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일정 파장을 갖는 기본 광을 발생시키는 광원;상기 기본 광의 일부를 고조파로 변환하여 심자외선 광을 발생시키는 비선형 물질 부재; 및상기 심자외선 광의 진행 경로를 변환하는 광학 필터를 포함하고,상기 광원은 성장 방향에 대한 최소 단위 두께의 정수배로 양자화된 두께로 형성된 발광층을 포함하며,상기 발광층이 단일 원소로 구성된 경우 상기 최소 단위 두께는 상기 발광층에 포함된 원소의 결정 구조를 형성하는 원자들 중 상기 성장 방향으로 제1 기준 성장면에 가장 인접한 원자와 상기 제1 기준 성장면 사이의 거리에 대응하는 두께이고,상기 발광층이 두 가지 종류 이상의 원소로 구성된 경우 상기 최소 단위 두께는 상기 발광층에 포함된 원소의 결정 구조를 형성하는 원자들 중 상기 성장 방향으로 제2 기준 성장면에 가장 인접한 제1 원자와 가장 인접한 제2 원자가 형성하는 단위 성장면과 상기 제2 기준 성장면 사이의 거리에 대응하는 UV-C 발광 장치
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제1항에 있어서, 상기 광원은Ⅲ족, Ⅳ족, Ⅴ족, Ⅵ족 원소 및 이들의 화합물 중 어느 하나를 포함하는 발광 다이오드 또는 레이저 소자인 UV-C 발광 장치
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3
제1항에 있어서, 상기 비선형 물질 부재는 상기 기본 광의 일부를 2차 또는 3차 고조파로 변환하는 UV-C 발광 장치
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4
제1항에 있어서, 상기 비선형 물질 부재는 LiNbO3, LiTaO3, KDP(KH2PO4), DKDP(KD2PO4), KNbO3, KTP(KTiOPO4), LBO(LiB3O5), CLBO(CsLiB6O10), BBO(β-BaB2O4), CBO(CSB3O5), YCOB, YAB(YAl3(BO3)4), SBBO(Sr2Be2B2O7) 및 KAB(K2Al2B2O7) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 UV-C 발광 장치
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제1항에 있어서, 상기 비선형 물질 부재는분극 방향이 서로 반대로 형성된 분극 반전층이 주기적으로 배열된 구조를 갖는 UV-C 발광 장치
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6
제1항에 있어서, 상기 비선형 물질 부재는전기장에 의해 상기 기본 광과 상기 심자외선 광의 굴절률이 정합되도록 제어되는 UV-C 발광 장치
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7
제1항에 있어서, 상기 광학 필터는상기 광원과 상기 비선형 물질 부재 사이에 위치하고, 상기 비선형 물질 부재의 후방 방향으로 진행하는 상기 심자외선 광을 전방 방향으로 변환하는 UV-C 발광 장치
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8
제7항에 있어서, 상기 광학 필터는상기 기본 광은 투과시키고, 상기 심자외선 광은 반사시키는 로우 패스 필터 및 밴드 패스 필터 중 어느 하나를 포함하는 UV-C 발광 장치
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제1항에 있어서,상기 광원, 상기 비선형 물질 부재 및 상기 광학 필터는 서로 이격되어 배치되는 UV-C 발광 장치
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10
제1항에 있어서,상기 광원, 상기 비선형 물질 부재 및 상기 광학 필터 중 적어도 어느 하나는 서로 접하는 UV-C 발광 장치
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제10항에 있어서,상기 광원, 상기 비선형 물질 부재 및 상기 광학 필터 중 적어도 어느 하나는 직접 본딩 방법, 에피텍셜 성장 방법 및 증착 방법 중 어느 하나에 의해 서로 접하도록 형성된 UV-C 발광 장치
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일정 파장을 갖는 기본 광을 발생시키는 광원;상기 기본 광의 일부를 고조파로 변환하여 심자외선 광을 발생시키는 비선형 물질 부재;상기 심자외선 광의 진행 경로를 변환하는 제1 광학 필터; 및상기 기본 광의 진행 경로를 변환하는 제2 광학 필터를 포함하고,상기 광원은 성장 방향에 대한 최소 단위 두께의 정수배로 양자화된 두께로 형성된 발광층을 포함하며,상기 발광층이 단일 원소로 구성된 경우 상기 최소 단위 두께는 상기 발광층에 포함된 원소의 결정 구조를 형성하는 원자들 중 상기 성장 방향으로 제1 기준 성장면에 가장 인접한 원자와 상기 제1 기준 성장면 사이의 거리에 대응하는 두께이고,상기 발광층이 두 가지 종류 이상의 원소로 구성된 경우 상기 최소 단위 두께는 상기 발광층에 포함된 원소의 결정 구조를 형성하는 원자들 중 상기 성장 방향으로 제2 기준 성장면에 가장 인접한 제1 원자와 가장 인접한 제2 원자가 형성하는 단위 성장면과 상기 제2 기준 성장면 사이의 거리에 대응하는 UV-C 발광 장치
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제12항에 있어서, 상기 광원은Ⅲ족, Ⅳ족, Ⅴ족, Ⅵ족 원소 및 이들의 화합물 중 어느 하나를 포함하는 발광 다이오드 또는 레이저 소자인 UV-C 발광 장치
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제12항에 있어서, 상기 비선형 물질 부재는 상기 기본 광의 일부를 2차 또는 3차 고조파로 변환하는 UV-C 발광 장치
