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넓은 밴드갭을 가진 페로브스카이트 구조 나노물질을 이용한 UVC 센서를 제공하고자 하는 것으로, 상기 UVC 센서는:기판;상기 기판상에 형성된 투명전극층;상기 투명전극층과 대향하여 형성된 금속전극층;상기 투명전극층과 금속전극층 사이에 형성된 p-i-n층을 포함하고, 상기 p-i-n층은 p-형 고분자로 이루어진 정공전달층, 상기 정공전달층 상에 형성된 CaSnO3으로 이루어진 광흡수층, 및 상기 광흡수층 상에 형성된 n-형 나노입자로 이루어진 전자전달층을 포함하는 것인, UVC 센서
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제1항에 있어서,상기 p형 고분자로 이루어진 정공전달층의 두께는 10 내지 30 nm인 것을 특징으로 하는 것인, UVC 센서
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제1항에 있어서,상기 CaSnO3으로 이루어진 광흡수층의 두께는 10 내지 50 nm인 것을 특징으로 하는 것인, UVC 센서
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제1항에 있어서,상기 n-형 나노입자로 이루어진 전자전달층의 두께는 10 내지 50 nm인 것을 특징으로 하는 것인, UVC 센서
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제1항에 있어서,상기 UVC 센서는 1
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넓은 밴드갭을 가진 페로브스카이트 구조 나노물질을 이용한 UVC 센서의 제조 방법을 제공하고자 하는 것으로, 상기 방법은:기판 상에 투명전극층을 형성하는 단계;상기 투명전극층 상에 p-i-n층을 형성하는 단계; 및상기 p-i-n 층 상에 금속전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 p-i-n층은 p형 TFB층, CaSnO3 층 및 n형 SnO2층을 포함하고, 상기 CaSnO3 층의 두께는 10 내지 50 nm인 것인, UVC 센서의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 CaSnO3 층의 두께는 30 nm인 것을 특징으로 하는 것인, UVC 센서의 제조 방법
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제6항에 있어서,투명전극층은 메탄올-처리된 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)폴리(스타이렌설포네이트) [Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate), PEDOT:PSS]인 것을 특징으로 하는 것인, UVC 센서의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 CaSnO3 층은 CaSnO3 나노입자 현탁액을 상기 p형 TFB층 상에 스핀-코팅하는 단계, 및 스핀-코팅된 CaSnO3 나노입자 현탁액을 100 내지 130 ℃에서 5분 내지 20분 동안 열처리하는 단계에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 것인, UVC 센서의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 스핀-코팅은 2 내지 5회 수행되는 것을 특징으로 하는 것인, UVC 센서의 제조 방법
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