에 연속 또는 순차적으로 상기 제1표면제어층에 형성되며, 상기 제1제어패턴에 대해 확장컷(Extension-cut)을 이루는 제2제어패턴을 형성하는 제4단계;상기 제1표면제어층의 제2제어패턴에 의해 상기 기재에 표면 제어 영역을 확보하는 제5단계;상기 제1제어패턴이 형성된 제2표면제어층 및 상기 제2제어패턴이 형성된 제1표면제어층을 마스크로 하여, 상기 표면 제어 영역에 제1양자점 구조체를 형성하거나 박막 구조체를 형성하는 제6단계;상기 제2표면제어층 및 상기 제1표면제어층을 제거하여 상기 기재 상에 제1양자점 구조체를 형성하거나, 상기 제2표면제어층을 제거하고 상기 제2제어패턴이 형성된 제1표면제어층을 마스크로 하여, 상기 표면 제어 영역에 제2양자점 구조체를 형성하고, 상기 제2제어패턴이 형성된 제1표면제어층을 제거하여 상기 기재 상에 제1양자점 구조체 및 제2양자점 구조체로 이루어진 복합 양자점 구조체 또는 박막 구조체 및 제2양자점 구조체로 이루어진 복합 양자점 구조체를 형성하는 제7단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법
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4
제 3항에 있어서, 상기 제1표면제어층과 제2표면제어층의 식각저항성비는 1 : 1
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5
제 3항에 있어서, 상기 제4단계는,상기 제3단계의 노광 공정에 따른 현상 공정을 수행하고, 이에 연속적 또는 순차적으로 추가적인 현상 공정을 수행하여 상기 제2제어패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법
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6
제 3항에 있어서, 상기 제4단계는,상기 현상 공정 후 또는 추가적인 현상 공정 후, 상기 제1표면제어층을 건식 식각 또는 습식 식각하여 상기 확장컷을 더욱 확장시킨 제2제어패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법
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7
제 3항에 있어서, 상기 제1표면제어층의 제2제어패턴은,상기 제2표면제어층의 제1제어패턴의 배열 형태에 따라 배열 형태가 결정되거나,또는 상기 제2표면제어층의 제1제어패턴 간 거리에 의해 패턴의 형상이 조절되는 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법
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8
제 3항에 있어서, 상기 제5단계는,상기 제4단계의 확장컷을 이루는 제2제어패턴의 면적 변화를 통하여 상기 표면 제어 영역의 크기가 조절되는 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법
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9
제 1항에 있어서, 상기 양자점은,CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, CuInS2, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, PbSe, PbS, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, 및 InAlPAs 중 어느 하나 또는 둘 이상을 조합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법
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10
제 3항에 있어서, 상기 박막 구조체는,상기 제1제어패턴이 형성된 제2표면제어층 및 상기 제2제어패턴이 형성된 제1표면제어층을 마스크로 하여, 상기 표면 제어 영역에 상기 기재와는 표면 특성이 다른 박막층을 단층 또는 다층으로 형성한 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법
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11
제 3항에 있어서, 상기 제5단계 이후에,상기 제1제어패턴이 형성된 제2표면제어층 및 상기 제2제어패턴이 형성된 제1표면제어층을 식각 마스크로 하여, 상기 표면 제어 영역에 식각패턴을 추가로 형성하는 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법
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12
제 11항에 있어서, 상기 제1양자점 구조체 및 상기 복합 양자점 구조체는,상기 식각패턴에 대응하여 형성된 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법
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13
제 11항에 있어서, 상기 식각패턴은,건식 식각 공정 또는 습식 식각 공정과 같은 단일 식각 공정에 의해 형성되거나,건식 식각 공정 후 습식 식각 공정 또는 습식 식각 공정 후 건식 식각 공정과 같은 복합 식각 공정 중 어느 하나에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법
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14
제 11항에 있어서, 상기 박막 구조체는,상기 식각패턴 내부에 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법
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15
제 3항에 있어서, 상기 제6단계 이후에 또는 상기 제7단계의 상기 제2제어패턴이 형성된 제1표면제어층을 제거하기 전에 보호층을 형성하여, 상기 제1양자점 구조체, 제2양자점 구조체 및 복합 양자점 구조체 중 어느 하나 이상을 보호하는 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법
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16
제 3항에 있어서, 상기 제1표면제어층이나 상기 제2표면제어층을 제거하기 전에 제1양자점 구조체이나 제2양자점 구조체 또는 복합 양자점 구조체의 형성 후 각각 열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법
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17
제 3항에 있어서, 상기 표면 제어 영역에 접착증진(Adhesion promoter) 표면처리 또는 소수성 표면처리를 하는 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법
