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레이저 쉐이빙을 이용한 0LED 제조 방법과 이에 의한 OLED 및 이의 제조를 위한 제조 장치

  • 기술번호 : KST2022012344
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 애노드 기판의 상면에 증착된 정공 이동층의 상면에 제 1 발광층을 증착하는 제 1 발광층 증착 단계와, 상기 제 1 발광층을 레이저 쉐이빙을 통하여 식각하여 제 1 발광 소자를 형성하는 제 1 발광 소자 형성 단계와, 제 1 발광 소자의 주변으로 노출되는 정공 이동층의 상면을 포함하는 영역에 제 2 발광층을 증착하는 제 2 발광층 증착 단계와, 상기 제 2 발광층을 식각하여 제 2 발광 소자를 형성하는 제 2 발광 소자 형성 단계와, 상기 제 1 발광 소자와 제 2 발광 소자의 주변으로 노출되는 정공 이동층의 상면을 포함하는 영역에 제 3 발광층을 증착하는 제 3 발광층 증착 단계 및 상기 제 3 발광층을 식각하여 제 3 발광 소자를 형성하는 제 3 발광 소자 형성 단계를 포함하는 레이저 쉐이빙을 이용한 0LED 제조 방법과 이에 의한 OLED 및 이를 위한 OLED 제조 장치를 개시한다.
Int. CL H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020210013573 (2021.01.29)
출원인 경기대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0097061 (2021.08.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020200010291   |   2020.01.29
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.01.29)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경기대학교 산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주상현 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김호종 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **-*, *층 (역삼동, 신도빌딩)(태산특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2021-0123285-19
2 보정요구서
Request for Amendment
2021.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2021-0019876-13
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2021.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2021-0241926-12
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.07.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2021.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0119579-36
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번호 청구항
1 1
애노드 기판의 상면에 증착된 정공 이동층의 상면에 제 1 발광층을 증착하는 제 1 발광층 증착 단계와,상기 제 1 발광층을 레이저 쉐이빙을 통하여 식각하여 제 1 발광 소자를 형성하는 제 1 발광 소자 형성 단계와,제 1 발광 소자의 주변으로 노출되는 정공 이동층의 상면을 포함하는 영역에 제 2 발광층을 증착하는 제 2 발광층 증착 단계와,상기 제 2 발광층을 식각하여 제 2 발광 소자를 형성하는 제 2 발광 소자 형성 단계와,상기 제 1 발광 소자와 제 2 발광 소자의 주변으로 노출되는 정공 이동층의 상면을 포함하는 영역에 제 3 발광층을 증착하는 제 3 발광층 증착 단계 및상기 제 3 발광층을 식각하여 제 3 발광 소자를 형성하는 제 3 발광 소자 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 쉐이빙을 이용한 OLED 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 3 발광 소자 형성 단계후에 상기 제 1 발광 소자와 제 2 발광 소자의 상면을 추가로 식각하는 발광 소자 식각 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 쉐이빙을 이용한 OLED 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 발광 소자 식각 단계는 제 3 발광 소자 형성 단계후에 상기 제 3 발광 소자의 상면도 함께 식각하는 것을 특징으로 하는 레이저 쉐이빙을 이용한 OLED 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서,제 1 발광층은 제 1 발광 소자의 두께보다 1 ∼ 20% 두꺼운 두께로 증착되고, 제 2 발광층은 제 2 발광 소자의 두께보다 1 ∼ 20% 두꺼운 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 레이저 쉐이빙을 이용한 OLED 제조 방법
5 5
제 3 항에 있어서,상기 제 1 발광층과 제 2 발광층은 제 3 발광층보다 두꺼운 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 쉐이빙을 이용한 OLED 제조 방법
6 6
제 3 항에 있어서,상기 제 1 발광층과 제 2 발광층은 제 3 발광층의 두께보다 1 ∼ 20% 두꺼운 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 쉐이빙을 이용한 OLED 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제 1 발광 소자 형성 단계와 상기 제 2 발광 소자 형성 단계 및 제 3 발광 소자 형성 단계는 상기 애노드 기판을 냉각하거나, 상기 발광층의 상부로 냉각 가스를 분사하면서 진행되는 것을 특징으로 하는 레이저 쉐이빙을 이용한 OLED 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 레이저가 조사되는 영역으로 불활성 가스를 블로잉하면서 진행되는 것을 특징으로 하는 레이저 쉐이빙을 이용한 OLED 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 레이저는 텔레센트릭 렌즈를 통하여 조사되는 것을 특징으로 하는 레이저 쉐이빙을 이용한 OLED 제조 방법
10 10
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 하나의 항에 따른 레이저 쉐이빙을 이용한 OLED 제조 방법에 의하여 제조되는 OLED
11 11
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 하나의 항에 따른 레이저 쉐이빙을 이용한 OLED 제조 방법을 적용하기 위한 제조 장치로서,애노드 기판에 유기물을 증착하는 유기물 증착 모듈과,상기 애노드 기판을 안착시키는 기판 지지대의 하부에 위치하며 상기 애노드 기판을 필요한 온도로 냉각시키는 기판 냉각 모듈과,상기 레이저를 조사하는 레이저 조사 모듈 및상기 레이저가 조사되는 영역으로 불활성 가스를 블로잉하는 가스 블로잉 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 OLED 제조 장치
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN113224255 CN 중국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN113224255 CN 중국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 경기대학교 산학협력단 원천기술개발사업-나노소재기술개발사업-나노소재원천기술개발사업 인체유해 고에너지 전자기파 감지 IoT센서용 나노소재 및 소자 원천기술 개발
2 과학기술정보통신부 경기대학교 산학협력단 개인기초연구사업-우수연구(중견) 자기형상제어가 가능한 멕센 파이버 개발