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제12항에 있어서, 상기 비선형 물질 부재는 LiNbO3, LiTaO3, KDP(KH2PO4), DKDP(KD2PO4), KNbO3, KTP(KTiOPO4), LBO(LiB3O5), CLBO(CsLiB6O10), BBO(β-BaB2O4), CBO(CSB3O5), YCOB, YAB(YAl3(BO3)4), SBBO(Sr2Be2B2O7) 및 KAB(K2Al2B2O7) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 UV-C 발광 장치
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제12항에 있어서, 상기 비선형 물질 부재는분극 방향이 서로 반대로 형성된 분극 반전층이 주기적으로 배열된 구조를 갖는 UV-C 발광 장치
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17
제12항에 있어서, 상기 비선형 물질 부재는전기장에 의해 상기 기본 광과 상기 심자외선 광의 굴절률이 정합되도록 제어되는 UV-C 발광 장치
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18
제12항에 있어서, 제1 광학 필터는상기 광원과 상기 비선형 물질 부재 사이에 위치하고, 상기 비선형 물질 부재의 후방 방향으로 진행하는 상기 심자외선 광을 전방 방향으로 변환하는 UV-C 발광 장치
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제18항에 있어서, 상기 제1 광학 필터는상기 기본 광은 투과시키고, 상기 심자외선 광은 반사시키는 로우 패스 필터 및 밴드 패스 필터 중 어느 하나를 포함하는 UV-C 발광 장치
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20
제12항에 있어서, 제2 광학 필터는상기 비선형 물질 부재의 전방 방향에 위치하고, 상기 비선형 물질 부재를 투과하여 진행하는 상기 기본 광을 후방 방향으로 변환하는 UV-C 발광 장치
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제20항에 있어서, 상기 제2 광학 필터는상기 심자외선 광은 투과시키고, 상기 기본 광은 반사시키는 하이 패스 필터 및 밴드 패스 필터 중 어느 하나를 포함하는 UV-C 발광 장치
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제12항에 있어서,상기 광원, 상기 비선형 물질 부재, 제1 및 제2 상기 광학 필터는 서로 이격되어 배치되는 UV-C 발광 장치
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23
제12항에 있어서,상기 광원, 상기 비선형 물질 부재, 제1 및 제2 상기 광학 필터 중 적어도 어느 하나는 서로 접하는 UV-C 발광 장치
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제23항에 있어서,상기 광원, 상기 비선형 물질 부재, 제1 및 제2 상기 광학 필터 중 적어도 어느 하나는 직접 본딩 방법, 에피텍셜 성장 방법 및 증착 방법 중 어느 하나에 의해 서로 접하도록 형성된 UV-C 발광 장치
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제24항에 있어서,상기 광원은 상기 증착 방법으로 형성되는 UV-C 발광 장치
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제12항에 있어서,상기 제1 기준 성장면은 상기 성장 방향의 원점 위치에 대응하는 원자가 상기 성장 방향과 수직하게 형성하는 평면인 UV-C 발광 장치
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28
삭제
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제12항에 있어서, 상기 제2 기준 성장면은 상기 성장 방향의 원점 위치에 대응하는 원자가 상기 성장 방향과 수직하게 형성하는 평면이고, 상기 단위 성장면은 상기 제2 원자가 상기 성장 방향과 수직하게 형성하는 평면인 UV-C 발광 장치
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30
제24항에 있어서,상기 비선형 물질 부재는 상기 에피텍셜 성장 방법으로 형성되고,상기 비선형 물질 부재는 표면에 양자점을 포함하는 방사 패턴이 형성된 UV-C 발광 장치
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31
제24항에 있어서, 상기 제1 및 제2 광학 필터 각각은분포 브래그 반사기로 형성된 UV-C 발광 장치
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제31항에 있어서,상기 제1 및 제2 광학 필터 각각은 상기 증착 방법에 의해 형성되고,상기 제1 및 제2 광학 필터 각각은 성장 방향에 대한 최소 단위 두께의 정수배로 양자화된 두께로 각각 형성되고, 서로 굴절률이 다른 적어도 2개의 층이 교대로 반복 적층된 구조를 갖는 UV-C 발광 장치
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33
제12항에 있어서, 상기 광원, 상기 비선형 물질 부재 및 상기 광학 필터를 덮는 봉지제;상기 광원, 상기 비선형 물질 부재 및 상기 광학 필터의 측면에 위치하고, 상기 심자외선 광을 상부 방향으로 반사시키는 반사 미러;상기 심자외선 광의 세기를 감지하는 광 센서;상기 감지된 심자외선 광의 세기에 따라 상기 광원을 제어하는 구동부; 및 배터리로부터 공급된 전원 전압을 제어하여 상기 광원에 공급하는 전압 안정기를 더 포함하는 UV-C 발광 장치
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