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18
제 17항에 있어서, 상기 접착증진 표면처리는,상기 기재 상의 표면 제어 영역에 프로모터(Promoter) 수지를 코팅하거나, 산소 플라즈마 처리, 자외선-오존 처리, 마이크로파 처리 중 어느 하나의 방법 이상을 수행하는 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법
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19
제 17항에 있어서, 상기 소수성 표면처리는,상기 기재 상의 표면 제어 영역에 소수성 물질을 코팅, 플라즈마 처리 중 어느 하나의 방법 이상을 수행하는 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법
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20
제 3항에 있어서, 상기 기재는,광전소자의 최상부층에 형성된 n형 반도체층 또는 p형 반도체층인 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법
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21
제 1항 내지 제 20항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 적용한 것을 특징으로 하는 광전소자
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22
제 21항에 있어서, 상기 광전소자는,발광다이오드(Light Emitting Diode; LED), 마이크로 발광다이오드(Micro-LED), 태양전지(Solar cell), 레이저다이오드(Laser Diode; LD), 포토다이오드(Photo Diode; PD), 애벌런치 광 다이오드(Avalanche Photo Diode; APD) 중 어느 하나 이상 또는 이들의 어레이 형태인 것을 특징으로 하는 광전소자
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23
제어패턴이 형성된 복수개의 표면제어층에 의해 표면 제어 영역이 확보된 기재;상기 제어패턴이 형성된 복수개의 표면제어층을 마스크로 하여 상기 기재 상의 표면 제어 영역에 형성된 양자점이 포함된 구조체;를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점이 포함된 구조체가 형성된 표면 제어 기재
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24
제 23항에 있어서, 상기 양자점이 포함된 구조체는,상기 구조체 형성 후 상기 표면제어층을 모두 제거하는 단일의 제1양자점 구조체로 형성되거나,상기 제어패턴이 형성된 복수개의 표면제어층을 마스크로 하여 상기 기재 상의 표면 제어 영역에 형성된 제1양자점 구조체를 형성하고, 상기 표면제어층을 순차적으로 제거하고, 잔존 표면제어층을 마스크로 하여 상기 기재의 일부에 제1양자점 구조체와는 다른 양자점 구조체를 서로 중첩하여 형성된 복합 양자점 구조체로 형성되거나,상기 제어패턴이 형성된 복수개의 표면제어층을 마스크로 하여 상기 기재 상의 표면 제어 영역에 형성된 박막 구조체를 형성하고, 상기 표면제어층을 순차적으로 제거하고, 잔존 표면제어층을 마스크로 하여 상기 기재의 일부에 제1양자점 구조체 또는 상기 복합 양자점 구조체를 서로 중첩하여 형성된 것을 특징으로 하는 양자점이 포함된 구조체가 형성된 표면 제어 기재
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25
제 23항에 있어서, 상기 복수개의 표면제어층은,서로 식각저항성이 다른 것을 특징으로 하는 양자점이 포함된 구조체가 형성된 표면 제어 기재
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26
제 23항에 있어서, 상기 양자점은,CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, CuInS2, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, PbSe, PbS, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, 및 InAlPAs 중 어느 하나 또는 둘 이상을 조합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 양자점이 포함된 구조체가 형성된 표면 제어 기재
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제 23항에 있어서, 상기 제어패턴이 형성된 복수개의 표면제어층을 식각 마스크로 하여 상기 기재 상의 표면 제어 영역에 식각패턴이 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 양자점이 포함된 구조체가 형성된 표면 제어 기재
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28
제 27항에 있어서, 상기 양자점을 포함하는 구조체는,상기 식각패턴에 대응하여 형성된 것을 특징으로 하는 양자점이 포함된 구조체가 형성된 표면 제어 기재
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29
제 23항에 있어서, 상기 제1양자점 구조체, 제2양자점 구조체 및 복합 양자점 구조체 중 어느 하나를 보호하기 위해 보호층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 양자점이 포함된 구조체가 형성된 표면 제어 기재
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30
제 23항에 있어서, 상기 기재는,광전소자의 최상부층에 형성된 n형 반도체층 또는 p형 반도체층인 것을 특징으로 하는 양자점이 포함된 구조체가 형성된 표면 제어 기재
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제 23항 내지 제 30항 중 어느 한 항의 양자점이 포함된 구조체가 형성된 표면 제어 기재를 적용한 것을 특징으로 하는 광전소자
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제 31항에 있어서, 상기 광전소자는,발광다이오드(Light Emitting Diode; LED), 마이크로 발광다이오드(Micro-LED), 태양전지(Solar cell), 레이저다이오드(Laser Diode; LD), 포토다이오드(Photo Diode; PD), 애벌런치 광 다이오드(Avalanche Photo Diode; APD) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광전소자
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