| 1 |
1
베이스 기판의 상면에 제 1 발광층을 코팅하는 제 1 발광층 코팅 단계와,상기 제 1 발광층에서 제 1 발광 소자를 형성하는 제 1 발광 소자 영역에 경화 레이저를 조사하여 선택적으로 경화시키는 제 1 발광 소자 영역 경화 단계와,상기 제 1 발광층의 상면으로 식각 레이저를 조사하면서 제 1 발광층을 식각하여 제 1 발광 소자를 형성하는 제 1 발광 소자 형성 단계와,상기 제 1 발광 소자의 주변으로 노출되는 상기 베이스 기판의 상면을 포함하는 영역에 제 2 발광층을 코팅하는 제 2 발광층 코팅 단계와,상기 제 2 발광층에서 제 2 발광 소자가 형성되는 제 2 발광 소자 영역에 상기 경화 레이저를 조사하여 선택적으로 경화시키는 제 2 발광 소자 영역 경화 단계와,상기 제 2 발광층의 상면으로 상기 식각 레이저를 조사하면서 상기 제 2 발광층을 식각하여 제 2 발광 소자를 형성하는 제 2 발광 소자 형성 단계와,상기 제 1 발광 소자와 제 2 발광 소자의 주변으로 노출되는 상기 베이스 기판의 상면을 포함하는 영역에 제 3 발광층을 코팅하는 제 3 발광층 코팅 단계와,상기 제 3 발광층에서 제 3 발광 소자가 형성되는 제 3 발광 소자 영역에 상기 경화 레이저를 조사하여 선택적으로 경화시키는 제 3 발광 소자 영역 경화 단계와,상기 제 3 발광층의 상면으로 상기 식각 레이저를 조사하면서 상기 제 3 발광층을 식각하여 제 3 발광 소자를 형성하는 제 3 발광 소자 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 QLED 제조 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 제 3 발광 소자 형성 단계후에 상기 제 1 발광 소자와 제 2 발광 소자의 상면을 식각 레이저로 식각하는 발광 소자 식각 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 QLED 제조 방법
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서, 상기 발광 소자 식각 단계는상기 제 3 발광 소자의 상면도 함께 상기 식각 레이저로 식각하는 것을 특징으로 하는 QLED 제조 방법
|
| 4 |
4
제 2 항에 있어서,상기 제 1 발광층은 제 1 발광 소자의 두께보다 1 ∼ 20% 두꺼운 두께로 코팅되고, 제 2 발광층은 제 2 발광 소자의 두께보다 1 ∼ 20% 두꺼운 두께로 코팅되는 것을 특징으로 하는 QLED 제조 방법
|
| 5 |
5
제 2 항에 있어서,상기 제 1 발광층과 제 2 발광층은 제 3 발광층보다 두꺼운 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 QLED 제조 방법
|
| 6 |
6
제 2 항에 있어서,상기 제 1 발광층과 제 2 발광층은 제 3 발광층의 두께보다 1 ∼ 20% 두꺼운 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 QLED 제조 방법
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 경화 레이저는 자외선 레이저인 것을 특징으로 하는 QLED 제조 방법
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 제 1 발광층과 제 2 발광층 및 제 3 발광층은 양자점 소재와 베이스 소재 및 광개시제를 포함하는 레이저 광반응성 양자점 복합 소재로 형성되며,상기 제 1 발광층은 상기 양자점 소재가 발광 파장 영역이 570~780nm인 적색 양자점 소재이며, 상기 제 2 발광층은 상기 양자점 소재가 발광 파장 영역이 480~570nm인 녹색 양자점 소재이며, 상기 제 3 발광층은 발광 파장 영역이 380~480nm인 청색 양자점 소재이며,상기 베이스 소재는 모노머와 올리고머를 포함하며,상기 광개시제는 자외선 개시제이며, 벤조인에트르계 또는 아민계인 것을 특징으로 하는 QLED 제조 방법
|
| 9 |
9
제 7 항에 있어서,상기 식각 레이저는 가시광 레이저 또는 적외선 레이저인 것을 특징으로 하는 QLED 제조 방법
|
| 10 |
10
제 9 항에 있어서,상기 제 1 발광층과 제 2 발광층 및 제 3 발광층은 가시광 파장 대역의 광을 흡수하는 광흡수 소재 또는 적외선 파장 대역의 광을 흡수하는 광흡수 소재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 QLED 제조 방법
|
| 11 |
11
제 1 항에 있어서,상기 식각 레이저는 상기 제 1 발광층, 제 2 발광층 또는 제 3 발광층에 전체적으로 조사되는 것을 특징으로 하는 QLED 제조 방법
|
| 12 |
12
제 1 항에 있어서,상기 식각 레이저는 상기 제 1 발광 소자가 형성되는 영역을 제외한 미경화된 영역의 제 1 발광층 또는 상기 제 2 발광 소자가 형성되는 영역을 제외한 미경화된 영역의 제 2 발광층 또는 상기 제 3 발광 소자가 형성되는 영역을 제외한 미경화된 영역의 제 3 발광층에 조사되는 것을 특징으로 하는 QLED 제조 방법
|
| 13 |
13
제 1 항에 있어서,상기 제 1 발광 소자 형성 단계와 상기 제 2 발광 소자 형성 단계 및 제 3 발광 소자 형성 단계는 상기 베이스 기판을 냉각하거나, 상기 발광층의 상부로 냉각 가스를 분사하면서 진행되는 것을 특징으로 하는 QLED 제조 방법
|
| 14 |
14
제 1 항에 있어서,상기 제 1 발광 소자 형성 단계와 상기 제 2 발광 소자 형성 단계 및 제 3 발광 소자 형성 단계는 상기 식각 레이저가 조사되는 영역으로 불활성 가스를 블로잉하면서 진행되는 것을 특징으로 하는 QLED 제조 방법
|
| 15 |
15
제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 하나의 항에 따른 QLED 제조 방법에 의하여 제조되는 QLED
|
| 16 |
16
제 1 항에 따른 QLED 제조 방법을 적용하기 위한 제조 장치로서,상기 베이스 기판에 양자점 소재를 코팅하는 양자점 소재 코팅 모듈과,상기 베이스 기판을 안착시키는 기판 지지대의 하부에 위치하며 상기 베이스 기판을 필요한 온도로 냉각시키는 기판 냉각 모듈과,상기 경화 레이저와 식각 레이저를 조사하는 레이저 조사 모듈 및상기 경화 레이저와 식각 레이저가 조사되는 영역으로 불활성 가스를 블로잉하는 가스 블로잉 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 QLED 제조 장치
|
