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베이스 기판의 상면에 제 1 발광층을 코팅하는 제 1 발광층 코팅 단계와,상기 제 1 발광층을 레이저로 식각하여 제 1 발광 소자를 형성하는 제 1 발광 소자 형성 단계와,제 1 발광 소자의 주변으로 노출되는 상기 베이스 기판의 상면을 포함하는 영역에 제 2 발광층을 코팅하는 제 2 발광층 코팅 단계와,상기 제 2 발광층을 레이저로 식각하여 제 2 발광 소자를 형성하는 제 2 발광 소자 형성 단계와,상기 제 1 발광 소자와 제 2 발광 소자의 주변으로 노출되는 상기 베이스 기판의 상면을 포함하는 영역에 제 3 발광층을 코팅하는 제 3 발광층 코팅 단계 및상기 제 3 발광층을 레이저로 식각하여 제 3 발광 소자를 형성하는 제 3 발광 소자 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 식각을 이용한 QLED 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 3 발광 소자 형성 단계후에 상기 제 1 발광 소자와 제 2 발광 소자의 상면을 레이저로 추가로 식각하는 발광 소자 식각 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 식각을 이용한 QLED 제조 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 발광 소자 식각 단계는 제 3 발광 소자 형성 단계후에 상기 제 3 발광 소자의 상면도 함께 레이저로 식각하는 것을 특징으로 하는 레이저 식각을 이용한 QLED 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 발광층은 제 1 발광 소자의 두께보다 1 ∼ 20% 두꺼운 두께로 코팅되고, 제 2 발광층은 제 2 발광 소자의 두께보다 1 ∼ 20% 두꺼운 두께로 코팅되는 것을 특징으로 하는 레이저 식각을 이용한 QLED 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 발광층과 제 2 발광층은 제 3 발광층보다 두꺼운 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 식각을 이용한 QLED 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 발광층과 제 2 발광층은 제 3 발광층의 두께보다 1 ∼ 20% 두꺼운 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 식각을 이용한 QLED 제조 방법
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7
제 1 항에 있어서,상기 제 1 발광층은 355nm 대역의 레이저를 사용하여 식각하며, 상기 제 1 발광층을 형성하는 양자점 물질은 355nm의 레이저를 상대적으로 많이 흡수하는 광흡수 소재를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 식각을 이용한 QLED 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 발광층은 532nm 대역의 레이저를 사용하여 식각하며, 상기 제 2 발광층을 형성하는 양자점 물질은 532nm의 레이저를 상대적으로 많이 흡수하는 광흡수 소재를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 식각을 이용한 QLED 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 3 발광층은 1,064nm 대역의 레이저를 사용하여 식각하며, 상기 제 2 발광층을 형성하는 양자점 물질은 1,064nm의 레이저를 상대적으로 많이 흡수하는 광흡수 소재를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 식각을 이용한 QLED 제조 방법
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10
제 1 항에 있어서,상기 제 1 발광 소자 형성 단계와 상기 제 2 발광 소자 형성 단계 및 제 3 발광 소자 형성 단계는 상기 베이스 기판을 냉각하거나, 상기 발광층의 상부로 냉각 가스를 분사하면서 진행되는 것을 특징으로 하는 레이저 식각을 이용한 QLED 제조 방법
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11
제 1 항에 있어서,상기 레이저가 조사되는 영역으로 불활성 가스를 블로잉하면서 진행되는 것을 특징으로 하는 레이저 식각을 이용한 QLED 제조 방법
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12
제 1 항에 있어서,상기 레이저는 텔레센트릭 렌즈 또는 어레이 렌즈를 통하여 조사되는 것을 특징으로 하는 레이저 식각을 이용한 QLED 제조 방법
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13
제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 하나의 항에 따른 레이저 식각을 이용한 QLED 제조 방법에 의하여 제조되는 QLED
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14
제 1 항에 따른 레이저 식각을 이용한 QLED 제조 방법을 적용하기 위한 제조 장치로서,베이스 기판에 양자점 물질을 코팅하는 양자점 물질 코팅 모듈과,상기 베이스 기판을 안착시키는 기판 지지대의 하부에 위치하며 상기 베이스 기판을 필요한 온도로 냉각시키는 기판 냉각 모듈과,상기 레이저를 조사하는 레이저 조사 모듈 및상기 레이저가 조사되는 영역으로 불활성 가스를 블로잉하는 가스 블로잉 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 QLED 제조 장치
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