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고체상의 염화암모늄을 공급하기 위한 원료 공급기;와상기 원료 공급기로부터 주입된 고체상의 염화암모늄을 열분해하여 반응물로 기상의 염산과 암모니아를 생성하는 고온로;와상기 고온로에서 생성된 반응물을 유입받아 염산은 배가스 내의 원소수은을 산화시키고, 암모니아는 배가스 내의 질소산화물을 환원시키는 반응기;와상기 반응기로 주입되는 배가스 및 반응기를 통과한 반응가스에 포함된 원소수은 함량을 측정하는 수은 측정부;와 상기 반응기로 주입되는 배가스 및 반응기를 통과한 반응가스에 포함된 질소산화물을 측정하는 질소산화물 측정부;를 포함하며,상기 원료 공급기는 무기필러와 고체상의 염화암모늄을 교반한 혼합물을 중력에 의해 낙하시켜 고온로로 공급하되, 고체상의 염화암모늄을 1 내지 10 rpm으로 고온로에 공급하고,상기 고온로에는 필터가 구비되어 무기필러를 여과시킨 후 고체상의 염화암모늄만 반응기로 이송시키며, 상기 수은측정부와 상기 질소산화물 측정부는 실시간으로 원소수은의 산화효율과 질소산화물의 환원효율을 비교하여 상기 원료공급기에서 고온로로 공급되는 고체상의 염화암모늄의 공급속도 및 주입량을 제어하는 것을 특징으로 하는 고체상의 염화암모늄의 열분해를 이용한 원소수은 산화 및 질소산화물 제거 장치
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제 1항에 있어서, 상기 고온로는 200 내지 400 ℃로 설정되는 것을 특징으로 하는고체상의 염화암모늄의 열분해를 이용한 원소수은 산화 및 질소산화물 제거 장치
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원료 공급기에서 고체상의 염화암모늄을 고온로로 공급하는 원료 공급단계(S100);와 원료 공급기로부터 주입된 고체상의 염화암모늄을 고온로에서 열분해하여 반응물로 기상의 염산과 암모니아를 생성하는 열분해단계(S200);와반응기에서 고온로에서 생성된 반응물을 유입받아 염산은 배가스 내의 원소수은을 산화시키고, 암모니아는 배가스 내의 질소산화물을 환원시키는 반응단계(S300);와수은 측정부에서 상기 반응기로 주입되는 배가스 및 반응기를 통과한 반응가스에 포함된 원소수은 함량을 측정하는 수은 측정단계;와질소산화물 측정부에서 상기 반응기로 주입되는 배가스 및 반응기를 통과한 반응가스에 포함된 질소산화물을 측정하는 질소산화물 측정단계;를 포함하며, 상기 원료 공급단계(S100)에서는무기필러와 고체상의 염화암모늄을 교반한 혼합물을 중력에 의해 낙하시켜 고온로로 공급하되, 고체상의 염화암모늄을 1 내지 10 rpm으로 고온로에 공급하고,상기 고온로에는 필터가 구비되어 무기필러를 여과시킨 후 고체상의 염화암모늄만 반응기로 이송시키며, 상기 수은측정부와 상기 질소산화물 측정부는 실시간으로 원소수은의 산화효율과 질소산화물의 환원효율을 비교하여 상기 원료공급기에서 고온로로 공급되는 고체상의 염화암모늄의 공급속도 및 주입량을 제어하는 것을 특징으로 하는고체상의 염화암모늄의 열분해를 이용한 원소수은 산화 및 질소산화물 제거 방법
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제 4항에 있어서, 상기 열분해단계(S200)는200 내지 400 ℃에서 고체상의 염화암모늄을 열분해하는 것을 특징으로 하는고체상의 염화암모늄의 열분해를 이용한 원소수은 산화 및 질소산화물 제거 방법
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